《静电的产生.docVIP

一.静电的产生 人们在各种生活作息:举手投足、取物的过程中皆有移动、搬运的动作，移动的先决条件是『 磨擦』，在磨擦过程中会改变物体的正、负电子量，这些正、负电子在累积到适当能量时，当两对象相接近其电位或能量不同，如『导体,半导体』时即会有释放的动作，这就是静电发生的最基础认识，也就是说所有物体都是由原子组成，每一个原子都带有相同数目的质子和电子;质子带正电，电子带负电,正常状况下，正负电荷保持平衡,而使物体保持电中性。当我们将甲、乙两个不同的绝缘体摩擦之后，如果甲物体的电子跑到乙物体上，那么甲物体的正电荷会变得比较多而带正电；另一方面,乙物体因为从甲物体那边得到额外的电子，因此便带负电。像这种不同绝缘体因摩擦而带电的情形，就叫做『静电效应』，而因静电效应得到电子的一方，我们就说它带静电。（因为这些电在绝缘体上不会自己流走，是不会动的电，所以叫做静电）现今半导体组件『高密度化』、『微细化』的发展趋势,昨日的『静电破坏』安全系数,在今日来看己是『危险的』伤害。尤其是高速、高密度的IC 、 LSI 对于100V以下的静电均极为敏感、最新发展的IC对30~40V以下的静电压亦有其敏感性。 静电对电子组件的破坏,通常是以累积渐进式的破坏，因此对商品的信赖度具有极大的影响。静电破坏防护 (ESD) 措施，是一项花钱且又极麻烦的事，并不是某一两个单位实施即可,必须企业体的『全工程』全面实施，才可确保商品的可靠度。 ? 随着电子产品的小型化及高速运算电子组件的需求增加，对于电磁波干扰(EMI,electgromagnetic interference)、无线电波干扰(RFI,radio frequency interference)及静电放电(ESD,electrostatic discharge)之防护也日益重要小型化、高密度化的电子组件，最易受电子噪声干扰及静电破坏，因此需要进行电磁波遮蔽及静电防护处理，并且电子组件在制造、储存、运输到最终产品使用均需要静电防护材料，以防止各种操作行为产生的静电电压，一旦超过电子组件可忍受程度，极易损害电子组件正常运作;IEC(International Electro technical Commission)从1979开标试验规.为何静电需要防护 目前台湾已进入高科技的领域中，静电放电(ESD)会对次微米半导体造成破坏。静电放电会产生烧毁、打穿、劣化半导体金属层或发生潜在性失效等现象。静电吸附现象并且会使半导体及LCD生产过程中造成产品污染，而导致不良率的增加。。在一般产业中静电会产生高压放电，容易引起火灾、爆炸、电击等工安事件。这一些由静电产生的问题除了导致企业成本提高外，亦影响到企业形象。现今许多企业已经导入ISO质量认证，静电防护工程为许多电子工厂不可缺少的质量认证项目之一。 静电(Static - Electricity)可以说是无所不在的，任何两个不同材质的物体摩擦，都有可能产生静电。而当带有静电的物体接触到IC的金属接脚时所产生的瞬间高压放电，会经由金属接脚影响内部电路，所以说经由静电放电(Electro-Static Discharge, ESD)所引起的损害，是造成电子系统失效最大的潜在原因。研究指出，如果没有静电的保护措施，那么有高达50electrical failure是由ESD所造成的。 MOS组件由于它先天上就具有高输入阻抗，因此特别容易受到ESD的损害。就现代的制程而言，MOSgate oxide厚度约在150-200k，甚至更小，那么只要有15-20V左右的电压，这些氧化层就会受到伤害，然而ESD脉冲的峰值常高达数千伏ESD以及在芯片中加上ESD保护电路是必要的。 ESD的来源可以分成两类：直接型和间接型。所谓直接型就是经由摩擦产生电荷的带电物体因为直接接触到IC的接脚而对IC产生影响。间接型的就是因为IC四周的电感电容中的电荷产生变化，经由感应的方式来影响IC。 静电的产生是不可避免的，但良好的静电防制工作环境却能降低静电的产生及累积，甚至排除静电。因此如何避免电子组件受 ESD 破坏及如何做好静电防护,强调专业可分为如下两点实施： (1) 防止静电的产生 a. 环境相对温度控制40%~50%(为针对干燥地区或欧、美地区而言)。 b. 使用较不易产生静电的器具，如穿戴棉质手套避免使用尼龙手套、橡皮手或裸手接触 IC (2) 静电的消除 a. 生产机具有良好的接地设施。 b. 人员须配戴静电环。 c. 以静电防护材料包装晶粒及 IC 产品。 d. 使用静电防护桌垫及地毯。 e. 必要时使用离子扇中和工作环镜中无法藉接地来除的静电。 如何避免电子组件受静电破坏，除遵守以上作业规定外，对于对静电特别敏感的半导体组件，在运输、加工流程、测试、检验、包装对静电