《齐纳二极管击穿特性研究.docVIP

燕山大学 课 程 设 计 说 明 书 题目 齐纳二极管击穿特性研究 学院（系） 年级专业： 学 号： 学生姓名： 指导教师： 教师职称： 燕山大学课程设计（论文）任务书 院（系）： 理学院 基层教学单位：09电子信息科学与技术二班 学 号 090108040035 学生姓名 专业（班级） 09电子信息科学与技术二班 设计题目 齐纳二极管击穿特性研究 设 计 技 术 参 数 设计参数： 稳定电压; 最大耗散功率； 稳定电流； 动态电阻； 稳定电压的温度系数 设 计 要 求 了解 利用Silvaco软件对齐纳二极管进行仿真，T和时间time稳定电压 工 作 量 二十个工作日左右 每个工作日三到五小时 工 作 计 划 2012/10/22---2012/10/28 实验选题 2012/10/29---2012/11/04 实验操作 2012/11/05---2012/11/11 实验论文 参 考 资 料 [1]刘恩科.半导体物理学（第七版）.电子工业出版社 [2]SILVACO‐ATLAS操作文档.中山大学微电子实验室 [3]Stephen A. Campbell.微电子制造科学原理与工程技术（第二版）.电子工业出版社，2004.2 指导教师签字 基层教学单位主任签字 说明：此表一式四份，学生、指导教师、基层教学单位、系部各一份。 年 月 日 齐纳二极管及其特性的研究 摘 要：齐纳二极管(又叫稳压二极管)是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见图1,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 关键词：齐纳二极管、反向击穿、Silvaco、模拟 Zener diode breakdown characteristics Abstract ：The zener diodes (also known as Zener diode) is made of a silicon material surface contact diode, referred to as the regulator. This diode is a until the critical reverse breakdown voltage has a high resistance of the semiconductor device. Regulator in the reverse breakdown, a certain current range (or within a certain power loss range), the terminal voltage is almost unchanged, showing the constant voltage characteristic, which is widely applied to the regulated power supply, and the limiter circuit being. Zener diode sub-file is based on the breakdown voltage, because of this characteristic, the regulator is mainly used as a regulator or a voltage reference element, the voltage characteristics shown in Figure 1, the Zener diode may be strung together in order to the high voltage is used, more stable voltage can be obtained through the series. Key word: Zener diode ,Reverse breakdown, S