CVD法制备石墨烯[精].pptVIP

石墨烯的CVD法制备 1.背景知识 2.阅读文献 3.总结 1.背景知识 CVD（chemical vapordeposition）：利用甲烷等含碳化合物作为碳源，高温分解，在基体表面生长成石墨烯。 渗碳析碳机制 生长机理 表面生长机制 渗碳析碳机制： 对于Ni等具有较高溶C量的金属基体，碳源裂解产生的碳原子在高温时渗入，温度降低时，从基体中析出成核，长大成石墨烯。 表面生长机制： 对于铜等具有较低的溶C量的金属基体，高温下，气态碳源裂解生成碳原子吸附于表面，生长成石墨烯岛，再二维长大合并得到石墨烯。  C源：主要为烃类，如（甲烷，乙烯，乙炔），选择碳源主要考虑：分解温度，分解速度，分解产物三方面因素。 生长基体：主要包含金属箔，选择依据为：金属的熔点，溶C量，是否有稳定的金属碳化物，另外金属晶体类型及晶体取向也会影响石墨烯的生长。 常压 生长条件:气压 低压 （105-10-3Pa） 超低压（10-3Pa） 预处理：（Cu基板） 1.电化学抛光，酸清洗。 目的：使生长基板平整，趋于各向同性，干净，降低粗糙度。 2.High-Pressure Annealed 。 目的：减少Cu基板上的晶格缺陷 （sharp wrinkles, step edges,defects） 基板上的污点，缺陷都可能成为碳原子的形核据点 Low nucleation density is critical for continuous growth of larger graphene crystals. 2.Single CrystalsMade on the Inside of Enclosure-like Cu Structures 3. 在再结晶（Resolidified）的铜基板上生长石墨烯 1.初次尝试：将温度加热到铜的熔点以上，在液态的铜基板上生长，但尺寸最大只有200um。 2.修正：先将铜基板熔化（melting），再结晶（Resolidified），在这样基板上，石墨烯的尺寸可达到1mm。 4.在Oxygen-Rich Cu 基板上生长 在非还原气体Ar中退火。保留其催化较弱（catalytically inactive）的氧化亚铜（Cu2O）层。 实验表明氧化亚铜层有效的控制了石墨烯在基板上的形核数量(4 nuclei /cm2.) 48小时的生长后，获得5mm的石墨烯单晶。 3.总结 为了得到更大尺寸的石墨烯，所做的工作应该达到这样的一个目的： 减少石墨烯形核的据点密度，提供的碳源和速度适当，以促进单片石墨烯的快速生长。 * CVD三个主要组成因素： 高温 800oC 温度 中温 600-800oC 低温 600oC 2.阅读文献 实验条件：常压，高温。基体：铜，20um， C源：固态有机废物。 生长速度和边缘之间的作用可以影响其形貌。当碳源供给量大时将由六边形过渡到圆形的生长状态。继续增加供应量时，会产生多层石墨烯片层。 b 石墨烯晶体间的晶界：一般由两部分组成：不定期的六边形和五边形组 (aperiodic heptagon-pentagon pairs )和边界重叠部分。（overlapped bilayer regions） 若干个增大石墨烯尺寸的有效方法： 1. Electrochemical-Polished and High-Pressure Annealed Cu Foils 过程：1.电化学抛光，2. 2atm（H2）7小时 CVD控压系统 RMS ：方均根 *