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集成电路原理与设计重点内容总结第一章 绪论摩尔定律：(P4)集成度大约是每18个月翻一番或者集成度每三年4倍的增长规律就是世界上公认的摩尔定律。集成度提高原因：一是特征尺寸不断缩小，大约每三年缩小倍；二是芯片面积不断增大，大约每三年增大1.5倍；三是器件和电路结构的不断改进。等比例缩小定律：(种类 优缺点)(P7-8)1.恒定电场等比例缩小规律（简称CE定律）a.器件的所有尺寸都等比例缩小K倍，电源电压也要缩小K倍，衬底掺杂浓度增大K倍，保证器件内部的电场不变。b.集成度提高K2倍，速度提高K倍，功耗降低K2倍。c.改变电源电压标准，使用不方便。阈值电压降低，增加了泄漏功耗。2.恒定电压等比例缩小规律（简称CV定律）a.保持电源电压和阈值电压不变，器件的所有几何尺寸都缩小K倍，衬底掺杂浓度增加K2倍。b.集成度提高K2倍，速度提高K2倍。c.功耗增大K倍。内部电场强度增大，载流子漂移速度饱和，限制器件驱动电流的增加。3.准恒定电场等比例缩小规则(QCE)器件尺寸将缩小K倍，衬底掺杂浓度增加lK（1lK）倍，而电源电压则只变为原来的l/K倍。是CV和CE的折中。需要高性能取l接近于K，需要低功耗取l接近于1。写出电路的网表：A BJT AMPVCC 1 0 6Q1 2 3 0 MQRC1 2 680RB 2 3 20KRL 5 0 1KC1 4 3 10UC2 2 5 10UVI 4 0 AC 1.MODEL MQ NPN IS=1E-14+BF=80 RB=50 VAF=100.OP.END其中.MODEL为模型语句，用来定义BJT晶体管Q1的类型和参数。常用器件的端口电极符号器件名称端口符号缩写Q（双极型晶体管）M（MOS场效应管）J（结型场效应管）B（砷化镓场效应管）C（集电极），B（基极），E（发射极），S（衬底）D（漏极），G（栅极），S（源极），B（衬底）D（漏极），G（栅极），S（源极）D（漏极），G（栅极），S（源极）电路分析类型.OP 直流工作点分析.TRAN 瞬态分析.DC 直流扫描分析.FOUR 傅里叶分析.TF 传输函数计算 .MC 蒙特卡罗分析.SENS 灵敏度分析 .STEP 参数扫描分析.AC 交流小信号分析.WCASE 最坏情况分析.NOISE 噪声分析 .TEMP 温度设置第二章 集成电路制作工艺集成电路加工过程中的薄膜：(P15)热氧化膜、电介质层、外延层、多晶硅、金属薄膜。光刻胶中正胶和负胶的区别:(P16)负胶：曝光的光刻胶发生聚合反应，变得坚固，不易去掉。正胶：在曝光时被光照的光刻胶发生分解反应，在显影时很容易被去掉，而没有被曝光的光刻胶显影后仍然保留。因此对同样的掩膜版，用负胶和正胶在硅片上得到是图形刚好相反。N阱和P阱CMOS结构制作过程：(P21-25)N阱：1、衬底硅片的选择MOS集成电路都选择100晶向的硅片，因为这种硅界面态密度低，缺陷少，迁移率高，有利于提高器件性能。2、制作n阱首先，对原始硅片进行热氧化，形成初始氧化层作为阱区注入的掩蔽层。然后，根据n阱的版图进行光刻和刻蚀，在氧化层上开出n阱区窗口。通过注磷在窗口下形成n阱，注入后要进行高温退火，又叫阱区推进，一方面使杂质激活，另一方面使注入杂质达到一定的深度分布。3、场区氧化首先，在硅片上用热生长方法形成一薄层SiO2作为缓冲层，它的作用是减少硅和氮化硅之间的应力。然后淀积氮化硅，它的作用是作为场区氧化的掩蔽膜，一方面因为氧或水汽通过氮化硅层的扩散速度极慢，这就有效地阻止了氧到达硅表面；另一方面氮化硅本身的氧化速度极慢，只相当于硅氧化速度的1/25。通过光刻和刻蚀去掉场区的氮化硅和缓冲的二氧化硅。接下来进行热氧化，由于有源区有氮化硅保护，不会被氧化，只在场区通过氧和硅起反应生成二氧化硅。4、制作硅栅目前MOS晶体管大多采用高掺杂的多晶硅作为栅电极，简称硅栅。硅栅工艺实现了栅和源、漏区自对准，减少了栅-源和栅-漏的覆盖长度，从而减小了寄生电容。硅栅工艺也叫自对准工艺。5、形成源、漏区6、形成金属互连线P阱：鸟嘴效应：(P23)在场区氧化过程中，氧也会通过氮化硅边缘向有源区侵蚀，在有源区边缘形成氧化层，伸进有源区的这部分氧化层被形象地称为鸟嘴，它使实际的有源区面积比版图设计的面积缩小。闩锁效应：(P27)闩锁效应是CMOS集成电路存在一种寄生电路的效应，它会导致VDD