第1章半导体器件#.pptVIP

3、掺杂特性：在纯净的半导体材料中，掺杂微量杂质，其导电能力大大增强。（可增加几十万至几百万倍） 价电子：最外层的电子受原子核的束缚最小，最为活跃，故称之为价电子。 最外层有几个价电子就叫几价元素，半导体材料硅和锗都是四价元素。 本征半导体——对半导体提纯，使之成为单晶体结构。这种纯净的晶体叫本征半导体。晶体管就是由此而来的。 ?l???导电方式 本征半导体中电流的大小取决于自由电子和空穴的数量，数量越多，电流越大。即本征半导体的导电能力与载流子的数量有关，而当光照和加热时，载流子的数量都会增加，这就说明了光敏性和热敏性。 ——在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成 N型半导体,也称电子型半导体。 N型半导体简化图 P型半导体简化图 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响。 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 1.2.3 半导体二极管的主要参数 二极管的单向导电性应用很广，可用于：检波、整流、限幅、钳位、开关、元件保护等。 例1：设二极管得导通电压为0.6V，求UO 例2：设二极管的导通电压忽略，已知ui=Asinwt(V)，画出uO的波形。 例3：设二极管的导通电压忽略，已知ui=10sinwt(V)，E=5V，画uo的波形。 例5：UA=3V, UB=0V，求UF (二极管的导通电压忽略) 三、应用 例1：电路如图，求流过稳压管的电流IZ，R是否合适？ 例2：电路如图，IZmax=50mA，R=0.15KΩ, UI =24V, IZ=5mA, UZ=12V，问当 RL = 0.2K Ω 时，电路能否稳定，为什么？当 RL = 0.8K Ω 时，电路能否稳定，为什么？ 例3、电路如图，UI =12V ，UZ=6V ，R=0.15KΩ ，IZ=5mA，IZMAX=30mA,问保证电路正常工作时RL 的取值范围 例：已知u=10sin(?t)V ,UZ= +6V, IZ=10mA ， Izmax=30mA, 画出uo的波形，并求限流电阻R的最小值。 1.3.1 晶体管的结构及其特点 1.3.2 晶体管的电流放大作用 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 1.3.4 晶体管的主要参数 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 1.3.6 光电三极管 双极型半导体三极管有两种类型: NPN型和PNP型。其结构示意图如下图所示。 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。 2）结构特点 基区很薄，掺杂浓度很低 集电结面积大，集电区 掺杂浓度低 发射区 掺杂浓度高 1.3.2 晶体管的电流放大作用 半导体三极管工作在放大工作状态时一定要加上适当的直流偏置电压： 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICE。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IBE。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 基区和集电区的少子在集电结的作用下，产生漂移运动，形成电流ICBO 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 iB是输入电流，uBE是输入电压。 iC是输出电流，uCE是输出电压。 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和uBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。为了排除uCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使uCE=const(常数)。 共发射极接法的输入特性曲线见下图。其中uCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当uCE≥1V时，uCB= uCE- uBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少，IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但uCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。输入特性曲线的分区： (2)输出特性曲线 共发射极接法的输出特性曲线如图所示，它是以iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明，当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当uCE稍增大时，发射结虽处于正向电压之下， 但集电结反偏电压很小，如 uCE 1 V