25第六章等效电路,影响阈值电压的因素解读.pptVIP

* Physics of Semiconductor Devices * Physics of Semiconductor Devices MOS场效应晶体管 §6.6、6.8、6.9 1、等效电路 2、频率响应 3、MOSFET的类型 4、影响阈值电压的其他因素 （1）掺杂浓度 （2）氧化层厚度 （3）衬底偏置 Outline MOSFET的小信号特性是指在一定工作点上，输出端电流的微小变化与输入端电压的微小变化之间有定量关系。这是一种线性变化关系，可以用线性方程组描述小信号特性，其中不随信号电流和信号电压变化的常数即小信号参数。 一 等效电路小信号参数 定义： 1. 线性导纳 在线性区的电阻称为开态电阻或导通电阻，可表示为： 在UDS较小时， gdl与UDS无关。随着UDS的增大，但还未到饱和区， gdl将会减小。此时有： 不可忽略 2. 跨导 线性区： 饱和区： 饱和区的跨导与线性区的导纳相等 3. 饱和区的漏极电阻 理想情况下，对于任何超过夹断条件的漏极电压，漏极电流为常数（电流与电压无关）。即对于VDVDsat时的情况，漏极电阻为无限大。饱和区漏极电阻定义为： 饱和区电导gds 在理想情况，若不考虑沟道长度调制效应， IDS与UDS 无关。饱和工作区的gds应为零，即输出电阻为无穷大。 gds ＝0 对于实际MOSFET，饱和区输出特性曲线总有一定的倾斜，使输出电导不等于零，即输出电阻不为无穷大。 4. 串联电阻对电导gd和跨导gm的影响 ① 对跨导的影响 由于MOSFET源区的体电阻、欧姆接触及电极引线等附加电阻的存在，使源区和地之间有一个外接串联电阻RS： 如果RSgm很大： 串联电阻（起负反馈作用）不能忽略时： ② 对输出电导的影响 若漏区的外接串联电阻为RD ，在线性工作区受RS 及RD 影响的有效输出电导： 1、RS 和RD会使跨导和输出电导变小； 2、在设计和制造OSFET时应尽量减少漏极和栅极串联电阻。 说明： 二 频率特性 截止频率f0定义为MOSFET的输入电流和输出电流相等时的频率，即器件输出短路时，器件不能够放大输入信号时的频率。 总的栅电容 MOSFET的小信号等效电路 输入电容Cin 输出电容 MOSFET中的电容包括MOS电容，以及MOSFET的极间电容CGS、 CGD 、 CGB 、 CBD 、 CBS 等。 MOS瞬态电路模型（SPICE模型） 电路模型是由栅源电容CGS、栅漏电容CGD栅衬电容CGB 、栅－源覆盖电容C’GS 、栅－漏覆盖电容C’GD、MOS管中衬－源和衬－漏两个寄生PN结电容CBS和CBD 、源极半导体材料串联电阻rS 、漏极半导体材料串联电阻rd ，沟道电流IDS 、衬－源和衬－漏两个寄生PN结二极管电流IBS和IBD 、衬－源和衬－漏两个寄生PN结电压UBS和UBD等构成。覆盖电容是指栅区与源、漏区相应覆盖区域之间的电容。 1、电路模型 2、模型参数 （1）电流参数：衬底－漏二极管电流IBD和衬底－源结二极管 电流IBS ； （2）势垒电容：衬底－漏CBD和衬底－源结势垒电容CBS； （3）栅沟电容：栅－源覆盖电容C’GS 、栅－漏覆盖电容C’GD 、 栅－衬底覆盖电容C’GB 3、工作区域 （1）截止区：沟道尚未形成；栅－沟电容CGC等于栅－衬底的 电容CGB ； （2）线性区：沟道已经形成；栅－沟电容CGC分解为栅－源电 容CGS和栅－漏电容CGD ；CGC ＝ CGS + CGD （3）饱和区：沟道载流子电荷不随电极电压改变而改变。栅－ 漏电容为零： CGD ＝ 0 ；在临界饱和时，沟道开始夹断： VDS ＝ VGS – VT 。