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印制電路板用化学镀镍金工艺探讨(二)
印制电路板用化学镀镍金工艺探讨(二) 3 化学镀镍金工艺流程 作为化学镀镍金流程,只要具备以下6个工作站就可满足其生产要求:
除油(3~7min)→ 微蚀(1~2min)→ 预浸(0.5~1.5min)→ 活化(2~6min)→ 沉镍(20~30min)→
浸金(7~11min) 3.1 安美特(Atotech)公司的化学镀镍金Aurotech工艺流程
Aurotech
是安美特公司开发的化学镀镍/金制程的商品名称。适用于制作阻焊膜之后的印制电路板的裸铜区域(一般是焊脚或连接盘的导通孔)进行选择性镀覆的化学法。
Aurotech 工艺能在裸露的铜表面和金属化孔内沉积均匀的化学镍/金镀层,即使是高厚径比的小孔也如此。Aurotech
还特别用于超细线电路,通过边缘和侧壁的最佳覆盖达到完全抗蚀保护,同热风整平相比较,Aurotech
没有特别高的温度,印制板基材不会产生热应力变形。此外,热风整平对通孔拐角处的覆盖较差,而化学镀镍/金却很好。
与有机可焊涂层相比较,除了熔焊性能之外,Aurotech 镀层还具有好的搭接焊、接触导通和散热功能。Aurotech
的工艺流程及操作参数见表1。 表1 Aurotech 之工艺流程及操作参数
工序号 工序名称
药品名称 配制浓度 PH值 温度 处理时间
1 酸性清洁剂 CupraprosH2SO4(d=1.84) 100ml/L10ml/L 1 35~40°C 4~6\x{00a2}
3级逆流水洗 自来水 3~4\x{00a2}
2 微蚀 Na2S2O8H2SO4(d=1.84) 100g/L20ml/L 1 25~35°C 2~3\x{00a2}
3级逆流水洗 自来水 3~4\x{00a2}
3 预浸 H2SO4(d=1.84) 50ml/L 1 22~32°C 3~5\x{00a2}
活化 Aurotech-activatorH2SO4(d=1.84) 200ml/L50ml/L 1 23~25°C 1~2\x{00a2}
3级逆流水洗 去离子水 3~4\x{00a2}
4 化学镀镍 Aurotech CNN Mod配制液Aurotech CNN A
补充剂浓NH3水 150ml/L60ml/L15~20ml/L 4.8~5.3 82~90°C 20~30\x{00a2}
化学镀镍 备用槽
3级逆流水洗 去离子水 3~4\x{00a2}
5 化学浸金 Aurotech SF配制液Aurotech
起始液K[Au(CN)2](Au68.3%) 238ml/L2ml/L3g/L 4.0~5.0 72~80°C 10~15\x{00a2}
回收 去离子水 1~2\x{00a2}
2级逆流水洗 去离子水 2~3\x{00a2}
热水洗 去离子水 0.5~1\x{00a2}
烘干 4 化学镀镍/金之工艺控制 4.1 除油槽
一般情况下,印制板化学镀镍/金采用酸性除油剂来处理待加工印制板,其作用在于去除铜面之轻度油脂及氧化物,达到铜面清洁及增加润湿效果的目的。它应当具备不伤阻焊膜、低泡型及易水洗的特性。
4.2 微蚀槽
微蚀的目的,在于清洁铜表面之氧化及前工序遗留残渣,保持铜面新鲜及增加化学镀镍层的密着性。常用的微蚀液为酸性过硫酸钠溶液,参见表1。
4.3 预浸槽 预浸槽在制程中没有特别的作用,只是维持活化槽的酸度以及使铜面在新鲜状态下(无氧化物),进入活化槽。
4.4 活化槽
活化的作用,是在铜面析出一层钯,作为化学镀镍起始反应之催化晶核。如前所述,其形成过程为Pd与Cu的化学置换反应。
工艺控制需关心的问题有:钯槽稳定性问题、活化槽硝槽处理问题、增加后浸处理问题和活化后水洗问题。 4.5 化学镀镍槽
化学镀镍是通过在Pd的催化作用下,NaH2PO2水解生成原子态H,同时H原子在Pd催化条件下,将Ni2+还原为单质Ni而沉积在裸铜面上的过程。
工艺控制需关心的问题有:磷含量问题、溶液PH值控制问题、镍槽寿命控制问题、溶液活性与稳定剂关系问题、溶液负载量(Loading
factor)问题、镀镍槽的配制问题、程式选择问题和槽内壁镍层之去除问题。 4.6 化学浸金槽
1)金槽之Au络合剂、PH值、SG、温度、浸渍时间要控制好。
在一般情况下,浸金槽的浸渍时间设定在7~11分钟,操作温度控制在80~90℃,可以根据客户的要求,通过调节温度来控制金厚。
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