输出为高电平。.pptVIP

3.1 二极管门电路 3.1.1 二极管的开关特性 二极管是PN结构成的，单向导电性，外加正向电压时导通，外加反向电压时截止。常将二极管当做由电压控制的开关使用。开关二极管具有正向电阻小和反向电阻大的开关特性。开关时间比普通二极管要短，具有较高的开关速度。 3.1.2 二极管门电路 1．二极管与门 VCC=5V，输入变量A、B，输出变量F，高电平VIH=3V，低电平VIL =0V，二极管的正向压降VD = 0.7 V。 A=0V，B=3V，二极管D1导通，VF电位0.7V，二极管D2截止。输出F低电平 A、B当中只要有一个是低电平0 V，二极管D1、D2就会有一个导通，输出钳位在低电平。 输入A和B都为高电平3V，VF=3.7V，输出为高电平。 逻辑1表示3V高电平，逻辑0表示低电平0V， 逻辑真值表 2．二极管或门 输入变量A、B、输出变量F的高电平VIH=3.7V，低电平VIL=0V，二极管的正向压降VD=0.7V。 A=0V，B=3.7V，D2导通，输出F=3V，D1截止，输出为高电平。 A、B当中只要有一个是高电平3.7V，二极管D1、D2就会有一个导通，输出钳位在高电平。 A=B=0V时，两个二极管都不导通，VF=0V，输出为低电平。 逻辑1表示3 V以上的高电平，逻辑0表示低电平0 V， 当输入A、B中有一个高电平1时，输出F为高电平1；只有当输入A、B都为低电平0时，两个二极管都不导通，VF=0V，输出为低电平， 。 3.2 CMOS集成逻辑门电路 MOS管是金属-氧化物-半导体场效应管有三个电极：源极S、漏极D和栅极G。 一种极性的载流子（电子或空穴）参与导电，为“单极型三极管”。 MOS管是电压控制元件，用变化的栅源极电压来控制漏极电流。 MOS管的输入电阻很大，基本上不需要信号源为其提供输入电流。 MOS管温度稳定性好、噪声低和抗干扰性强。广泛应用于数字集成电路。 1．MOS管的输出特性 MOS管分为P型沟道和N型沟道MOS管两种类型，增强型和耗尽型两类。 N沟道增强型MOS管的结构 N沟道MOS管输出特性曲线：在一定栅源电压vGS下，漏极电流iD随漏源电压vDS的变化的关系曲线。 输出特性曲线分为三个工作区域： 截止区、可变电阻区和饱和区。 2．MOS管的开关特性 MOS管作为开关元件，工作在截止区和可变电阻区。MOS管栅源之间的电压vGS决定开关的状态。 vGSVGS(th)，MOS管工作在截止状态，iD近似为零。输出电压vDS≈VDD，MOS管处于断开状态，等效电阻ROFF。 vGSVGS(th)，MOS管工作在导通状态。RON为导通时的漏源电阻。输出电压vDS=VDD·RON∕(RD+RON)，RON远小于RD，vDS≈0，MOS处于闭合状态，CJ表示栅极的输入电容。 3.2.2 CMOS反相器 CMOS集成电路是由P沟道和N沟道MOS管互补组成的，互补型MOS电路。 1．电路结构和工作原理 CMOS基本单元是反相器。T1是P沟道MOS管作为负载管，T2是N沟道MOS管作为输入管，栅极并接作为输入端；漏极串接，引出输出端；PMOS的源极接电源VDD，NMOS的源极接地。PMOS管的开启电压VGS(th)P0，NMOS管的开启电压VGS(th)N0， 保证电路正常工作，电源电压需要满足 VDD|VGS(th)P|+VGS(th)N 输入高电平vI=VDD ，T2管VGSN=VDDVGS(th)N，T2导通，输出vO与地之间等效为导通电阻RON； T1管vGSP=vI－VDD=0，小于|VGS(th)P|，T1截止，输出端与电源之间等效为截止电阻ROFF，输出为低电平。 CMOS反相器的低电平为0 V，高电平近似于VDD。 2．电压传输特性和电流传输特性 CMOS反相器的电路结构对称，VGS(th)N=|VGS(th)P|、T1和T2有相同的导通内阻RON和截止内阻ROFF。 电压传输特性曲线 AB段，vIVGS(th)N，T2截止； |vGS1|=|vI－VDD||VGS(th)P|，T1导通，输出vO=VOH≈VDD。 CD段，vIVDD－|VGS(th)P|，|vGS1||VGS(th)P|，T1截止 vI大于VGS(th)N，T2导通，vO=VOL≈0。 BC段，VGS(th)NvIVDD－|VGS(th)P|，vGS2VGS(th)N、 |vGS1||VGS(th)P|，T1和T2同时导通。T1和T2的参数 对称，内阻完全相等，当vI上升到1/2VDD时，vO下降为1/2VDD 。 电压传输曲线的中点所对应的输入电压称为CM