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硬件支援及系統安裝與維護 記憶體篇 微電腦的基本結構 位址匯流排 (Address Bus)：負責傳送CPU所要存取資料的位址，它可以決定CPU所能處理的記憶體容量，Ｎ條位址線可以擁有2的N次方的記憶空間，而其位址為0至2的N次方來減1。 資料匯流排 (Data Bus)：負責傳送CPU所要存取的資料，其線數的多少代表CPU的字組Word，亦即CPU一次所能存取資料的基本單位，常稱N位元CPU亦就是此CPU有N條資料線。 控制匯流排 (Control Bus)：負責傳送CPU所發出的控制訊號。 記憶體的速度 記憶體的速度是以每筆CPU與記憶體間資料處理所耗費的時間來計算，稱為匯流排循環(bus cycle),以奈秒(ns)為單位。目前SIMM的速度範圍在50奈秒至70奈秒間；而同步型(synchronous)DRAM則擁有不同單位來計算記憶體速度。例如:100MHz，125MHz，133MHz.等 ECC ECC (Error Checking and Correction) 錯誤檢查並更正 記憶體即使再穩定,還是有可能錯,資料錯的時候就會造成當機,或是不正確的計算結果.ECC比同位檢查更複雜,但是能檢核出錯誤並更正,所以常運用在工作站的主機,或是一些高等用途中,相對的價錢就貴得多 Parity和ECC的比較 同位檢查碼(parity check codes)被廣泛地使用在偵錯碼 (error detection codes)上，他們增加一個檢查位元給每個資料的字元(或位元組)，並且能夠偵測到一個字元中所有奇同位的錯誤。在記憶體中，錯誤修正碼(ECC)能夠容許錯誤。一個有ECC的系統，不僅能容許錯誤，並可以將錯誤更正，使系統得以持續正常操作，不致因錯誤而中斷。 CAS Latency(預充電時間) 通常簡稱CL。例如CL=3，表示電腦系統自主記憶體讀取第一筆資料時，所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統的效能並無顯著影響。 RAM, ROM PROM 隨機存取記憶體 (RAM) 這是一種主要的記憶體。當它本身被執行時，RAM 的記憶體可被讀取和寫入。它必須是由穩定流暢的電力來保持它本身的穩定性，所以一旦關掉電源，所有存在RAM 的資料都會流失掉。 唯讀記憶體 (ROM) 電腦必須要有唯讀記憶體才能正常開機， ROM 只能讀資料，無法被寫入。 程式規畫的唯讀記憶體 (PROM) 是一種可存程式的記憶體，它一旦被寫入資料，若有錯誤，是無法改變的，且無法再存其他資料，像ROM一樣PROM 是不易被改變的。 DRAM SRAM 動態隨機存取記憶體 (DRAM; Dynamic Random Access Memory) DRAM 是Dynamic Random Access Memory 的縮寫，通常是電腦內的主記憶體，所謂動態的意義是指記憶體須持續地存取，不然資料會不見。 靜態隨機處理記憶體 (SRAM; Static Random Access Memory) SRAM 是Static Random Access Memory 的縮寫，通常比一般的動態隨機處理記憶體處理速度更快更穩定。所謂靜態的意義是指記憶體資料可以常駐而不須隨時存取。因為此種特性，靜態隨機處理記憶體通常被用來做快取記憶體。 DRAM 型態 FPM (Fast Page Mode) EDO (Extended Data Out) SDRAM (Synchronous DRAM) DDR DDRII DRDRAM FPM (Fast Page Mode) FPM 將記憶體內部隔成許多頁數（Pages），從512 bits 到數 Kilobytes 不等．其特色為不需等到重新讀取時，就可讀取各page內的資料。 EDO (Extended Data Out) 這是Intel在SDRAM還沒普及之前,為了加強記憶體工作的效率而設計的規格.因為EDO的記憶體是32位元的模組,而cpu一次要抓64位元的資料,所以一次要向兩條EDO的模組抓資料.因此,必須以2的倍數的方式插到主機板上,如果插上單數的EDO記憶體模組,有些主機板就不能正常工作了 EDO的讀取速度比FPM快１２到３０倍．因為在每一循環時間（Cycle Time）它可更快延伸資料的有效性。 SDRAM (Synchronous DRAM) Synchronous DRAM是一種新的DRAM架構的技術；它運用晶片內的clock使輸入及輸出能同步進行。所謂clock同步是指記憶體時脈與CPU的時脈能同步存取資料。SDRAM節省執行指令及資料傳輸的時間，故可提升電腦效率。 這是DRAM的加強板.簡單的說