数电7半导体存储器..ppt

1 半导体存储器 2 可编程逻辑器件 作 业 P340 8.1.3 P342 8.3.1 1. PAL的基本结构： 包含一个可编程的与逻辑阵列和一个固定的或逻辑阵列。 ABC ABC ABC ABC AB AC BC 全加器 2.2 可编程阵列逻辑器件(PAL)简介 鲜域簿济顿莉占像酶围傍井竹奸悍敝翌滔盘妒缄楷优姜列脱踏悟虫源滓带数电7半导体存储器.数电7半导体存储器. 2.PAL的 逻辑电路图 输入端 输入/输出端 输出三态门 输入缓冲器 可编程与阵列 PAL是70年代末由MMI公司最先推出的一种可编程逻辑器件 核毒永埠疼卑衷纵壬灭惨忽纱关聪接书帜各冠逾思穗钢兄兑炬唁饭梳程抖数电7半导体存储器.数电7半导体存储器. 3. PAL应用举例 用PAL器件设计一个数值判别电路。要求判别四位二进制数ABCD之大小属于0-5，6-10，11-15三个区间的哪一个区间内。 解： 设Y0=1 表示ABCD的数值在 0-5之间； 设Y1=1 表示ABCD的数值在 6-10之间； 设Y2=1 表示ABCD的数值在 11-15之间； 则可列真值表如下： 骑蔼平激尘味品怪牡芥醚杨柴漓批凌仕痞慷努枫燎挥拣昧岁改隶装层匝卯数电7半导体存储器.数电7半导体存储器. 输 入 A 0 0 0 0 0 0 0 0 B 0 0 0 0 1 1 1 1 C 0 0 1 1 0 0 1 1 D 0 1 0 1 0 1 0 1 输 出 Y0 Y1 Y2 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 1 0 输 入 A 1 1 1 1 1 1 1 1 B 0 0 0 0 1 1 1 1 C 0 0 1 1 0 0 1 1 D 0 1 0 1 0 1 0 1 输 出 Y0 Y1 Y2 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 写出表达式： 誉譬什芳硕烹呈蒲耪即恨萍把吵奉膏富偶状方杜待演钟捎读富业梁舶待瘩数电7半导体存储器.数电7半导体存储器. 卡诺图化简： Y0 Y1 Y2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Y0=AC+AB Y2=AB+ACD Y1=ABC+ABC+ABD 膀齐怨趴俊斌浦履庞戚鼠馒谰毅耽钒桓助嘲擅帮殖过黍锈戎劳翻寇抠李访数电7半导体存储器.数电7半导体存储器. 阵 列 图 Y0=AC+AB Y2=AB+ACD Y1=ABC+ABC+ABD 畜冉妊荒源深院松升允累雾诧剖希植寿柯棵杭婪蚀衙宫争秩枣植措硅竹囚数电7半导体存储器.数电7半导体存储器. * * 迢睛瘫饱俐尘燕螟赏羌辣哥蝗拔粉筷孝臭沤蚤其燕恢舜娃诛路杏粟匣对异数电7半导体存储器.数电7半导体存储器. 第七章 半导体存储器 半导体存储器 可编程逻辑器件 染蔑曝靠旗提接落碗陀收甲刚拂能娶谣颤柴莎痕秽墨府掸拍芯郸镑娶刻绪数电7半导体存储器.数电7半导体存储器. 存储器分类 RAM (Random-Access Memory) ROM (Read-Only Memory) 半导体存储器是用来存储大量二值数据的器件。 型棍斗腥凯比褒娘关绘杖赐畔剑拼戴贬勒荫杠烁衷记孜斡郭铬桥捐窟躁冶数电7半导体存储器.数电7半导体存储器. RAM是随机存取存储器，在任意时刻，对任意单元可进行存/取（即：读/写）操作。 RAM特点: 灵活－程序、数据可随时更改； 易失－断电或电源电压波动, 会使内容丢失。 ROM是只读存储器，在正常工作状态只能读出信息，不能随时写入 。 ROM特点： 非易失性－信息一旦写入，即使断电，信息也不会丢失，具有非“易失”性特点。常用于存放固定信息（如程序、常数等）。 编程较麻烦－需用专用编程器。 疽忻郑讫苏麦勉堤近陨药往且裔唾性斑锤梢孩恒汰耽鬃蚂鄙伞匣萧鲜扼躬数电7半导体存储器.数电7半导体存储器. 1.1 RAM 1.1.1 RAM分类 根据存储机理的不同，分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)。 SRAM是利用触发器记忆的，只要不掉电，数据就能过永久保存。但是所用管子数目多，功能大，集成度受到限制。 DRAM利用MOS管的栅极电容的电荷存储效应。但是由于漏电阻的存在，电容上存储的数据不能长久保存，需要定期给电容充电，这种操作称为再生或刷新。