第5章快速热处理[精选].pptVIP

RTP-500快速热处理设备 5.3 温度均匀性 1).温度测量 准确和可重复的温度测量是RTP工艺的最大困难之一。通常的方法有： 内嵌热电偶测量 通常把热电偶通过点接触方式与加热基片的背面紧帖，但必须对引线阻抗加以修正，并且要考虑加热过程中引线温度增加对温度测量的影响。高温下对硅片接触还可能对硅片造成污染。 b. 高温计非接触式测量 原理：吸收3-6微米波段的红外光的能量，利用Stefan-Boltzman关系转换成辐射温度。优点是无污染，缺点是由于工艺气体的吸收、石英腔的阻挡等测量误差较大、不稳定。 温度分布 温度分布不均匀主要来源于以下方面： 边缘效应 由于边缘散热快，热损失大、以及工艺气体对它的热量传导，造成温度的边缘低、中间高。 材料的辐射率可能因为硅片的掺杂等原因而不同。 实测温度分布 光照射的非均匀性 由于光源的非连续分布，及在工艺腔内漫反射的不完全，使得工艺片上的温度不均匀。 解决的办法主要是：将工艺腔用粗糙化很好的金或铝材完全包封，保证产生良好的漫反射；工艺前仔细检查灯管的发光性能，特别防止在有灯管损坏的情况下工作；在工艺片下放置吸收好、导热好的石墨片，有的甚至完全用石墨盒将圆片包封，来提高温度均匀性。 RTP的温度非均匀性一般在几度，差的可到十几度。 5.4 热塑应力 由于RTP时，在工艺的升高和降低时圆片会产生温度梯度，从而在圆片内产生热塑应力。热应力的存在，可以使片中产生位错和滑移等缺陷。 对各向同性、无位错、忽略垂直方向的温度梯度时，可估算圆片的热应力。由于温度的径向对称性，剪切应力为零。径向应力和角应力分量可用下式计算： 式中，? 是线性热膨胀系数，E是杨氏模量，R为圆片半径。 RTP 的热应力 对一个由快速线性升温、恒温退火、线性降温的典型RTP过程。 稳态时，圆片边缘温度略低于中心温度。因此，径向应力在圆片中心附近有最大值，在边缘处下降为零。切向应力在圆片中心处从零开始增加，通常比径向应力大得多，使缺陷容易在边缘处集结。大部分快速热处理后的圆片，都是在边缘处观察到滑移。 加热瞬态过程中，归一化的应力与圆片位置的关系 归一化半径 屈服强度 屈服强度就是材料发生塑性形变的应力极点。硅的屈服强度可用Haassan公式表示： 式中 和 分别是应变率和参考应变率，后者取10-3/s 屈服强度的准确值取决与圆片中的氧浓度和掺杂浓度，及前工艺。通常A=0.3630Pa，Ea=1.073eV，n=2.45。高应变率下的屈服强度小于60MPa，低应变率下大于3.5MPa。因此圆片在温度瞬变过程中可承受更高的应变。对单区加热RTP系统，温度瞬变过程中产生的应变要比稳态过程产生的应变大得多，多区加热系统该问题较小。 5.5 几种典型的RTP工艺应用 离子注入杂质的快速热激活 特点：1） 用RTP可以使圆片不用达到热平衡状态，就可实现杂质的激活。即：具有电活性的有效掺杂浓度实际上可以超过杂质在衬底中的固溶度限制。As的激活浓度可到其固溶度的10倍，达3?1021/cm3。 2） RTP可以将杂质的扩散降到最低，是浅结制备的常用工艺。 3） 离子注入后的RTA 时杂质有增强扩散现象，激活能比稳态退火时低得多，原因是离子注入过程中产生了相当多的杂质快扩散载体。 4）RTA对有些杂质较难激活注入分布尾部低浓度区的杂质，降低了结深，如BF2；但对B，尾部的增强扩散明显。 B和BF2注入后经过1000℃、30秒退火后的化学杂质剖面分布和具有电活性的杂质剖面分布之间的差别 GaAs 的 RTP GaAs材料的RTP过程中，会发生材料的热分解-As的外扩散。材料表面通常用PECVD方法沉积SiOXN1-X 对它包封。可以使它承受800-900°C的高温。缺点是，退火后，覆盖层可能较难去除，也会由于热膨胀系数的差别而使覆盖层在GaAs内形成滑移。 用石墨完全封闭的退火，可以防止GaAs在RTP退火中的分解。而且，可以提高表面质量，防止颗粒沾污。 通常，还用在待退火的圆片表面压放另一片GaAs片的方法来阻止As的外扩散，而不用另外加覆盖层。 石墨退火盒 介质的快速热加工 2.超薄氧化物的快速热氧化 通常利用RTP可以实现仅百埃的超薄氧化物的生长，在反应腔内通入不同气体，还可完成氮化等加强工艺。 快速热氧化工艺中一个典型的氧化层厚度与时间的关系图 3. 热圆片/冷壁工艺 当反应腔外壁充分冷却，可形成热圆片/冷壁状态，不会造成工艺沾污，可以连续从事氧化、退火、沉积等多种工艺，也可生长多层膜 4. 硅化物及其热接触的形成 在硅上完成金属沉积后，用RTP工艺可快速形成金属硅化物，实现其良好的接触