第一章 电学：电子离子导电[精选].pptVIP

练习题： 一截面为0.6cm2，长为1cm的金属导体样品，设μ=8000cm2/Vs，n=1015cm3，试求该样品的电阻 2.2冷加工和缺陷对电阻率的影响 2.2.1冷加工对电阻率的影响 室温下测得经过相当大的冷加工变形后纯金属（如铁、铜、银、铝)的电阻率，比未经变形的总共只增加2％—6％。 只有金属钨、钼例外，当冷变形量很大时，钨电阻可增加30%---50%，钼增加15％—20％。 一般单相固溶体经加工后，电阻可增加10％—20％。而有序固溶体电阻增加100％，甚至更高。也有相反的情况，镍—鉻，镍—铜—锌等中形成K状态，则冷加工变形将会使合金电阻率降低。 冷加工引起金属电阻率增加，这同晶格畸变（空位、位错）有关。冷加工引起金属晶格畸变也像原子热振动一样，增加电子散射几率；同时也会引起金属晶体原子间距键合的改变，导致原子间距的改变。 2.2.2缺陷对电阻率的影响 空位、间隙原子以及它们组成、位错等晶体缺陷使金属电阻率增加。 根据马西森定律，在极低温度下，纯金属电阻率主要由其内部缺陷（包括杂质原子）决定，即由剩余电阻率?′决定。因此，研究晶体缺陷对估价单晶体结构完整性有重要意义。 掌握这些缺陷对电阻的影响，可以研制具有一定电阻的金属。半导体单晶体的电阻值就是根据这个原则进行人为控制的 。 2.3固溶体的电阻率 当形成固溶体时，合金导电性能降低。即使是在导电性好的金属溶剂中溶入导电性很高的溶质金属时，也是如此。 这是因为在溶剂晶格中溶入溶质原子时，溶剂的晶格发生扭曲畸变，破坏了晶格势场的周期性，从而增加了电子散射几率，电阻率增高。但晶格畸变不是电阻率改变的唯一因素，固溶体电性能尚取决固溶体组元的化学相互作用（能带、电子云分布等）。 库尔纳科夫指出，在连续固溶体中合金成份距组元越远，在二元合金中最大电阻率在50％原子浓度处，而且可能比组元电阻率高几倍。 铁磁性及强顺磁性金属组成的固溶体情况有异常，它的电阻率一般不在50％原子处。 固溶体电阻率? ＝?0＋ ?′＋△ ? ?0表示固溶体溶剂组元的电阻率； ?′为剩余电阻率， ?′＝C △ ?，C是原子杂质含量 △ ?表示1％原子杂质引起的 附加电阻率， △为偏离马西森定律的值 它与温度和溶质有关，随溶质 浓度增加，偏离越严重 实验证明，除过渡族金属外，在 同一溶剂中溶入1%原子溶质金属所 引起的电阻率增加，由溶剂和溶质金属 的价数而定，它的价数差越大，增加的 电阻率越大△ ?＝a+b(△Z)2,a、b是常数 △Z表示低浓度合金溶剂和溶质间的价数差。 此式称为(Norbury－Lide)法则。 3.2 扩散与离子电导 3.2.1 离子扩散机构 离子电导是在电场作用下离子的扩散现象。 离子扩散机构主要有：1、空位扩散；2、间隙扩散；3、亚晶格间隙扩散 空位扩散:金属离子留下的空位作为载流子的扩散运动为代表。 间隙扩散：间隙离子作为载流子的直接扩散，即从某一个间隙位置扩散到另一个间隙位置。一般间隙扩散比空位扩散需要更多的能量，扩散很难进行。 亚晶格间隙扩散：某一间隙离子取代附近的晶格离子，被取代的晶格离子进入晶格间隙，从而产生离子移动。这种扩散运动由于晶格变形小，比较容易产生 3.2.2 能斯脱-爱因斯坦方程 陶瓷材料中，由于载流子离子浓度梯度所形成的电流密度为： J1=﹣Dq×en/e x 小结 1、本征电导即离子、空位等的产生，这尤其是在高温下十分显著；杂质电导杂质离子是弱联系离子，故在较低温度下其电导也表现得很显著。 2、 A、固有电导(本征电导)中晶体的热缺陷主要有两类：弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷，固有电导在高温下才会显著地增大；B、 杂质离子载流子的浓度决定于杂质的数量和种类。低温下，离子晶体的电导主要由杂质载流子浓度决定。 3、离子迁移率正离子顺电场方向，“迁移”容易，反电场方向“迁移”困难。 4、离子电导率离子晶体的电导主要为杂质电导 5、离子扩散机构主要有：1、空位扩散；2、间隙扩散；3、亚晶格间隙扩散 6、影响离子电导率的因素A、温度，在低温下，杂质电导占主要地位(曲线1)，高温下，固有电导起主要作用。 B、晶体结构关键点：活化能大小――决定于晶体间各粒子结合力，C、晶体缺陷 若有杂质也可依照上式写出： N2－杂质离子的浓度 一般N2N1，但B2B1，故有exp(-B2)exp(-B1)这说明杂质电导率要比本径电导率大得多。 所以：离子晶体的电导主要为杂质电导。 ▲? 只有一种载流电导率可表示为： 两边取对数得： 若以lnσ和1/T作图，可绘得一直线，从直线斜率即可求出活化能：W=BK ▲? 有两种载流子时如碱卤晶体，总电导可表示 本征缺陷 杂质缺陷 ▲? 有多种载流子时如碱卤晶体，总电导可表示为 习题： 3.2.3 影响离子电导率的因