数电第2章摘要.ppt

2.1.2 三极管的开关特性 * 设电路原来输出低电平，当电路的某一输入端突然由高电平变为低电平，T1的一个发射结导通，VB1变为1V。由于T2 、T3原来是饱和的，基区中的超量存贮电荷还来不及消散，VB2仍维持1.4V。在这个瞬间，T1为发射结正偏，集电结反偏，工作于放大状态，其基极电流图2－14 多发射极三极管消散T2存储电荷的过程 iB1=(VCC-VB1)/Rb1， 集电极电流 iC1=β1iB1。 这个iC1正好是T2的反向基极电流iB2 ，可将T2的存贮电荷迅速地拉走，促使T2管迅速截止。T2管迅速截止又使T4管迅速导通，而使T3管的集电极电流加大，使T3的超量存贮电荷从集电极消散而达到截止。 * * * * * 再加一些东西 （2）实现电平转换 图2－30 实现电平转换 图2－31 驱动发光二极管 （3）用做驱动器 2．非门 （a）电路 （b）符号 图2－32 TTL非门电路 3．或非门 （a）电路 （b）符号 图2－33 TTL或非门电路 4．三态输出门 （1）三态输出门的结构及工作原理 （a）电路图 （b）EN=0有效的逻辑符号 （c）EN=1有效的逻辑符号 图2－34 三态输出门 当EN = 0时，G输出为1，D1截止，与P端相连的T1的发射结也截止。三态门相当于一个正常的二输入端与非门，输出 　当EN = 1时，G输出为0，即VP = 0.3V，D1导通，VC2=1V，T4、D截止；VB1 =1V，T2 、T3也截止。从 输出端L看进去，对地和对电源都相当于开路，呈现高阻。称这种状态为高阻态，或禁止态。 （2）三态门的应用 （a）单向总线 （b）双向总线 图2-35 三态门组成的总线 当EN为高电平时，G1正常工作，G2为高阻态，输入数据DI经G1反相后送到总线上；当EN为低电平时，G2正常工作，G1为高阻态，总线上的数据DO经G2反相后输出 实现信号的分时传送 （a）电路 （b）符号 图2－36 TTL与或非门电路 5．与或非门 1.74系列---标准TTL系列，属中速TTL器件，其平 均传输延迟时间 约为10ns，平均功耗约为10mW／ 每门。 2.2.6 TTL集成逻辑门电路系列简介 2.74L系列----为低功耗TTL系列，又称LTTL系列。用增加电阻阻值的方法将电路的平均功耗降低为1 mW／每门，但平均传输延迟时间较长，约为33ns。 3.74H系列----为高速TTL系列，又称HTTL系列。与74标准系列相比，电路结构上主要作了两点改进：一是输出级采用了达林顿结构；二是大幅度地降低了电路中的电阻的阻值。从而提高了工作速度和负载能力，但电路的平均功耗增加了。该系列的平均传输延迟时间为6ns，平均功耗约为22mW／每门。 4．74S系列----为 肖特基TTL系列，又 称STTL系列 图2-37 74S00与非门的电路 （3）用T6、Rb6、RC6组成的“有源泄放电路”代替了原来的Re2 （1）输出级采用了达林顿结构，T4、T5组成复合管电路，降低了输出高电平时的输出电阻，有利于提高速度，也提高了负载能力。 （2）采用了抗饱和三 极管 采取一系列措施，延迟时间缩短为3ns，但电路的平均功耗较大，约为19mw/门 （a）电路结构 （b）符号 图2-38 抗饱和三极管 抗饱和三极管 用T6、Rb6、RC6组成的“有源泄放电路”代替了原来的Re2 图2-37 74S00与非门的电路 导通压降有0.3V—0.4V 5．74LS系列。 6．74AS系列 7．74ALS系列 为低功耗肖特基系列，又称LSTTL系列。电路中采用了抗饱和三极管和专门的肖特基二极管来提高工作速度。是传输延迟时间和功耗积最小的一个 。平均延迟时间为9ns,平均功耗为2mw/门 为先进的肖特基系列，是74S系列的后继产品 为先进低功耗肖特基系列，是74LS的后继产品 多余输入端的处理 图2-55 与非门多余输入端的处理 图2-56 或非门多余输入端的处理 （1）对于与非门及与门，多余输入端应接高电平 （2）对于或非门及或门，多余输入端应接低电平， 比如直接接地 2.3 MOS门电路 MOS管的结构 S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底 金属层 氧化物层 半导体层 PN结 （a）电路 （b）简化电路 （c