- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
双极静电感应晶体管(BSIT)
——目前电子节能灯的最佳用管
BSIT是双极静电感应晶体管的英文缩写,是静电感应晶体管(SIT)家族中的重要成员。SIT是由日本的西泽润一教授发明的一类性能介于双极晶体管和场效应晶体管之间的新型器件,具有高频,高速,高耐压,大电流,无二次击穿,负温度系数等许多优点,是电力电子行业中应用的重要器件。BSIT是常关型的静电感应晶体管,从理论上说,它即有双极晶体管的导通电阻(饱和压降)小,电流容量大,高耐压的优点又有场效应晶体管高频、高速、无热二次击穿、负温度系数的优点,是一种具有场控器件优点的新型电流控制型器件。
我们知道,晶体管在电子节能灯中作为振荡和功率开关器件,其性能和质量的好坏对电子节能灯的寿命有着决定性的影响,同时也是该产品成本的重要组成部分。根据我们的试验和研究,有以下几点看法:
1、 电子节能灯是一种高温工作的民用产品,有时使用的温度环境十分恶劣,因此特别需要具有良好高温性能的器件。双极晶体管具有正的温度系数,其电流放大倍数随着温度的升高而增大,如果不留有较大的余量,很容易造成恶性循环而产生热击穿。而BSIT和场效应晶体管的放大倍数具有负温度系数,即在高温段,它们的放大倍数随着温度的升高而变小,有一种自我平衡的能力,非常合适在高温下工作。我们做过这样的试验,取电子节能灯在常温下工作时,BSIT壳温比双极晶体管高的产品进行高温对比,在密闭容器中用60W白炽灯加热,用双极晶体管的灯失效后(晶体管失效),继续给用BSIT的灯加热直到灯灭,经检查是线路板焊锡熔化,BSIT产品仍然完好,充分显示了其高温工作稳定可靠的优点。
2、 电子节能灯是一种节能并在较高频率下工作的民用产品,在该频率段,对器件而言,器件的损耗基本是交流和直流各占一半,因此既需要快的开关速度也需要低的导通压降(小的导通电阻)。双极晶体管虽然有低的导通压降,但难以得到快的开关速度,会产生较大的交流损耗。而对于场效应晶体管,虽然有快的开关速度,由于导通电阻大,会产生较大的直流损耗。BSIT产
品恰恰同时满足了这两个要求,因此,损耗小,符合节能的要求。
3、 电子节能灯是一种生产量很大、家庭广泛使用的民用产品。因此需要产品本身价廉物美,所以其使用的器件也必须物美价廉,便于加工。我们知道,MOS晶体管是高输入阻抗器件,不能用于电流放大,而且安装需要很好的防静电措施,同时价格也比较贵;双极晶体管虽然价格便宜,但可靠性特别是高温可靠性比较差,使用时往往需要留有较大的余量,价格自然也要上去;而BSIT产品因为性能原因,使其能够在同样情况下,承受更大的功率,所以相对性能价格比要比前两类产品高,产品质量的可靠性也好,同时它是电流控制型器件,可以在现在大量应用的电子节能灯线路中进行简单调整后直接使用,因此操作也方便。
鉴于上述原因,我们认为:BSIT产品是目前电子节能灯的最佳用管。
本公司科研人员很早就开始研制BSIT器件,深入研究了此类器件的机理和特点,根据电子节能灯对器件的要求,将其一些相关特点进行合理组合,按需选择,采用了特殊的结构设计,保持了负温度系数的重要特点;选择了适当的开关速度,适当的特征频率,一定的二次击穿耐量,改善了大电流性能,提高了击穿特性;我们采用了平面分压环终端设计,使常温和高温漏电流大幅度下降。几年来,我们逐步完善了对生产线设备的选择和配备。使BSIT的系列产品能够在我公司的生产线上进行高质量、高成品率的大生产。生产过程中,我们采用了先进的离子注入工艺,精密控制器件的工艺参数,保证了产品电参数的一致性和均匀性;采用优良的钝化技术,保证了产品电参数的稳定性;引进的背面蒸发工艺,保证了产品抗热疲劳的能力等等;我公司严格、完善的质量保证体系,更是充分保证了产品的可靠性。
SIT和BSIT的基本工作原理介绍
SIT从器件结构上来说,非常接近JFET(结型场效应晶体管),但它们最根本的差别是SIT的沟道要比JFET短的多,而且沟道中存在多子势垒,是在理想情况下达到短基极化、短沟道化极限的器件。沟道多子势垒形成的基本条件是:只依靠栅源PN结的自建电场就能把沟道充分夹断。图1和图2是SIT的基本工作原理图。(a)(b)是n型SIT,在VD=0时,两个P+栅区相距非常近,以致栅PN结势垒区能够充分交叠,形成多子势垒。(c)和(d)是VD>0 时PN结势垒区和电子势能的分布。
图2、静电感应晶体管沟道中电子势能的二维分布示意图
实际上SIT沟道中电子势能的分布是二维的,图2(a)和(b)分别是二维变化示意图和垂直于沟道长度方向的断面上电子势能的分布图。SIT沟道中电子势垒的高度,既受栅源电压控制,也受漏源电压控制,并且与栅区间距密切相关。图3是漏源电压对势垒影响的示意图(数值分析结果)。其中(a)
您可能关注的文档
最近下载
- 综合与实践 最短路径问题(课件)2025-2026学年度人教版数学八年级上册.pptx VIP
- 导数解题大招--- 双变量问题之齐次换元(解析版).docx VIP
- 医疗风险管理培训试题及答案.docx
- 精品解析:江苏省南京市鼓楼区2023-2024学年八年级上学期期中英语试卷 (原卷版).docx VIP
- 2025年贵州省医疗结构化面试黄金50题及答案.docx VIP
- 办公楼装修工程项目管理方案.docx VIP
- 王乐夫-蔡立辉-公共管理学-笔记重点资料整理.pdf VIP
- 蝶阀专用法兰..doc VIP
- 公路工程标准施工招标文件 2018年版(完整版).doc VIP
- 大学英语视听说3 大纲.pdf VIP
原创力文档


文档评论(0)