实验二十六硼扩散工艺实验.docVIP

实验四 金属/半导体接触特性分析 实验名称：金属/半导体接触特性分析 实验项目性质： 综合训练 所涉及课程：半导体物理，微电子器件物理，半导体材料，微电子器件工艺 计划学时：3学时 一、实验目的 加深对金属/半导体接触的表面势垒的认识； 掌握整流接触和欧姆接触的特性； 学会分析金属/半导体接触是整流接触还是欧姆接触。 二、实验原理 金属-半导体接触在所有的固态器件中都起着非常重要的作用。处于欧姆接触形式的金属-半导体接触是半导体和外界连接的关键，而整流接触在许多器件结构中都有应用，并且它自身就是一个重要的器件-肖特基二极管。 1．金属和半导体的接触势垒 真空能级E0:电子完全脱离材料本身的束缚所需的最小能量 功函数：从费米能级到真空能级的能量 电子亲和势：真空能级到价带底的能量差 金属的功函数： 半导体的亲和势： 半导体的功函数： 如下图所示 图1 金属和半导体的能带图 不同金属具有不同功函数，(M的数值范围可以从3.66eV(镁) 到5.15eV(镍)，例如，铝的功函数4.32eV, 钛的功函数3.98eV, 钽的功函数4.10eV。对于一定的半导体材料亲和势(是一个恒定的基本参数，Si, Ge, GaAs的亲和势分别为4.03eV, 4.0eV, 4.07eV, 但半导体的功函数随掺杂浓度的不同而改变.金属和半导体接触后形成的表面势垒的情况可以概括如下： (M(S (M(S （a）整流接触 (b) 欧姆接触 图2 金属和n型半导体之间理想的MS接触能带图 (M(S (M(S （a）整流接触 (b) 欧姆接触 图3 金属和p型半导体之间理想的MS接触能带图 2．外加电压对两种MS结构的影响 以金属与n型半导体的接触为例分析。 金属一边的势垒不随外加电压而变，半导体一边，加正偏，势垒降低，反偏势垒变高。 对于(M(S： 正偏，半导体势垒高度变低，电子从半导体注入金属，形成净电流I，I 随VA 的增加而增加。 反偏：半导体势垒升高，阻止电子从半导体向金属流动，金属中的一些电子能越过势垒向半导体中运动，但这一反向电流很小。 结论： (M(S时，理想的MS接触类似于pn结二极管、具有整流特性 对于(M(S： 正偏： 电子从半导体流向金属没有遇到势垒，VA0, 就会有很大 的正向电流 反偏：电子从金属流向半导体会遇到小的势垒，反偏电压VA大于 零点几伏，势垒就会变为0，再相对较小的反偏电压下，会有很大的电流。且电流不饱和 结论(M(S形成欧姆接触 三、实验内容 在n型Si上分别制备金属Al,Ti,Ta膜（不同小组可镀不同的金属薄膜） 在真空中550(C退火15分钟 用晶体管特性图示仪测量正向和反向的I-V特性曲线，根据I-V特性分析Al/Si,Ti/Si,Ta/Si的接触属于欧姆接触还是整流接触 四、实验（设计）仪器设备和材料清单 磁控溅射镀膜机，真空烧结炉，晶体管特性图示仪，硅片，酒精，丙酮，去离子水，铝靶，钛靶，钽靶，氩气等 五、实验内容与实验步骤： 1、硅片清洗 （1）用去离子水超声清洗5-7分钟 （2）用丙酮超声清洗5-7分钟 （3）用酒精超声清洗5-7分钟 2．在n型Si衬底上制备金属Ti（或Al,Ta膜,不同组制备不同的金属薄膜） （1）将清洗干净的硅片装入磁控溅射镀膜设备的反应室 （2）对反应室进行抽真空，先打开“机械泵”和“V4”阀进行预抽真空； 当反应室内真空度低于30帕后，关闭“V4阀”，打开“电磁阀”，打开“分子泵”和“闸板阀G”，抽高真空，直到达到实验所需的真空度如 3(10-3Pa为止。 （3）打开开“V1”阀，打开质量流量计，打开气瓶阀，通入溅射气体Ar气，调节“闸板阀G”的通道宽度，使真空室的压力稳定在3~5Pa （4）打开直流溅射电源，顺时针调节直流电源的“功率微调”旋纽,直至起辉, 1分钟后旋开挡板，镀金属膜。 （5）取样，关机 3．在真空中550(C退火15分钟 把上面做好的样品装入真空退火炉中，抽真空，加热温度设定在550(C，恒温保持15分钟，然后降温，等温度降到100(C以下，取出样品。 4．用晶体管特性图示仪测量Al/Si，Ti/Si,Ta/Si的正向和反向I-V特性曲线并记录，根据I-V特性曲线分析Al/Si,Ti/Si,Ta/S