微电子材料与制程---材料分析技术在积体电路制程中的应用..doc

微電子材料與制程【第十一章 材料分析技術在積體電路製程中的應用】 11-1 簡介 芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QAgf k!H ~]7g??H? ? ? ? _(p)R | JfS? ?? ???在現今的微電子材料研究中，各式各樣的分析儀器通常被用來協助技術開發 (Technology Developement)、製程監控 (Process Monitoring)、故障分析 (Failure Analysis)、和進行產品功能異常偵錯 (Products Debug) 等研究 (請見圖11-1-1)；本章將簡要敘述各種分析儀器的工作原理、解析度、和偵測極限，並以典型的實例來說明這些分析技術在半導體元件製造中的應用。 [attach]208762[/attach]/n%Bo\bS4U:X
Nuq A!]r6B? ?? ???有關微電子材料的分析技術可以概分為結構分析(物性)與成份分析(化性)兩大類，常見的儀器計有光學顯微鏡 (Optical Microscope, OM)，掃描式電子顯微鏡 (Scanning Electron Microscope, SEM)，X光能譜分析儀 (X-ray Spectrometry)，穿透式電子顯微鏡 (Transmission Electron Microscope, TEM)，聚焦式離子束顯微鏡 (Focused Ion beam, FIB)，X光繞射分析儀 (X-ray Diffractometer, XRD)，掃描式歐傑電子顯微鏡 (Scanning Auger Microscope, SAM)，二次離子質譜儀 (Secondary ion Mass Spectrometry, SIMS)，展阻量測分析儀 (Spreading Resistance Profiling, SRP)，拉塞福背向散射質譜儀 (Rutherford Backscattering Spectrometry, RBS)，和全反射式 X-光螢光分析儀 (Total Reflection X-ray Fluorescence, TXRF)等十幾種之多，請見圖11-1-2。[attach]208763[/attach] 芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA/@.[Q7G[\kvY k9T)c? ?? ???目前在IC工業中，無論是生產線或一般的分析實驗室中，幾乎隨處可見到光學顯微鏡，然而對各類的 IC 元件結構觀察或日常的製程監控，最普遍的分析工具仍是掃描式電子顯微鏡；近幾年來，由於元件尺寸微小化 (Device Miniaturization) 的趨勢已步入深次微米 (Deep Sub-Micron) 的世代，許多材料微細結構的觀察都需要高解析度 (Resolution)的影像品質，穿透式電子顯微鏡的重要度自然日益提高；但是在進行元件故障或製程異常分析時，往往需要定點觀察或切割局部橫截面結構，以便確認異常發生的時機或探討故障的真因，因此聚焦式離子束顯微鏡 (Focused Ion Beam, FIB) 應運而生，這項分析技術近五年來蓬勃發展，提供了定點切割技術 (Precisional Cutting)、自動導航定位系統 (Auto Navigation System)、和立即蒸鍍和蝕刻 (In-Situ Deposition and Etching) 等功能，大大的滿足了各類定點觀察的需求，同時也帶來了其它像線路修補 (Circuit Repair)、佈局驗證 (Layout Verification) 等多樣化的功能，使得各類分析的進行減少了試片製備的困擾，同時對定點分析的能力可提升到 0.1 um 以下的水準。 芯片,设计,版图,芯片制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,process,layout,package,FA,QASQ0w-{ HAhO4bm1el:y;ns+|b4t6F,^? ?? ???在成份分析方面，附加在掃描式電子顯微鏡上的 X光能譜分析儀，當然是最簡便的化學元素分析儀器，其使用率一直也是所有元素分析儀器當中最高的；然而因為有限的偵測濃度和可偵測的元素範圍，對微量的成份或表面污染，需借重二次離子質譜儀或全反射式 X光螢光分析儀，而對縱深方向 (Depth Profiling) 的元素分布，則需利用拉塞福背