低 温 霍 尔 效 应.docVIP

物理专业实验 低 温 霍 尔 效 应 对通电的导体或半导体施加一与电流方向相互垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现。这个现象与1879年为物理学家霍尔（E.H.Hall）所发现，故称为霍尔效应。利用霍尔效应，可以确定半导体的导电类型和载流子浓度。如果进一步测量霍尔系数随温度的变化，还可以确定半导体的禁带宽度、杂质的电离能及迁移率的温度特性等。所以，霍尔效应实验是研究半导体材料电学性能的重要方法，根据霍尔效应的原理还可以制成霍尔器件，用于测量磁场和功率等，在自动控制和信息处理等方面有广泛的用途。 通过本实验应掌握霍尔效应的原理、霍尔系数的测量方法，了解霍尔器件的应用，并进一步理解半导体的导电机制。 实验原理 半导体内的载流子。根据半导体导电理论，半导体内载流子的产生有两种不同的机构：本征激发和杂质电离。 （1）本征激发。半导体材料内共价键上的电子有可能受热激发后跃迁到导带上，在原共价键上却留下一个电子缺位——空穴，这个空穴很容易受到邻键上的电子跳过来填补而转移到邻键上。因此，半导体内存在参与导电的两种载流子：电子和空穴。这种不受外来杂质的影响由半导体本身靠热激发产生电子—空穴的过程，称为本征激发。显然，导带上每产生一个电子，价带上必然留下一个空穴。因此，由本征激发的电子浓度n和空穴浓度p应相等，并统称为本征浓度ni,由经典的波尔兹曼统计可得 ni,= n = p = ( Nc Nv)1/2exp(-Eg∕2KT) = K’T3/2exp(-Eg∕2KT). (1) 式中Nc, Nv 分别为导带、价带有效状态密度，K’为常数，T为温度，Eg为禁带宽度，K为波尔兹曼常量. (2) 杂质电离。在纯净的第Ⅳ族元素半导体材料中，掺入微量Ⅲ或Ⅴ族元素杂质，成为半导体掺杂。掺杂后的半导体在室温下的导电性能主要由浅杂质决定。 如果在硅材料中掺入微量Ⅲ族元素（如硼或铝等），这些第Ⅲ 族原子在晶体中取代部分硅原子位置，与周围硅原子组成共价键时，从邻近硅原子价键上夺取一个电子成为负离子，而在邻近失去一个电子的硅原子价键上产生一个空穴。这样满带中的电子就激发到禁带中的杂质能级上，使硼原子电离称硼离子，而在满带中留下空穴参与导电，这种过程称为杂质电离。产生一个空穴所需的能量称为杂质电离能。这样的杂质叫做受主杂质，由受主杂质电离而提供空穴导电为主的半导体材料称为p型半导体。当温度较高时，浅受主杂质几乎完全电离，这时价带中的空穴浓度接近受主杂质浓度。 同理，在Ⅳ族元素半导体（如硅、锗等）中，掺入微量Ⅴ族元素，例如磷、砷等，那么杂质原子与硅原子形成共价键时，多余的一个价电子制受到磷离子p+的微弱束缚，在室温下这个电子可以脱离束缚使磷原子成为正离子，并向半导体提供一个自由电子。通常把这种向半导体提供一个自由电子而本身成为正离子的杂质称为施主杂质，以施主杂质电离提供电子导电为主的半导体材料叫做n型半导体。 2、霍尔效应。一矩形载流的半导体材料，如果在垂直的方向上施加一磁场B(如图1所示)，结果在半导体内与电流和磁场相互垂直的方向上，产生一横向电位差V H,这种现象称为霍尔效应，V H称为霍尔电压。 （1）一种载流子导电的霍尔系数。假设一块厚为a宽为d的n型（电子型）半导体样品，如图1所示。沿x方向的电流密度为jx,B沿z方向，以平均漂移速度v沿垂直于B的- x方向运动的载流子，受到洛伦兹力FL = q ( v × B )的作用。向- y方向偏转，则载流子在边界侧沿y轴方向渐渐积累而建立起一电场EH，对载流子受洛伦兹力的偏转产生一阻力FB = qEH。直到与洛伦兹力相平衡为止，即 q ( v × B )=qEH, (2) 上式用标量表示为 EH = vBz。 （3） 由此可知，合成电场E=Ex + EH 与x轴构成一夹角θ，称为霍尔角。考虑到n型半导体中多数载流子是带负电荷的电子，则有q= - e (其中e =1.6×10-19C)是电子电荷。因此n型半导体多数载流子的平均漂移速度 式中n为导带电子浓度。因此，霍尔电压 VH = EHd = RIxBz∕a , (5) 式中a为样品厚度，R为霍尔系数， R = -1∕ne . (6) 同理对于p型半导体样品（空穴型）考虑到多数载流子是带正电的空穴，对式（4）以（e）替换（-e）同样得到式（5）的形式，但p型的霍尔系数R应为 R = 1∕pe , (7) 式中p为价带空穴浓度。由式（6.4.5）