物理电子学实验_jia试题.doc

物理电子学基础实验二 现代半导体光电子器件与工艺 实验一 反应离子刻蚀工艺及其半导体激光器工艺应用 一、实验目的 了解反应离子刻蚀过程的物理原理与系统结构； 了解半导体异质结激光器的基本结构、物理原理； 熟悉半导体光电子器件的制作工艺过程。 实验原理 反应离子刻蚀过程的物理原理与系统结构 刻蚀工艺的目的是将光刻形成的光刻胶掩膜图案转移到晶片的表面，通过对光刻胶暴露区域的化学溶液腐蚀或者真空环境活性离子刻蚀实现表层结构被去除。 半导体异质结激光器的基本结构、物理原理 激光器至少包括三个部分： （1）增益介质，通过受激辐射的方式产生光放大 （2）泵浦源，可以使增益介质中产生粒子数反转 （3）两个镜面构成谐振腔，使光限制在其中并不断的反复行进 三、实验过程 形成P型电极绝缘层，沉积150nm的SiO2（实验前完成）。 化学腐蚀背面（露出新鲜表面），制作N型电极，电子书蒸发Ti/Au电极（200nm）（实验前完成）。 光刻P型电极沟道，形成沟道光刻掩膜（实验前完成）。 使用台阶仪测量光刻胶掩膜的厚度。 完成SiO2掩膜的干法刻蚀，去胶清洗。 台阶仪下测量带有光刻胶掩膜的厚度 RIE干法刻蚀 A)打开真空计 B)开腔，放入样片 C)光强，抽真空到设定真空度 D)关闭真空计 E)通入反映气体，设定流量和气压 F)启开射频功率，开始刻蚀，记录气体流量、反应气压、射频功率条件 G)预定时间后，停止射频功率 H)开压力控制，通入氮气，抽气到0Pa一下，再通入氮气，打开真空计 I)开腔，取出样片 J)关闭氮气，清洗管道 注：RIE设备的重点在于不能使抽真空的分子泵接触空气。 台阶仪下测量光刻胶+SiO2的厚度。 丙酮水浴5分钟，用棉球沿着条纹擦除光刻胶。 使用显微镜观察刻蚀区域和非刻蚀区域的颜色。 使用台阶仪测量刻蚀的SiO2掩膜的厚度。 P型电极制作 解理样片，露出新鲜的端面结构，构成谐振腔 测试芯片的发光过程 四、实验数据记录 工艺条件 RIE刻蚀真空度：1.8*10^(-3)Pa 注：小于2.0*10^(-3)Pa即可 气体流量：50cm^3/s 气体种类：SF6 反应气压：5Pa 射频功率：100W 反应时间：6 min 电极宽度：20um 厚度测量数据 带有光刻胶掩膜的厚度：1308.56nm 光刻胶+SiO2掩膜的厚度：987.46nm SiO2掩膜的厚度：230.00nm 3、计算刻蚀速率 刻蚀后光刻胶的厚度：987.46-230.00=757.46nm 被刻蚀的光刻胶厚度：1308.56-757.46=551.10nm 光刻胶刻蚀速率：551.10/360=1.53nm/s SiO2刻蚀速率：230.00/360=0.64nm/s 4、刻蚀图示 五、思考题 刻蚀工艺的参数主要包含哪些？请简要说明刻蚀选择比、刻蚀剖面等参数对于器件性能的影响。 参数主要包括刻蚀表面粗糙度、刻蚀速度、刻蚀选择比、掩膜选择性、刻蚀液浓度、刻蚀温度、过刻量等因素。 如果刻蚀选择比过大，可能会刻蚀二氧化硅，难以形成表面平整的刻蚀表面，也难以实现垂直的侧壁，不易形成良好的谐振腔。如果刻蚀选择比过小，难以清除二氧化硅上的光刻胶。 刻蚀表面粗糙度影响刻蚀表面性能，刻蚀剖面指刻蚀的截面形状。刻蚀时要求刻蚀表面平整、侧壁垂直，这样可以形成良好谐振腔，便于激光器的制造。 2、实验过程中，如何才能判断SiO2掩膜是否刻蚀干净？如何判断光刻胶是否去除干净？ 使用显微镜观察。 中间沟道的颜色由红色完全变为黑色，说明二氧化硅已经刻蚀干净。 在显微镜下观察刻蚀区域为白色，沟道两边非刻蚀区域为粉红色，说明光刻胶已经去除干净。 湿法刻蚀和干法刻蚀分别有什么优缺点？反应离子刻蚀的效果与那些因素有关？反应离子刻蚀是否容易实现垂直的侧壁？为什么？ 湿法刻蚀的优点光滑、无应变方便有优势重复性好、生产效率高、设备简单、成本低缺点是各向异性好垂直对控制容易，选择比高，可控性、灵活性、重复性好缺点是成本高，设备复杂刻蚀面的侧面有很多条纹（筋），并残留若干点阵畸变层。 2、功能薄膜制备方法的分类 3、电子束蒸发的原理 4、晶体振荡器膜厚监控原理 5、功能薄膜特性测量方法 6、合金化原理 7、半导体激光器的解理 8、半导体激光器性能的评测 三、实验过程 在操作之前，首先应使用四氯化碳仔细清洗晶片。 利用电子束蒸发设备制备Ti/Au电极。 首先对设备进行抽真空，当真空度为4*10^(-4)~5*10^(-4)Pa时，开始进行镀膜。 先镀20nmTi膜，1