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晶体三极管（简称三极管或晶体管） 概述 三极管是电子技术中最核心的器件。发明三极管的人1956年得到诺贝尔奖 结构：由两个背靠背的PN结组成，分NPN型和PNP型 无论是NPN型或是PNP型的三极管,它们均包含三个区: 发射区、基区和集电区, 并相应地引出三个电极：发射极（E)、基极(B)和集电极(C)。同时,在三个区的两两交界处, 形成两个PN结, 分别称为发射结和集电结。三极管经常竖起来画。 箭头方向：发射结正偏时实际电流流向，P→N 结构特点： 发射区掺杂浓，基区、集电区掺杂稀，是N+PN或P+NP。 基区很薄（μm），用两个二极管不能接成一个三极管。 2、三极管外观 3、用万用表判别三极管的引脚、类型和材料（不要求，有兴趣的自己看） 数字万用表应打到档，打到档时，万用表的实质测量电路如图。 即让约为1mA 的恒定电流流过被测器件，表头的读数即为被测器件上的电压降，当该电压超过2V时，表头显示超量程（溢出），4位半表显示为闪烁，3位半表显示“1”。内部恒流源的开路端电压约为2.8V（3位半表），红表笔接电源正极，黑表笔接电源负极。显然当被测器件电阻值很大或开路时，表头显示超量程（溢出） 对NPN管，当红笔接B，黑笔分别接E、C时表头有读数，如是Si管约为600～700mV , 如是Ge管约为200～300mV ;对PNP管，则当黑笔接B，红笔分别接E、C时表头有读数。其他情况都有一个PN结是反向的，所以读数都是“溢出”。 所以如果当用红笔碰某一脚，黑笔碰其它两脚时，都有读数，则红笔碰的那脚就是B极，而且该管是NPN型；如果当用黑笔碰某一脚，红笔碰其它两脚时，都有读数，则黑笔碰的那脚就是B极，而且该管是PNP型。 下面讲如何判别E极和C极。由于E区比C区掺杂浓，所以E区的少子浓度小，E结的小。正向导通时根据，当同样都是1mA 时，显然E结上的压降，也就是表头的读数应比较大。 例：当用3位半数字万用表的档测量一个三极管的三个引脚1、2、3时，读数如下表。其中∞表示溢出。 读 数 红 笔 1 2 3 黑 笔 1 0 590 592 2 ∞ 0 ∞ 3 ∞ ∞ 0 请判断引脚1、2、3各是什么极？该三极管NPN还是 PNP型？是硅管还是锗管？ 答：1（B），2（C），3（E）；PNP型；硅管 2-1放大模式下晶体三极管的工作原理 根据三极管两个结所加的偏置不同，三极管有四种工作模式（或工作状态，或工作区）： 放大、饱和、截止、反向工作 放大状态：发射结正偏，集电结反偏 （饱和状态：发射结正偏，集电结正偏；截止状态：发射结反偏，集电结反偏； 反向工作状态：发射结反偏，集电结正偏） 三极管最主要的性质就是在放大状态下时具有放大信号的作用。之所以会放大就是当三极管工作在放大状态下时具有正向控制作用，即：集电极电流只受发射结正向电压的控制，而几乎不受集电结反向电压的控制。 一、晶体管内部载流子传输过程 发射区向基区注入电子 由于发射结正偏，则E区自由电子（多子）扩散（注入）到B区形成电流IEn，同时B区空穴也注入到E区形成电流IEp。由于是N+P，∴IEnIEp。 注入的电子在基区边扩散边复合 由E区注入到B区自由电子小部分在B区和空穴复合形成IBp，大部分继续扩散到集电结边沿。 集电区收集扩散来的电子和集电结两边少子的漂移 集电结加的是较大的反向电压，在该反向电压作用下，扩散到集电结边沿的自由电子全部被拉到集电极，形成电流ICn1。同时，在该电压作用下，B区的少子自由电子和C区的少子空穴分别漂移到对方形成电流ICn1和ICp。它们的和就为集电结反向饱和电流ICBO。 几个电流关系： IE = IEn+ IEp (主要是IEn） IB = IEp + IBp - ICBO (主要是IBp ） IC= ICn1 + ICBO (主要是ICn1 ) IB + IC= IEp + IBp - ICBO+ ICn1 + ICBO= IEp+ IEn= IE 把三极管当作一个结点，必然有上述关系。 这么多电流中ICn1 是有用的。它只受发射结正向电压的控制，不受集电结反向电压的控制。其它电流都是无用的，尤其要减小IEp 和IBp。∴发射结应是N+P，基区掺杂稀而且很薄。 希望IC / IE尽量大（接近1） 说明： 两种载流子都参与导电，∴叫双极型晶体管（BJT） 不管是NPN还是PNP管，要使晶体管处于放大区，外部提供的条件都是“发射结正偏，集电结反偏”，只是两者外加的电压极性相反，管内实际电流方向相反。 NPN：