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* 《模拟电子技术》 重庆工学院电子学院 3 . 3 半导体二极管 3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 (1) 点接触型二极管 点接触型二极管结构示意图 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 （a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 （c）代表符号 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 3.3.2 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 3.3.3 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF (5) 极间电容Cd（CB、 CD ） —— 二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向整流电流的平均值。 ——在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 ——在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 ——是反映二极管中PN结电容效应的参数，Cd=CB+CD。在高频或开关状态应用时，必须考虑级间电容的影响。 (6) 反向恢复时间TRR —— 由于PN结电容的存在，当二极管外加电压极性翻转时，其原工作状态不能在瞬间完全随之变化。 * 《模拟电子技术》 重庆工学院电子学院
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