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微电子制造工艺文件
项目名称: 三极管(NPN型)制造工艺文件
项目编号:
团队负责人: 谢威
团队成员:金腾飞、崔仕杰、朱二梦
刘铭冬、姚启、周涛
指导教师: 陈 邦 琼
文件页数: 55 页
201 6 年 9 月 23 日
工艺文件目录
编 号 名称 编者 1 引言 朱二梦 2 三极管(NPN)示意图 刘铭冬 3 制造工艺流程 朱二梦 4 工艺参数设计 金腾飞 5 制作过程 崔仕杰 6 三极管管芯制造工艺 姚启 7 作业指导书 谢威 8 光刻(模板图) 周涛 9 总结 朱二梦 备注 参考文献
引言
电子工业在过去40年间迅速增长,这一增长一直为微电子学革命所驱动。从20世纪40年代晶体管发明开始,半导体器件工艺技术的发展经历了三个主要阶段:1950第一次生产出了实用化的合金结三极管;1955年扩散技术的采用是半导体器件制造技术的重大发展,为制造高频器件开辟了新途径;1960年由扩散、氧化、光刻组成的平面工艺的出现是半导体器件制造技术的重大变革,大幅度地提高了器件的频率、功率特性,极大地改善了器件的稳定性和可靠性。在这期间每项变革对的生产、生活方式产生了重大的影响。也正是由于微电子技术领域的不断创新,才能使微电子能够以每三年集成度翻两番、特征尺寸缩小倍的速度持续发展几十年。
单位名称 第3组 项目名称:三极管管芯制造工艺 制造三极管的生产工艺文件 工艺名称 晶体管工艺参数设计
工艺文件编号: 所需设 备清单
工
艺
步
骤 工艺内容 相关标准
硅片的衬底电阻率为3-6·CM,查表一得所对应的Nc=厘米-3。
设B、E区都为均匀掺杂。设: =厘米-3,= 厘米-3,=1.3um.
采用浅基区近似,则
可写为:
其中: =340/130=2.6(由表一查得),
==0.19(由图二查得)
代入各数据求得, β=55时,WB =1.12um.
故设计的NPN型晶体管的各数据为:
= 厘米-3,=厘米-3,=1..25um, Wb =1.12um。
工艺设计者: 崔仕杰 批准人: 谢威
设计日期:201 6 年 9 月 29 日
指导教师: 陈邦琼
单位名称 第3组 项目名称:三极管管芯制造工艺 制造三极管的生产工艺文件 工艺名称 晶体管制工艺参数设计
工艺文件编号: 所需设 备清单
工
艺
步
骤 工艺内容 相关标准 在半导体晶圆中应用扩散工艺形成结需要两步:
第一步称为预沉积;
第二步称为再分布或推进氧化,两步都是在水平或者垂直的炉管中进行的.
在预沉积的过程中,要受到以下几个因素的制约:
⑴。杂质的扩散率;
⑵杂志在晶圆材料中的最大固溶度。
工艺设计者: 崔仕杰 批准人: 谢威
设计日期:201 6 年 9 月 29 日
指导教师: 陈邦琼
单位名称 第3组 项目名称:三极管管芯制造工艺 制造三极管的生产工艺文件 工艺名称 晶体管制工艺参数设计 工艺文件编号: 所需设 备清单
工
艺
步
骤 工艺内容 相关标准 a.衬底氧化:
采用干氧——湿氧——干氧的步骤进行氧化
湿氧30min,确定干氧1100℃生成0.5氧化层所需时间t=1.1min后就可以确定湿氧总时间为30min+1.1min,由图OX-2查得tox=0.4。
干氧10min:确定1100℃干氧生长0.4厚度氧化层需900min,910min所对应的几乎没有变化。
所以最终生成7000埃氧化层
工艺设计者: 崔仕杰 批准人: 谢威
设计日期:201 6 年 9 月 29 日
指导教师: 陈邦琼
单位名称 第3组 项目名称:三极管管芯制造工艺 制造三极管的生产工艺文件 工艺名称 晶体管制工艺参数设计
工艺文件编号: 所需设 备清单
工
艺
步
骤 工艺内容 相关标准 b.基区扩散:
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