微电子工艺作业指导书样板讲诉.doc

微电子制造工艺文件 项目名称： 三极管(NPN型)制造工艺文件 项目编号： 团队负责人： 谢威 团队成员：金腾飞、崔仕杰、朱二梦 刘铭冬、姚启、周涛 指导教师： 陈 邦 琼 文件页数： 55 页 201 6 年 9 月 23 日 工艺文件目录 编 号 名称 编者 1 引言 朱二梦 2 三极管（NPN）示意图 刘铭冬 3 制造工艺流程 朱二梦 4 工艺参数设计 金腾飞 5 制作过程 崔仕杰 6 三极管管芯制造工艺 姚启 7 作业指导书 谢威 8 光刻（模板图） 周涛 9 总结 朱二梦 备注 参考文献 引言 电子工业在过去40年间迅速增长，这一增长一直为微电子学革命所驱动。从20世纪40年代晶体管发明开始，半导体器件工艺技术的发展经历了三个主要阶段：1950第一次生产出了实用化的合金结三极管；1955年扩散技术的采用是半导体器件制造技术的重大发展，为制造高频器件开辟了新途径；1960年由扩散、氧化、光刻组成的平面工艺的出现是半导体器件制造技术的重大变革，大幅度地提高了器件的频率、功率特性，极大地改善了器件的稳定性和可靠性。在这期间每项变革对的生产、生活方式产生了重大的影响。也正是由于微电子技术领域的不断创新，才能使微电子能够以每三年集成度翻两番、特征尺寸缩小倍的速度持续发展几十年。 单位名称 第3组 项目名称：三极管管芯制造工艺 制造三极管的生产工艺文件 工艺名称 晶体管工艺参数设计 工艺文件编号： 所需设 备清单 工 艺 步 骤 工艺内容 相关标准 硅片的衬底电阻率为3-6·CM，查表一得所对应的Nc=厘米－3。 设B、E区都为均匀掺杂。设： =厘米－3，= 厘米－3，=1.3um. 采用浅基区近似,则 可写为： 其中： =340/130=2.6(由表一查得)， ==0.19（由图二查得） 代入各数据求得, β=55时,WB =1.12um. 故设计的NPN型晶体管的各数据为: = 厘米－3，=厘米－3，=1..25um, Wb =1.12um。 工艺设计者： 崔仕杰 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日 指导教师： 陈邦琼 单位名称 第3组 项目名称：三极管管芯制造工艺 制造三极管的生产工艺文件 工艺名称 晶体管制工艺参数设计 工艺文件编号： 所需设 备清单 工 艺 步 骤 工艺内容 相关标准 在半导体晶圆中应用扩散工艺形成结需要两步： 第一步称为预沉积； 第二步称为再分布或推进氧化，两步都是在水平或者垂直的炉管中进行的. 在预沉积的过程中，要受到以下几个因素的制约： ⑴。杂质的扩散率； ⑵杂志在晶圆材料中的最大固溶度。 工艺设计者： 崔仕杰 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日 指导教师： 陈邦琼 单位名称 第3组 项目名称：三极管管芯制造工艺 制造三极管的生产工艺文件 工艺名称 晶体管制工艺参数设计 工艺文件编号： 所需设 备清单 工 艺 步 骤 工艺内容 相关标准 a.衬底氧化： 采用干氧——湿氧——干氧的步骤进行氧化 湿氧30min，确定干氧1100℃生成0.5氧化层所需时间t=1.1min后就可以确定湿氧总时间为30min+1.1min，由图OX-2查得tox=0.4。 干氧10min：确定1100℃干氧生长0.4厚度氧化层需900min，910min所对应的几乎没有变化。 所以最终生成7000埃氧化层 工艺设计者： 崔仕杰 批准人： 谢威 设计日期：201 6 年 9 月 29 日 指导教师： 陈邦琼 单位名称 第3组 项目名称：三极管管芯制造工艺 制造三极管的生产工艺文件 工艺名称 晶体管制工艺参数设计 工艺文件编号： 所需设 备清单 工 艺 步 骤 工艺内容 相关标准 b.基区扩散：