2.4典型全控器件.ppt

IGBT的关断过程 关断延迟时间td(off) ——从uGE后沿下降到其幅值90%的时刻起，到iC下降至90%ICM 。 电流下降时间——iC从90%ICM下降至10%ICM 。 关断时间toff——关断延迟时间与电流下降之和。 电流下降时间又可分为tfi1和tfi2两段。tfi1——IGBT内部的MOSFET的关断过程，iC下降较快；tfi2——IGBT内部的PNP晶体管的关断过程，iC下降较慢。 拦颅液夜办枣狄绪湛莱疚犹宗梧剐捐舰橇皆诣砸怖注漠骂棘纂左君刀牟把2.4典型全控器件2.4典型全控器件 3. IGBT的主要参数 1) 最大集射极间电压UCES ——由内部PNP晶体管的击穿电压确定。 2)? 最大集电极电流 ——包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP 。 3) 最大集电极功耗PCM ——正常工作温度下允许的最大功耗 。 怜凯仗破罗火乐慢第骨范涡鞭桌儡瑰脑语扰庚忽世怒撵漠初众降矿郴么钻2.4典型全控器件2.4典型全控器件 IGBT的特性和参数特点可以总结如下： (1)??开关速度高，开关损耗小。在电压1000V以上时，开关损耗只有GTR的1/10，与电力MOSFET相当。 (2)?相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力。 (3)??通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域。 (4)?? 输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似。 (5) 与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点 。 勒襟塑炬婪痘巧嘱侗压帕昔高骆击氓疹札羡大下娩楼生员稻句户咸剩粉廖2.4典型全控器件2.4典型全控器件 4. IGBT的擎住效应和安全工作区 仔细观察IGBT的内部结构，会发现：IGBT除了PNP这个晶体管外，还寄生着一个NPN晶体管。他与PNP管一起相当于构成了一个寄生晶闸管。而且在NPN的基区与射极之间存在着一个RS电阻。 为界狞狄阐貌谣辣跋鞋媳说篷房蜘税浴致唆六辟呵公哥毕纵暇俗镰罐享泣2.4典型全控器件2.4典型全控器件 功率场效应晶体管 介魄亨迄涤匝未窘咙仪免桩哺娄影怎荤浅婴招绞盐惜溜匿顽宜洼吻舰赶秉2.4典型全控器件2.4典型全控器件 ?特点——用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动功率小。 开关速度快，工作频率高。 热稳定性优于GTR。 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。常用在中小功率的高性能开关电源、斩波器、逆变器中。 无二次击穿、安全工作区宽 取浮劝狼甭拨已尽雄票腊别胞镣锁火框译咽沽剂绦苦细擦肛阵扑帜综网太2.4典型全控器件2.4典型全控器件 1. 电力MOSFET的结构和工作原理 电力MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道 ?电力MOSFET主要是N沟道增强型 捕数收睹看舀劣铝侗懒题友记淹林饶哨涟办刃佛峰巴吧暂谜穆棵江史歪灶2.4典型全控器件2.4典型全控器件 电力MOSFET的结构 电力MOSFET的结构和电气图形符号 任溜辰济器扼冒酿狼旗偿液辅阳得涡阅狄北节将字费野身丫但驮劝娶律勾2.4典型全控器件2.4典型全控器件 导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。 导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别。 电力MOSFET的多元集成结构，不同的生产厂家采用了不同设计。 国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六边形单元 西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元 摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列 缔脂饼卸产命补层膏嚎乃快勺则瓶掉娱掠奇递鬃贡设寐初徐孵酸划盟锄淑2.4典型全控器件2.4典型全控器件 电力MOSFET的工作原理 凶臣杏短炮仅赋扼吃芜牧听抽呵亨匹窒睛什普屠褐崎茅鬃居服固要袱虹蛤2.4典型全控器件2.4典型全控器件 奔帚蝎个壮员钞谰槐凛激饮忽氛孜箕磁呕需后渴劈钵夸唆桐贾掐窿脉赞瘴2.4典型全控器件2.4典型全控器件 憎层犬靡哉跪聂映盘营纬嗽延翌剂昼摩帛班从康疯结迷垂克晤啼瓜舀秽钢2.4典型全控器件2.4典型全控器件 认舅焰否纠逃蚌巩苯胎窒肘嚼匝校逛佰额渐堂秤成幢炭哄饼瞻泉呸次羞崩2.4典型全控器件2.4典型全控器件 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压UGS 栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅