16 第三章 晶体管的开关特性与击穿电压解析.ppt

* Physics of Semiconductor Devices * 晶体管的开关特性 晶体管的击穿特性 3.10、3.11、3.12 一 开关波形和开关时间的定义 1．理想晶体管的开关波形 晶体管开关电路 理想晶体管的输入和输出脉冲波形 当输入端为脉冲波形时，在理想的情况下，输出波形和输入波形完全相仿，只是被放大和倒相。 饱和压降 晶体管处于开关状态往返于饱和（开）和截止（关）区 2．实际晶体管的开关波形与开关时间 输入电压波形 基极电流波形 集电极电流波形 输出电压波形 ① 延迟时间 ② 上升时间 ③ 贮存时间 ④ 下降时间 0.1 ICS 0.9 ICS 晶体管的开关时间： 1、开启时间 2、关闭时间 0.9 ICS 开启时间和关闭时间大致在几纳秒到几十微秒范围内。 1、当输入负脉冲的持续时间及其周期比开关时间大得多时，晶体管能很好地起开关作用 开关时间对脉冲波形的影响 2、当输入负脉冲(关断晶体管)的持续时间及其周期和开关时间相近，甚至比开关时间更小时，那么在晶体管关断过程中(下降过程)，输出电压尚未上升到高电平(晶体管还没有彻底关断)时，第二个高电平脉冲就来了晶体管又开始导通了，晶体管就失去了开关作用。 由于晶体管的开关速度的限制，输入脉冲的宽度不能太窄，频率不能太高。 二 开关过程和影响开关时间的因素 1．延迟过程和延迟时间 td 发射结保持负偏压或零偏压的状态 发射结的偏压变正，有电子入注入到基区 发射结正向电压上升到0.5V，正向电流很小 集电极电流接近1/10ICS 开启之前，处于截止态，发射结和集电结反偏。 这一段时间就是延迟时间 td 2．上升过程和上升时间 tr 发射结偏压继续上升，从0.5V变到0.7V左右 注入到基区的电子增多，电子的浓度梯度增大，集电极电流增大 0.9 ICS 集电结的负偏压逐渐减小，一直减小到零偏压附近。 当 IC = ICS 晶体管进入临界饱和区 上升过程，基极电流作用： ① 增加基区电荷积累，增大基区少子分布梯度使集电极电流上升； ② 继续对发射结集电结势垒电容充电，使结的压降继续上升结压降上升又使基区电荷积累增加，如此循环使集电极电流不断增加； ③ 补充基区中因复合而损失的空穴。 浓度梯度不再变化 3．贮存电荷和贮存时间 ts 处于过驱动状态，基极驱动电流很大 超量存储电荷空穴 Qb’ 保持电中性，基区中也要有等量的电子电荷积累－Qb’ 集电结处于正偏，集电区将向基区注入电子 真正进入了饱和区，达到稳定状态 集电结正偏 集电结零偏 超量存储电荷 空穴积累 进入深饱和区 基区注入空穴与复合减少的空穴相等时，基区积累电荷不再变化 超量存储电荷 基区也将向集电区注入空穴 基极电压突然变负，在基极产生了抽取电流 抽取贮存电荷Qb’ Qc’的作用 （全部抽走以前，基区中的电子浓度梯度不会减小） 贮存电荷被全部抽走－－贮存时间 （还应加上从 ICS 下降到0.9 ICS 所需的时间，才是贮存时间） 4．下降过程和下降时间 tf 基区中还存在积累电荷 Qb IB’ 继续从基区中抽取空穴，并且基区中积累的电子和空穴不断地复合 电子和空穴的浓度梯度减小 集电极电流就从 ICS 开始下降至 0.1 ICS 电子浓度变化趋势 积累电荷消失 电子和空穴复合对上升和下降过程的作用不同。 ？ 二 晶体管的反向击穿电压 1 集电极－基极反向击穿电压（发射极开路）：BVCBO 当反向电流得到规定的反向电流时所对应的电压即为BVCBO。软击穿时BVCBO比雪崩击穿电压VB低；硬击穿特性情况， BVCBO由VB决定。 软击穿 硬击穿 （共基极连接）即：集电极－基极之间容许的最高反向偏压 BVCBO VB VCB 对于共基极电路，其雪崩倍增因子为： 在BVCB0处，IC突然增加，集电极电流与发射极电流的关系为： 1、软击穿（电压击穿）是可恢复的击穿，硬击穿（电流击穿）是不可恢复的击穿。无论是软击穿还是硬击穿都是在瞬间形成的，一般很难测量，击穿的过程是先软击穿再硬击穿，在软击穿（电压击穿）的一瞬间反向电阻值减小，在高反压情况下电流会急剧增加导致硬性击穿（电流击穿），它是个连锁反应。所以我们一般看到的击穿一般都是硬性击穿。 2、测量方法是用高电压大内阻的电源测量，当管子处于软击穿状态下由于电源内阻大所以输出的电流很小，这样就不能导致电流击穿。这是管子两端的电压就是软击穿电压，用两端电压除以电流值就能得到软击穿电阻值。 3、软击穿比硬击穿带来的危害更大，产生较大漏流。造成器件的性能劣化或参数指标下降。 2 集电极－发射极反向击穿电压（基极开路）：BVCEO 基极开路，电流ICEO随电压增加而增加，当反向电流达到规定的反向电流时所对应的电压即为BVCEO。在软击穿时，实测的BVCEO 比ICEO趋近无