第二讲传感器的基础效应解决方案.ppt

* * * * * * * * * * * 1.霍尔效应 置于磁场中的载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势，这种现象称为霍尔效应。 载流子在磁场中受到洛伦兹力的作用而发生偏转，从而形成电场E，当载流子受到的电场力与洛伦兹力达到动态平衡时，累积电荷形成稳定的电势UH 。 由 得知，d 越小， 越大，则感生电动 势越大，故一般霍尔元件是由霍尔系数很大的N型半 导体材料制作的薄片，厚度微米级。 a、a’——激励电极、控制电极， b、b’——霍尔电极 霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成。 霍尔元件多采用N型半导体材料（高的电阻率和载流子的迁移率）。目前最常用的霍尔元件材料有N型锗(Ge)、N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)等半导体材料。 封装——非磁性金属、陶瓷、环氧树脂。 当一载流半导体置于磁场中，其电阻值会随磁场而变化的这种现象称为磁阻效应。在磁场作用下，半导体片内电流分布是不均匀的，改变磁场的强弱就影响电流密度的分布，故表现为半导体片的电阻变化。 式中：ρ0——零磁场时的电阻率； Δρ——磁感应强度为B时电阻率的变化量； K——比例因子； μ——电子迁移率； B——磁感应强度； L，b——分别为磁敏电阻的长（沿电流方向）和宽； f(L/b)——形状效应系数。 2.磁阻效应 磁阻效应与材料性质及几何形状有关，一般迁移率大的材料，磁阻效应愈显著；元件的长、宽比愈小，磁阻效应愈大。 与霍尔效应的区别：霍尔电势是指垂直于电流方向的横向电压，而磁阻效应则是沿电流方向的电阻变化。 磁敏电阻常选用锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）和锑化铌 （ NiSb ）等半导体材料，在绝缘基片上蒸镀薄的半导体材料，也可在半导体薄片上光刻或腐蚀成型（栅状结构）。 磁阻效应——磁敏电阻 主要特性： 磁电特性：当B0.3T时，电阻的变化率与磁场的平方成正比；当B0.3T时，成线性关系。与磁场的正负无关； 温度特性：温度系数影响大； 频率特性：工作频率范围大，一般为1~10MHz；磁感应的范围比霍尔元件大。 3.巨磁阻效应 指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在的巨大变化的现象。 巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。 铁磁材料磁矩的方向是由加到材料的外磁场控制的，较小的外磁场也可以得到较大的电阻变化。 五、热电效应和热释电效应 1.热电效应 热电效应是温差电效应的俗称。它是温差转换成电的物理效应，通常指塞贝克效应，其逆效应有帕尔贴效应和汤姆逊效应。 （1）塞贝克效应 （2）帕尔贴效应 （3）汤姆逊效应 某些晶体材料（如铁电晶体）具有自发极化现象，自发极化的大小在温度有稍许变化时就有很大的变化。温度恒定时，由自发极化产生的表面电荷吸附空气中的电荷达到平衡；材料吸收红外光后引起温度升高，极化强度会减小，单位面积的表面电荷相应减少，一部分吸附电荷被释放；若与一个电阻连成回路，电路中就会有电流产生，如图所示。这种因温度变化引起自发极化强度变化的现象被称为热释电效应。 2.热释电效应 当温度变化ΔT在材料各处一致时，热释电效应可以借助热释电系数p表示为： ΔP = pΔT 式中P是自发极化。 右图是钛酸钡热释电系数变化规律，由图可见，温度越接近居里温度点（TC），热释电系数越大。 热释电效应所产生的电荷不是永存的，由于处于器件表面，会与空气中的各种离子复合而使器件仍呈电中性。所以一般要在器件前方加装一个周期性遮断被测红外信号的机械装置，使器件接收红外光能而引起的温度作周期性变化， 由于热释电式传感器很薄，所以比其它传感器响应更快，且灵敏度高。因为它检测的是温度梯度，无需与被测物达到热平衡。它适用于通过对被测物表面扫描实现成像，如用于红外热敏成像、非破坏性测试、热点监视等。 车辆计数器、人体探测器、高温计（在高炉、熔化玻璃或热损失评估中使用的非接触式温度计）和辐射计（测量辐射源产生的功率）、红外分析仪、火灾检测、高分辨率测温计、医用温度计等。 红外热释电传感器 广泛用于各种光谱测量、辐射功率测量、非接触温度测量、气体分析、入侵报警、火焰探测、自动照明等领域。 六、压电、压阻和磁