传感器第七章绪论.ppt

如果线圈是N匝，磁场强度是B，每匝线圈的平均长度la， 线圈相对磁场运动的速度为υ=dx/dt。 则整个线圈中所产生的电动势为： 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。 自由电子受力动态平衡 速度v与电流强度I之间的关系 设霍尔元件中载流子的浓度为n，则电流强度为 霍尔电势及霍尔系数 霍尔系数 霍耳灵敏度 对一定的霍耳元件是一个常数。它的大小与材料的性质以及元件的尺寸有关。 它表示霍耳元件在单位磁感应强度和单位控制电流强度下的霍耳电压的大小。 实际应用 如果磁场的磁感应强度B为已知，测出通过霍耳元件的工作电流I和相应的UH ，就可以测定该元件的灵敏度KH ； 反之，如果霍耳元件的灵敏度KH已知，只要测得了I和UH ，就可测定霍耳元件所在处的磁场B 。 磁感应强度B较大时的情况 作用在半导体薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。霍尔电势EH可用下式表示： EH=KH IB 磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度? 时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即Bcos?，这时的霍尔电势为