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习题:
填空题
1. 半导体的导电能力与 温度 、 光照强度 、 掺杂浓度 和材料性质有关。
2. 利用PN结击穿时的特性可制成 稳压 二极管,利用发光材料可制成 发光 二级管,利用PN结的光敏性可制成 光敏(光电) 二级管。
在本征半导体中加入__5价__元素可形成N型半导体,加入_3价_元素可形成P型半导
体。N型半导体的多子是________;P型半导体的多子是_______。
5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为 0.7v ,锗材料二极管的正向导通电压为 0.2v 。
6..理想二极管正向电阻为__0______,反向电阻为_______,这两种状态相当于一个___开关____。
7..晶体管的三个工作区分别为 放大区 、 截止区 和 饱和区 。
8.. 稳压二极管是利用PN结的 反向击穿特性 特性制作的。
9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。
10. 晶体三极管工作时有 自由电子 和 空穴 两种载流子参与导电,因此三极管又称为 双极型 晶体管。
11.设晶体管的压降UCE 不变,基极电流为20μA时,集电极电流等于2mA,则β=__100__。
12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和 结型 两大类,目前广泛应用的绝缘栅效应管是MOS管,按其工作方式分可分为 耗尽型 和 增强型 两大类,每一类中又分为N沟道和P沟道两种。
13. 查阅电子器件手册,了解下列常用三极管的极限参数,并记录填写题表2-1在下表中
题表2-1
二.选择题
1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 A 。
A、杂质浓度 B、温度 C、输入 D、电压
2.理想二极管加正向电压时可视为 B ,加反向电压时可视为__A__。
A.开路 B.短路 C.不能确定
3.稳压管的稳压区是二极管工作在__D__状态。
A.正向导通 B.反向截止 C.反向导通 D.反向击穿
4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将__A__。
A.增大 B.不变 C.减小
5.工作在放大区的某晶体管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为__C__。
A.83 B.91 C.100
6.当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将 C 。
A、增大 B、不变 C、减小
7.uGS=0时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 和 C 。
A、结型管 B、增强型MOS管 C、耗尽型MOS管
8.场效应管属于__A____控制型器件,晶体三极管则属于___B___控制器件。
A、电压 B、电流 C、电感 D、电容。
9.测得某放大电路中三极管各级电位分别为3v、2.3v、12v则三极管三个电极分别
是 C ,该管是 E
A、(e b c) B、(b c e) C、(b e c ) D、(pnp) E、(npn)
10.如题图2-1所示,二极管均为理想元件,则VD1、VD2、
VD3的工作状态为( A )。
A. VD1导通, VD2 、 VD3截止
B. VD2导通, VD1 、 VD3截止
C. VD3导通, VD1 、 VD2截止
11.在题图2-2示电路中稳压管VDZ1的稳定电压为9V, VDZ2的
稳定电压为15V,输出电压UO等于( B )。
A.15V B.9V C.24V
题图2-1 题图2-2
分析题
1. 二极管电路如题图2-3所示。已知直流电源电压为6V,二极管直流管压降为0.7V。
(1) 试求流过二极管的直流电流。
(2)二极管的等效直流电阻为多少?
解:(1)流过二极管的直流电流也就是题图2-3的回路电流,即
==53mA
(2) =
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