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第四章 光电导探测器 光电导探测器的工作原理 光电导探测器的性能参数 实用光电导探测器及输出信号 §4-2 光电导探测器的性能参数 一、光电导增益 IP：长为L两端加电压V 的光电导体，由光照产生的光生载流子在电场作用下所形成的外部电流——光电流。 qN：光电子形成的内部电流。 ①电导率 无光照时，暗电导率σ0 有光照，吸收光子而产生光生载流子浓度Δn、Δp 光照稳定情况下 电子浓度 电子迁移率 光电导率 ?②电流 （a）无光照，暗电流（本征半导体电导率σ0） b=μn/μp为迁移比 电导两端电压 光电导体横截面积 光电导体长度 样品宽度 样品厚度 （b）有光照射，光电流 光激发电子、空穴浓度 τn、τp：寿命 N：N个电子/空穴对。（单位时间） 光电导Δσ引起的光电流 （4.2-5） 代入（4.2-5） ③增益 Gn：光电导探测器的电子增益系数 Gp：光电导探测器的空穴增益系数 ④增益的另一种形式 速度为υn的光电子渡越时间tn=L/υn 又因：沿电场方向的电子速度与电场强度成线性关系 于是有： 则增益的另一种形式：? 在半导体中，电子、空穴寿命相同，若用τ表示平均寿命 若定义 则 G一般在103数量级 ⑤光电导器件量子效率 硅和锗的η与λ的关系 N个光子 入射的单色辐射功率 二、光电导探测器的噪声 1．热噪声 2．产生——复合噪声g-r（信号光、背景光、热激发） 3．1/f 噪声 总的均方噪声电流或噪声功率 噪声按频率分布：噪声功率谱 典型光电导探测器噪声功率谱 光电导探测器噪声等效电路 三、响应率 由（2.2-1）（2.2-2） 电压响应率 电流响应率 光谱响应率表示在某一特定波长下，输出光电流（或电压）与入射辐射能量之比。输出光电流 响应率与VA及载流子寿命τ0有关 响应率与光敏面积有关 则光谱响应率： ①增大增益系数可得到很高的光谱响应率 ②增益与响应速度是相矛盾的 光电导探测器典型光谱曲线 两种类型光电导探测器光谱特性 四、比探测率 D*是包含噪声性能的一个重要参数 1．受热噪声限制 多数光电导探测器工作频率在1MHz以上，其噪声源主要来自热噪声 2．受产生——复合噪声限制 当工作频率在1kHz～1MHz时：主要是 光电导探测器的探测率限制 g-r噪声限 热噪声功率限制 五、温度特性 温度变化，会引起光谱响应率、峰值响应波长、长波限等参数的变化。 主要原因： 当温度升高时，热激发载流子增多，除热噪声增加外，还使光生载流子寿命下降（复合几率增大），从而使光电导器件灵敏度降低。 PbS光敏电阻光谱特性 PbSe光敏电阻光谱特性 六、频率响应及响应时间 由式（4.2-22）及付里叶变换可以得到相应的输出电压和响应率的表达式。 （4.2-22） 入射光调制角频率 ω=0时输出电压 ω=0时输出响应率 当调制频率f ≤ f3dB时，光电探测器的输出可以保持原有调制光信号的特征。 ? 光电导探测器的频率响应 七、前历效应 测试前光电导探测器所处的状态对光电探测器特性的影响，大多数光电导探测器在稳定的光照下，其阻值有明显漂移现象，且经过一段时间间隔后，阻值还有变化。 这种现象为光电导探测器的前历效应。 中态（亮态）前历效应 短态（暗态）前历效应：R0/R1 §4-3 实用光电导探测器及输出信号 一、本征型光电导探测器 本征型：碲镉汞（HgCdTe） 锑化铟（InSb） 硫化铝（PbS） 1．碲镉汞光电导探测器 CdTe禁带宽度 Eg=1.6eV HgTe禁带宽度 Eg=-0.3eV 混合后的Hg1-xCdxTe的Eg随组分x、温度T而变化，x较小时，可用经验公式表示? 即改变两种化合物组分而改变混合固溶体的带隙宽度Eg，从而改变其光谱响应范围。利用这种特性并改变器件工作温度，就可以得到不同长波限λC、峰值响应波长λp的高DP*的理想光电导探测器。 典型PC—HgCdTe探测器结构示意图 应用：适合红外波段探测要求：激光雷达、激光测距、光电对抗、制导及光通讯 PC-HgCdTe工作于77K，响应光谱为8～14μm,最大响应率Dp*达2～8 × 1010cm·Hz1/2/W（接近背景限） 响应频率为几MHz 50μm方形HgCdTe探测器性能对偏压关系（工作温度80K，峰值波长12 μm，视场30。） PC-HgCdTe探测器不同工作温度响应与波长关系 随着工作温度的降低，响应率增加，其响应的峰值波长λp向长波方向移动。 2．锑化铟光电导探测器（InSb） 特点：Eg小，通过改变温度来改变响应波长 室温（300K）时 Eg=