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实验 结正向压降温度特性研究 【实验目的】 1、了解结正向压降随温度变化的基本关系式. 2、在恒定正向电流下,测绘结正向压降随温度变化曲线,并由此确定其灵敏度. 3、学习用结测温的方法. 【实验仪器】 1、DH-PN-1型结正向压降温度特性实验仪 【实验原理】 1、结 在一块完整的硅或锗上用不同的工艺掺入杂质,使得其一半成为P型半导体,而另一半成为N型半导体,那么,在这两种半导体的交界处就会形成结. 在P型与N型半导体结合后,由于P型半导体具有较高浓度的空穴,而N型半导体具有较高浓度的自由电子,在他们交界处的两边就出现了电子与空穴的浓度差别.从而,电子与空穴都要朝着较低浓度的方向扩散.这种扩散作用,使得在P、N交界处之间形成了具有一定大小的扩散电流. 另一方面,由于P型半导体中空穴的流失,使得P型半导体中留下了一定量带负电的离子;而N型半导体中由于电子的流失,使得其中留下了一定量的正离子.由于正负电荷之间的相互作用,使得在交界薄膜中形成了从N型半导体指向P型半导体的空间电场.而空间电场的形成使得一部分的空穴与电子沿与扩散相反的方向运动,形成漂移电流. 空穴与自由电子的扩散使得空间电场增强,而空间电场的增强却又抑制空穴与电子的扩散,从而,在一段时间之后,扩散电流将与漂移电流达到动态平衡.而在P型与N型半导体的两侧则会留下不能自由移动的离子薄层,而这个离子薄层在P、N半导体交界面附近所构成的过渡区（空间电荷区）, 图1 PN结 即称为结. 2、结的正向压降温度特性 根据结理论, 结的伏安特性可表达如下: （1-1） 式中为通过结的正向电流, 为其正向电压, 为反向饱和电流; 为电子的电荷量, 为绝对温度是玻尔兹曼常量当正向电压时, ,故上式可近似为 （1-2） 由式（1-2）得 又 (1-3) 式（1-3）即为结两端正向电压与其温度、通过电流之间的关系.其中, 为时材料的导带底与价带顶间的电势差, 是与温度无关的实验常数, 是与温度有关的函数项, 为与热激发所引起的电子迁移率有关的系数. 取为一常数,则（1-3）式转化为通过结的电压与结温度之间的关系. 对取一阶导数,得 （1-4） 即代表了图线的斜率,由（1-4）可以看出, 斜率为负,随温度的上升而下降. 对取二阶导数,得 （1-5） 其中，、,取,得， 即, 图线的斜率可近似认为一常数, 可近似认为是一条直线. 根据（1-3）式 (1-6) 设,温度为时,电势差为 又 得 (1-7) 由上推导可知, 应与呈线性关系,故设 (1-8) 令 (1-9) 设、，取可得,而相应的正向压降则改变了,差值约为417倍,相比之下,误差甚小.不过当温度变化过大之后图线的线性误差将有所递增. 由于与呈很好的线性相关性,故可利用的细微变化来测量当前环境的温度.这也是温敏二极管测温的基本原理. 【实验步骤】 1、打开结正向压降温度特性实验仪并调节加热电流值为零,记录起始温度. 2、将“测量选择”开关调节到档,调节旋钮,使得面板上的值为零. 3、将“测量选择”开关调节到档,记下初始时的值. 4、将“测量选择”开关调节到,调节调零旋钮,使得. 5、调节加热电流为,并记录所对应的和值.当每改变时记录一次值.直到结温度达到大约℃为止. 6、画出图像,并求被测结正向压降随温度变化的灵敏度. 8、估算被测结材料的禁带宽度. 9、实验结束,收拾仪器. 注意事项 1、加热装置的温升不应超过120℃,长期的过热使用,将造成接