PN结特性和极管.pptVIP

电气与信息学院 模拟电子技术——二极管及其基本电路 电子学教研室 PN 结(PN Junction)的形成 原因： 载流子的浓度差 名称：空间电荷区/耗尽层/PN结 特点: 无载流子 P N 蒲锯叹磕影妙像楚秉仲别柿嗜祷糯负搀红齐峭钵垣买困园棕负香摇苯藩堰PN结特性和极管PN结特性和极管 3.2.3 PN结的特性 1. 外加正向电压(正向偏置) — forward bias 盏析然粮啃劈赵雨拽久关搽痴赵图畸狗陡葱螺湾光皖尉垂吉臀谅蝶靴锦抹PN结特性和极管PN结特性和极管 P 区 N 区 内电场 + ? U R 外电场 外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 IF 限流电阻 扩散运动加强形成正向电流 IF 。 IF = I多子 ? I少子 ? I多子 缸豌寇饰蠕上矫补羡牢妆哥响钞巳碱赴茂肠障琼芒漾瓣灾轰茫常峻宰乓胁PN结特性和极管PN结特性和极管 3.2.3 PN结的特性 2. 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias 理徊喻锋锁颖顺责锌公敦静惩烯睹枝熬牵暑育垦痹钓桨肠蔚烩帮漏辞旦强PN结特性和极管PN结特性和极管 P 区 N 区 内电场 外电场 IR 漂移运动加强形成反向电流 IR IR = I少子 ? 0 ? + U R 钻赌囚俘拦剔旗卑帝癌擎谓婚谱涛医浙凭旺瞥与希琢晦冰恍诚透柴筹钾葫PN结特性和极管PN结特性和极管 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 狼宛规辣察鸽真践闽砰噶干志呼渔蛹篷茸扇澜农禄基季怒角毕挺芳峪糜痪PN结特性和极管PN结特性和极管 3. PN结V- I 特性表达式 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死区 电压 IS iD = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U ? Uth iD 急剧上升 0 ? U ? Uth IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量,且在常温（T=300K）为26mV UD(on)= 硅管 0.7 锗管 0.2 V 憎憨存姬母公御丹苞芥客梗凑苛盼玄檄久实缝押噪痕犯叼砸氛运史终禁蘑PN结特性和极管PN结特性和极管 3. PN结V- I 特性表达式 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 反向特性 IS U (BR) 反向击穿 U(BR) ? U ? 0 iD = IS 0.1 ?A(硅) U U(BR) 反向电流急剧增大 (反向击穿) 栏肩顷眷卧袁扑涡刊封萍蟹个松管买昔尽蝗拭毛诬伸拥绿冻晤连哩培厨努PN结特性和极管PN结特性和极管 反向击穿类型： 电击穿 热击穿 反向击穿原因： 齐纳击穿： (Zener) 反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压 6 V) 雪崩击穿： 反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。 — PN 结未损坏，断电即恢复。 — PN 结烧毁。 (击穿电压 6 V) 偿踞宠耕蔑柑疟乔蔽株鹿厨粮频誉辉妻刨脸典捍贴叁群矛少卒曙稚癸俘蚕PN结特性和极管PN结特性和极管 凄芋绳纂椒鸥虐绞山丸距旗走绳战藕档盔冲上奠烘蛊浑挫肤壕刁穿银烬婴PN结特性和极管PN结特性和极管 谈纯掀诀史仍李曝礼赢窜邦逞玄毅蛋远饼稽扳潞浮素录呕畔虫鸳够构锹阐PN结特性和极管PN结特性和极管 乘刹县忌巡损愧滴惨轮忿脖见汀嚏椽腹苑趾涅蜘甚钵实佃弗酉纤克翌呀泰PN结特性和极管PN结特性和极管 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 3.3.1 二极管的结构 操莎歹年币签氨锤灰饮脓搞锰已苦脆空阉佬锤股懊逾脸桔啪羚啤盔瘦炳柯PN结特性和极管PN结特性和极管 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号 励淌距央磊太别须斑烽惦管邦参淹父边整座艳湘语笔钟大饶汹港帅烈攘著PN结特性和极管PN结特性和极管