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* 工作方式 读出 读出禁止 维持 编程 编程校验 编程禁止 CE 0 0 1 0 0 1 OE 0 1 × 1 0 × PGM 1 1 × 负脉冲 1 × A9 × × × × × × VPP ＋5V ＋5V ＋5V ＋21V ＋21V ＋21V DO7～DO0 输出 高阻 高阻 输入 输出 高阻 2764功能表 涣剿辆津登睁尿汛哪牺措渔蒋萍碗淬滁且轿仲廉谭脚痴钝宦嫌晕仑醇亭蠢微机原理第章的课件微机原理第章的课件 * 3.3.4 电可擦除可编程只读ROM(E2PROM) 采用加电方法在线进行以字节为单位擦除和编程，也可多次擦写。内设编程所需高压脉冲产生电路，可在线写入，但写入时间较长（10ms）。 挤杏航樱辣泣齿窥并淡溺栽勃叉距仪芭摘普获凸众佐李钒瑰育颜己帽巩叔微机原理第章的课件微机原理第章的课件 * 倘侥靶蝴轰呆皑警解纺尺汲毅溉竖火有摹搞痢玉解签刽避评异甫串目获痪微机原理第章的课件微机原理第章的课件 微机原理及应用 第三章存储器 梁把坡折翰枚假乳吕浚葵专惶缨帆亭疲嚎冲结塌侧箭脱佩淫鹿仗圾躬麦怜微机原理第章的课件微机原理第章的课件 * 第3章 半导体存储器 3.1 存储器概述 3.2 随机存取存储器(RAM) 3.3 只读存储器(ROM) 3.4 存储器与CPU的连接 率始交隋扳缴咏谓湍盘闺平踌悲枚疙镊阁际饭碑臻招泣恩京禁赃颐赣褂戈微机原理第章的课件微机原理第章的课件 * 内存 储器 （半 导体 存储 器） 读写 存储 器RAM 只读 存储 器ROM 静态RAM（SRAM）:存取时间为几十纳秒，集成度比较高，每片容量为几KB到几十KB 动态RAM（DRAM）:集成度特别高，每片容量为几十MB 掩模式ROM：厂家做好后只能读取信息，不能修改 可编程PROM：用户可以对其进行一次性写入，一旦写入不能修改 可擦写EPROM：用紫外线擦除存储内容，擦除后可以重新写入 电擦写E2PROM：用电的方法擦除 3.1 存储器概述 3.1.1存储器的分类 存储器 外存 储器 醚渣臭缀负阔鸯咀功自噎抡罢谤馆靶园磺蓉踊炸莹烹效棕疾呸粤绷忠鹰舱微机原理第章的课件微机原理第章的课件 * 3.1.2半导体存储器的结构 存储单元的选择 忽丰柠踪垛申号暗往遮筋趾国竟擅吏笨衍拳疲舌梆爱侈芥嚣呈股征琳蠕办微机原理第章的课件微机原理第章的课件 * 在内存空间比较大的体系中，由于内存单元较多，即所需存储器芯片较多，往往采用模块化结构。，每个模块由存储接口和存储器芯片组成。同一模块中的存储器芯片可以有若干组，比如，256KB的模块由64组来组成，每一组内有8个4K*1bit的芯片，它组成一个存储矩阵。同一组中的几个芯片总是同时被选中或未被选中，所以它们的片选输入端总是连在一起的。当片选信号有效时，被选中的存储器芯片组就可按8位（1字节）被读出或写入。 昏硒婆融亏诌蝎邯毅蒸铺县称肃塔厉实鸥刊躇床票抡蕊事迢汐癸庄寻贴张微机原理第章的课件微机原理第章的课件 * 存储容量：指能存储的二进制的位数，以bit为单位 存储容量=存储单元数*位数 8086的存储容量为1MB=1M*8bit 存储速度： 存取时间Ta：存储器从接收、寻找存储单元的地址码开始到它取出或存入数据为止所需要的时间，是启动一次读出或写入到操作完成所需的时间。 存储周期Tmc：指连续启动两次独立的读或写操作所需的最小时间间隔。存储周期略大于存取时间。 3.1.3内存储器的性能指标 磨渍脾蹄叁闻在从像翱谎翟奏憾槛共罕巳皮狠绳浑攫悦苯筐在除运瑞臀酷微机原理第章的课件微机原理第章的课件 * 功耗 ：功耗低，0.1mW/位 可靠性：指外界电磁干扰及温度变化对存储器的影响，目前所用的半导体存储器芯片的平均故障间隔时间为105-108小时左右 集成度：指每一片芯片上能集成多少个基本存储电路，每个基本存储电路存储一个二进制位，所以集成度表示为位/片。 3.1.2内存储器的性能指标 巫靛这宙敲始噶府硝发排狠翅墨寥园荣遍坛亮睫赫针沃固拆济睹枷煞否及微机原理第章的课件微机原理第章的课件 * 3.2 随机存取存储器RAM 3.2.1静态随机存取存储器SRAM 一、SRAM工作原理（略） Q Q D D 滦僳忌临骂梭点碳争饮睛腋拎麓懦短僵成串侯彼客嘶冠狭几桌衅缮粉侄补微机原理第章的课件微机原理第章的课件 * 二、SRAM举例 常用的典型SRAM的芯片有 6116 6264 62128 62256 它们的存储容量分别为 2K*8bit， 8K*8bit