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专用集成电设计
研究生课程开设申请表
开课院(系、所):
课程申请开设类型: 新开□ 重开√□ 更名□(请在□内打勾,下同)
课程
名称
中文
专用集成电路设计
英文
ASIC Design
待分配课程编号
S006109
课程适用学位级别
博士
硕士
√
总学时
36
课内学时
24
学分
2
实践环节
用机小时
课程类别
□ 公共基础 □ 专业基础 □√ 专业必修 专业选修
开课院(系)
电子工程系
开课学期
春季
考核方式
A. ■ 笔试( □开卷 ■闭卷) B. □ 口试
C. □ 笔试与口试结合 D. □其他
课程负责人
教师
姓名
陆生礼
职称
研究员
e-mail
lsl@seu.edu.cn
网页地址
授课语言
汉语
课件地址
适用学科范围
二级
所属一级学科名称
电子科学与技术
实验(案例)个数
先修课程
半导体器件物理,电子线路
教学用书
教材名称
教材编者
出版社
出版年月
版次
主要教材
Application-Specific Integrated Circuits
Micheal John Sebastin Smith
电子工业出版社
2004.10
2
主要参考书
一、课程介绍(含教学目标、教学要求等)(300字以内)
通过本课程的教学,使学生了解当今VLSI系统设计的方法与技术;掌握MOS器件的基本结构、模型与特性;建立相关工艺基本概念,了解工艺过程;掌握集成电路设计的特点与方法,掌握主要的集成电路设计技术,建立系统集成的概念,建立系统模块化设计的思想;了解集成电路的基本版图;了解集成电路设计系统的构成和完成设计的过程。
二、教学大纲(含章节目录):(可附页)
1、集成电路历史和设计挑战。主要阐述集成电路的发展史以及目前集成电路面临的诸多挑战,比如:速度、功耗等。
2、设计指标。掌握性能、功耗、成本、可靠性之间的关系,以及如何提高各个指标的方法。
3、CMOS工艺基础。主要通过Flash动画等阐述CMOS器件的制备过程,了解深亚微米工艺的挑战和复杂性。
4、互连线。了解互连线在半导体材料中的寄生效应、对电路的影响,了解相应计算方法和控制寄生效应的方法。
5、CMOS器件基础。掌握CMOS器件的二阶方程,理解设计阐述对电路的影响,了解亚微米情况下面临的效应。
6、CMOS反相器性能的定性分析及优化设计。掌握CMOS反相器的原理、构造和性能定性分析。
7、CMOS组合逻辑门设计。掌握静态CMOS组合电路,了解无比电路、传输门电路和动态CMOS电路。
8、CMOS时序逻辑电路设计。掌握静态CMOS时序电路:Latch和Register,了解动态CMOS时序电路。
9、同步电路时序。掌握同步电路时序约束方程,掌握提高时序性能的方法。
10、运算逻辑设计。掌握加法器的结构及其关键路径对性能的影响,了解乘法器的设计。
11、存储器。掌握SRAM的原理,了解ROM、SRAM、DRAM等各种存储器的基本构造和相关特性。
12、VLSI设计方法学。了解当前大规模设计的方法、手段,了解计算机辅助设计发挥的作用。
三、教学周历
周次
教学内容
教学方式
1
集成电路历史和设计挑战
讲课
2
设计指标
讲课
3
CMOS工艺基础
讲课
4
互连线
讲课
5
CMOS器件基础
讲课
6
CMOS反相器性能的定性分析及优化设计
讲课
7
CMOS组合逻辑电路设计
讲课
8
CMOS时序逻辑电路设计
讲课
9
同步电路时序
讲课
10
运算逻辑设计
讲课
11
存储器
讲课
12
VLSI设计方法学
讲课
13
14
15
16
答疑
讨论
17
考试
18
注:1.以上一、二、三项内容将作为中文教学大纲,在研究生院中文网页上公布,四、五内容将保存在研究生院。2.开课学期为:春季、秋季或春秋季。3.授课语言为:汉语、英语或双语教学。4.适用学科范围为:公共,一级,二级,三级。5.实践环节为:实验、调研、研究报告等。6.教学方式为:讲课、讨论、实验等。7.学位课程考试必须是笔试。8.课件地址指在网络上已经有的课程课件地址。9.主讲教师简介主要为基本信息(出生年月、性别、学历学位、专业职称等)、研究方向、教学与科研成果,以100至500字为宜。
四、主讲教师简介:
陆生礼,男,1965年出生,主要研究方向为集成电路设计,包括模拟和数字集成电路设计,1996年至今一直主讲微电子与固体电子专业的研究生专业选修课,同时还承担电子工程系本科生的专业主干课《VLSI系统设计》的课程教学。
五、任课教师信息(包括主讲教师):
任课
教师
学科
(专业)
办公
电话
住宅
电话
手
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