专用集成电设计.docVIP

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专用集成电设计

研究生课程开设申请表 开课院(系、所): 课程申请开设类型: 新开□ 重开√□ 更名□(请在□内打勾,下同) 课程 名称 中文 专用集成电路设计 英文 ASIC Design 待分配课程编号 S006109 课程适用学位级别 博士 硕士 √ 总学时 36 课内学时 24 学分 2 实践环节 用机小时 课程类别 □ 公共基础 □ 专业基础 □√ 专业必修 专业选修 开课院(系) 电子工程系 开课学期 春季 考核方式 A. ■ 笔试( □开卷 ■闭卷) B. □ 口试 C. □ 笔试与口试结合 D. □其他 课程负责人 教师 姓名 陆生礼 职称 研究员 e-mail lsl@seu.edu.cn 网页地址 授课语言 汉语 课件地址 适用学科范围 二级 所属一级学科名称 电子科学与技术 实验(案例)个数 先修课程 半导体器件物理,电子线路 教学用书 教材名称 教材编者 出版社 出版年月 版次 主要教材 Application-Specific Integrated Circuits Micheal John Sebastin Smith 电子工业出版社 2004.10 2 主要参考书 一、课程介绍(含教学目标、教学要求等)(300字以内) 通过本课程的教学,使学生了解当今VLSI系统设计的方法与技术;掌握MOS器件的基本结构、模型与特性;建立相关工艺基本概念,了解工艺过程;掌握集成电路设计的特点与方法,掌握主要的集成电路设计技术,建立系统集成的概念,建立系统模块化设计的思想;了解集成电路的基本版图;了解集成电路设计系统的构成和完成设计的过程。 二、教学大纲(含章节目录):(可附页) 1、集成电路历史和设计挑战。主要阐述集成电路的发展史以及目前集成电路面临的诸多挑战,比如:速度、功耗等。 2、设计指标。掌握性能、功耗、成本、可靠性之间的关系,以及如何提高各个指标的方法。 3、CMOS工艺基础。主要通过Flash动画等阐述CMOS器件的制备过程,了解深亚微米工艺的挑战和复杂性。 4、互连线。了解互连线在半导体材料中的寄生效应、对电路的影响,了解相应计算方法和控制寄生效应的方法。 5、CMOS器件基础。掌握CMOS器件的二阶方程,理解设计阐述对电路的影响,了解亚微米情况下面临的效应。 6、CMOS反相器性能的定性分析及优化设计。掌握CMOS反相器的原理、构造和性能定性分析。 7、CMOS组合逻辑门设计。掌握静态CMOS组合电路,了解无比电路、传输门电路和动态CMOS电路。 8、CMOS时序逻辑电路设计。掌握静态CMOS时序电路:Latch和Register,了解动态CMOS时序电路。 9、同步电路时序。掌握同步电路时序约束方程,掌握提高时序性能的方法。 10、运算逻辑设计。掌握加法器的结构及其关键路径对性能的影响,了解乘法器的设计。 11、存储器。掌握SRAM的原理,了解ROM、SRAM、DRAM等各种存储器的基本构造和相关特性。 12、VLSI设计方法学。了解当前大规模设计的方法、手段,了解计算机辅助设计发挥的作用。 三、教学周历 周次 教学内容 教学方式 1 集成电路历史和设计挑战 讲课 2 设计指标 讲课 3 CMOS工艺基础 讲课 4 互连线 讲课 5 CMOS器件基础 讲课 6 CMOS反相器性能的定性分析及优化设计 讲课 7 CMOS组合逻辑电路设计 讲课 8 CMOS时序逻辑电路设计 讲课 9 同步电路时序 讲课 10 运算逻辑设计 讲课 11 存储器 讲课 12 VLSI设计方法学 讲课 13 14 15 16 答疑 讨论 17 考试 18 注:1.以上一、二、三项内容将作为中文教学大纲,在研究生院中文网页上公布,四、五内容将保存在研究生院。2.开课学期为:春季、秋季或春秋季。3.授课语言为:汉语、英语或双语教学。4.适用学科范围为:公共,一级,二级,三级。5.实践环节为:实验、调研、研究报告等。6.教学方式为:讲课、讨论、实验等。7.学位课程考试必须是笔试。8.课件地址指在网络上已经有的课程课件地址。9.主讲教师简介主要为基本信息(出生年月、性别、学历学位、专业职称等)、研究方向、教学与科研成果,以100至500字为宜。 四、主讲教师简介: 陆生礼,男,1965年出生,主要研究方向为集成电路设计,包括模拟和数字集成电路设计,1996年至今一直主讲微电子与固体电子专业的研究生专业选修课,同时还承担电子工程系本科生的专业主干课《VLSI系统设计》的课程教学。 五、任课教师信息(包括主讲教师): 任课 教师 学科 (专业) 办公 电话 住宅 电话 手

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