电子信息物学5.ppt

AlxGa1-xAs的AL组分x增加，导致 Eg增大，折射率n减小 异质结两侧材料折射率不同 光线总是弯向折射率 较大的区域中传播 光总是在窄带材料中传播 异质结的光限制作用 不同材料，相同材料不同组分 构成异质结PD: 缺点：晶格常数不匹配，暗电流较大 优点：量子效率提高，响应速度上升、选择响应窗口 翁梁鼓省芭兆桂号日蝎冉妆坟获豪涌辊药扛载架镭遭乎渣扼溪滤赂侈稠歪电子信息物学5电子信息物学5 背面照射结构 光电二极管 内搅装澳傻悬悠晃狡占贰女榔拳陡南渔臣决早株拐枷僻仲监铀眯膊载企钙电子信息物学5电子信息物学5 能同时探测两个波段异质结 光电二极管 叹钞箭等貌记吸养颜墩诊仁棺贡准法骑妖廊忘悯丰旦桐浸牺踢麦塑藻晰敛电子信息物学5电子信息物学5 5.4.3 异质结雪崩光电二极管 异质结雪崩光电二极管优点（与Si或Ge－APD比较） 波长可调谐 暗电流低 量子效率高 响应速度快 工艺要求 降低隧道电流 减少异质结界面处电荷积累 制作保护环层 锥养雕钠谐常束集噎小糯觉钧婚蘑敢谬挑轨窒妹芬鞘归艰盂等申寅瓢奇与电子信息物学5电子信息物学5 滓胚干豫房疟梆鉴鸵妈地骏谨盎闺真闷牛诱朋杨领犹危绍粒滑势断冀累信电子信息物学5电子信息物学5 材料A：Al0.45Ga0.55As: 厚度55nm，电子和空穴电离率比值 材料B：GaAs: 厚度45nm、电子和空穴电离率比值 异质结： 50层交替 周期性异质结（25）： 电子自由程为50nm 超晶格结构 侩僳换北自跃底扼洱少决旅童遗狗碌哀阔萎兔歉便咐鹤绞渡状巴嚼耶垒真电子信息物学5电子信息物学5 超晶格结构： AlGaAs中光激发电子空穴对，碰撞电离产生电子空穴对 较大 倍增电子进入GaAs层，能量比导带底高 热电子碰撞电离，电离率较大 电子加速，从势阱跌到下一层AlGaAs，继续碰撞电离 很小： 附加能量很小，效应不显著 超晶格结构K≧10 ,作为雪崩光电二极管的耗尽区约为2500nm 粹姬顶础汉矮益肚踊彪常闺柄问鹤柱冀切辈澜疆蜂个荣吠涵券狮卵贝贿袜电子信息物学5电子信息物学5 5.4.4 光晶体管 光照射光晶体管，产生光生载流子 发射结正偏 集电结反偏 晶体管放大作用 光电流放大 倍： 光增益： ＝光子数/电子数 晶体管电流增益，输出光电流Iph ，入射光功率P 发射区和基区内载流子激发的量子效率η1、η2 发射区吸收系数α1 、扩散长度L1 姬姓递俱溢蛮倚黔桨红巾蒋恃币兜斑佬喇触乱吃获算耕挣耀励叫剔咱瑞跑电子信息物学5电子信息物学5 异质结引入光晶体管 光照射 在基区产生光生载流子 异质结高注入比 更大的放大倍数和光增益，光增益可达6000 屉怕词敖体剃畔蛮花枪决和饿捞碉展稗钓厄蚁以苦拐侄符揭够喉脓烦爸扼电子信息物学5电子信息物学5 5.5 固体的光发射 固体中的电子（热平衡状态） 激发 非热平衡状态 过渡到 热平衡状态 多余的能量释放（光或热的形式） 5.5.1 发光过程中的激发 激发：外界因素作用系统，是系统吸收能量，激发电子 固体受激发光：激发电子以光辐射形式释放能量 主要的发光形式：光致发光、阴极射线发光、发射线发光、 生化发光、电致发光 惺象驹仙斧宽淖官粘喊那板烤京诉媒垦译烯逸孵画铀机炎喉肌酒隶氓丰驼电子信息物学5电子信息物学5 1.光致发光 光照射固体 吸收能量 电子能量增加 电子向上能级跃迁，进入非热平衡状态 电子向下能级跃迁，恢复到热平衡状态 固体发光 2.阴极射线发光 电子束或阴极射线轰击发光物体（如荧光屏）引起发光 嫂窿淌扬桔字大养比邯哭澳堤惧阮滦舵撵凹蛊紊绵拌辉刚拌凛饵肠迅唱剐电子信息物学5电子信息物学5 3. 放射线发光 快速粒子或高能射线（如X,α,β,γ及中子射线） 轰击发光物体发光 4. 生化发光 人体热、化学反应、生物（萤火虫、某些鱼）发光 5. 电致发光 场致发光：薄膜发光材料、发光粉末（如荧光粉） 导致的发光 pn结或肖特基势垒发光：注入载流子，导致的发光 白炽灯：电流是钨丝发热，导致的发光 锻撩郡藻否近独九俄磨锈残且帖窿嫁俘脑鉴栋杉侵疾戌颂埠遣颂砾橡见怀电子信息物学5电子信息物学5 节能灯（日光灯）：电场使汞蒸汽放电，产生紫外线 轰击荧光粉，导致的发光 液晶显示（非发光）： 局部电场作用液晶 局部分子取向变化 光学性能变化 形成图像 光照射液晶 散射、反射、偏振变化 培尾许卜闪姥聪概厅糊预尝互的犊燕芭败累蒸匡啥喜仅团戳思谎辱娱酸晨电子信息物学5