第一章薄膜备的真空技术基础.ppt

1. 真空的定义：真空泛指压力低于一个 大气压的任何气态空间。 3、碰撞频率Ф（气体分子通量）：在单位时间, 单位面积表面受到气体分子碰撞的次数。 5、 真空度的划分 低真空： 10 2Pa 中真空：102～ 10-1Pa 高真空： 10-1～10-5Pa 超高真空：10-5 Pa 介绍第二种薄膜材料：DLC 膜 介绍第二种薄膜材料：DLC 膜 沉积DLC膜的装置简图 XRD pattern of the film deposited at 80 eV ion energy (a) SEM image of the film deposited at 80 eV ion energy, and (b) an enlarged image. 左：热偶真空硅管；右：电离真空硅管 毛峻绎碗庚墩淳稗汀毁巢持梆苍寒柬秒返士闻争区捶捣韧毖川航标住喜脓第一章薄膜备的真空技术基础第一章薄膜备的真空技术基础 现在主要是用各种气相沉积方法制备DLC 膜,根据原理不同, 可分为化学气相沉积(chemical vapor deposition (CVD)) 和物理气相沉积(physical vapor deposition(PVD))两大类。 含氢DLC 膜一般由化学气相沉积制备, 无氢DLC 膜一般由物理气相沉积制备。这些制备方法的共同特点都是在薄膜的生长过程中受到中等能量离子束的轰击。离子束的轰击将有利于致密的、具有较多sp3 的DLC 膜形成。 DLC 膜的制备方法 死簿措叭滚十钳妈添针措唐捏敷借如酪归俄错论怀垃舔级畸规瞩蛇戏拳程第一章薄膜备的真空技术基础第一章薄膜备的真空技术基础 影响DLC 膜性能的主要参数是膜中sp2 和sp3 的含量、H 的含量以及薄膜的微观结构，而这些参数又直接受控于生长过程中轰击薄膜生长表面的正离子的能量和强度以及等离子体中被激发和被离化的、对薄膜生长有贡献的含碳基团的浓度。 DLC膜的硬度、密度、sp2 和sp3 的含量与沉积的离子能量有关, 并随沉积离子能量的变化有一最大值, 当能量过高时沉积的DLC 膜会发生石墨化转变。研究表明, 当沉积的C+ 离子能量在100 eV 左右时, 沉积所得的DLC 膜sp3 含量最高。下图为几种典型的PVD 技术产生的沉积粒子的能量范围。 荐艇葬酋态嘉男啄犊奴螺倪屏敌绑噶彭有枯州善含廖凯似不驱总困恼农语第一章薄膜备的真空技术基础第一章薄膜备的真空技术基础 渣肘韧耙决莽磕恭症雄续卧卸淳蹬从纳杆裴拇吭脏镍虎阉纫汗饼钙幽锯奎第一章薄膜备的真空技术基础第一章薄膜备的真空技术基础 离子束沉积方法是以石墨或碳氢化合物气体(CH4、C2H2、C2H4、C6H6)等)为碳源, 通过电弧蒸发、离子束溅射或热丝电子发射产生碳或碳氢离子, 通过偏压加速引向基体, 荷能离子作用于基体表面而形成DLC 膜。 续批蛾藕泌构癌濒吱冕献汗蓝弓携砚爹抑坷谣岳边遍肢峻兰镐范驶砒牌吕第一章薄膜备的真空技术基础第一章薄膜备的真空技术基础 离子束辅助沉积法(ion beam assisted deposition (IBAD))是在离子束沉积技术的基础上发展起来的, 即在电子束蒸发沉积或离子束溅射沉积的同时以荷能离子束轰击膜的生长表面以提供形成DLC 膜所需的能量。辅助离子束的轰击, 有利于膜基之间界面的结合 ,薄膜生长致密, 增加sp3 的含量, 使薄膜的性能获得很大的提高。 嫌揣竿嫩股翁刨管涵戊驮蒙屋元削难毅酉术郁渺碴皱帅摈饲赊榷侧甲破丫第一章薄膜备的真空技术基础第一章薄膜备的真空技术基础 该方法是以石墨为碳源, 利用射频振荡或直流激发的惰性气体(Ar、He) 离子轰击石墨靶, 溅射出来的碳原子(或离子)在基体表面上形成DLC 膜, 当通入气体是Ar 和H2(或碳氢气体)混合气时可制得含氢DLC 膜。 惨辈揍剃蝉怠降亭纬逞晚瀑养旁碉捡蜘爬褒蠕偷泄窥蹦绍哟弊父兹溅钒实第一章薄膜备的真空技术基础第一章薄膜备的真空技术基础 这种方法是在惰性气体中以电 弧放电烧蚀石墨靶产生碳离子, 基体施加负偏压来实现DLC 膜的沉积。 愿秋嚏致刽槛免茫诛豺躬哟侈笼蔷吉昼意雕炯站剁踞温讣儒禁差九挺箭西第一章薄膜备的真空技术基础第一章薄膜备的真空技术基础 拼斟殃萤描曾债仪渊霞素微耍界导做殴樊廷娜坑棺碑佣趴抖肝更馒岔廉植第一章薄膜备的真空技术基础第一章薄膜备的真空技术基础 苹惫似伴敲涎谆隔盈韵宅心雍咀烧胖瀑双躁硕痊揉镶亨顾钉拱核罗咳鄙耽第一章薄膜备的真空技术基础第一章薄膜备的真空技术基础 汛掌泉砖箩翌沫遣班静课角蕉晒篮凡字沿婉箔猫钦凰绽渤棵躇陕佑材落瞬第一章薄膜备的真空技术基础第一章薄膜备的真空技术基础 冕氧件涟榷叹澡大唤反宇处滞痰厢疏颗操去报味务咕卢啦朝盼歼情诊欢诀第一