镀铜工艺流程说明技巧.ppt

Beijing 电镀定义: 电镀(electroplating)是--电沉积的过程(electrodepos- ition process)， 是利用电极(electrode)通过电流，使金属附着于物体表面上， 其目的是改变物体表面状态、特性、尺寸等。 电镀目的： 孔内镀铜，导通电路 基板（标准式样） 　　板厚1.0mm／通孔径0.30mm 　 激光孔径100-120um／深60-70um 　　要求镀铜厚度　　孔内13μm FVSS基板 　　激光孔径75um／深60-70um 要求镀铜厚度　　凹陷量20um以下 基板镀孔式样 化学镀铜工程 电镀铜 清洗 预浸 弱蚀刻 活化 还原 化学镀铜 电镀铜工程 Cleaner 酸浸渍 流程 溶胀 去钻污 中和 PNP1#线 PNP2#线 化学铜后 电镀铜后 目的：溶胀环氧树脂，使其软化，为高锰酸钾去钻污作准备。 药液：溶胀液、NaOH 反应： 环氧树脂是高聚形化合物，具有优良的耐蚀性。 其腐蚀形式主要有溶解、溶胀和化学裂解。 根据“相似相溶”的经验规律，醚类有机物一般极性较弱，且有与环氧树脂有相似的分子结构（R-O-R‘），所以对环氧树脂有一定的溶解性。 因为醚能与水发生氢键缔合，所以在水中有一定的溶解性。 因此，常用水溶性的醚类有机物作为去钻污的溶胀剂。 溶胀液中的氢氧化钠含量不能太高，否则，会破坏氢键缔合，使有机链相分离。 溶胀 去钻污 去钻污量0.1～0.3μm 目的：利用高锰酸钾的强氧化性，使溶胀软化的环氧树脂钻污氧化裂解。 药液：高锰酸钾、NaOH 反应： 高锰酸钾是一种强氧化剂，高锰酸钾在强酸性的环境中具有更强的氧化性，但在在碱性条件下氧化有机物的反应速度比在酸性条件下更快。 在高温碱性条件下，高锰酸钾使环氧树脂碳链氧化裂解： 4MnO4-+C环氧树脂+40H- = 4MnO42-+CO2(↑)+2H2O　 　 同时，高锰酸钾发生以下副反应： 4MnO4- +40H- = 4MnO42- + O2(↑) + 2H2O MnO42-在碱性介质中也发生以下副反应： MnO42- + 2H2O + 2e- = MnO2(↓) + 40H-　 目的：去除高锰酸钾去钻污残留的高锰酸钾、锰酸钾和二氧化锰 反应： 锰离子是重金属离子，它的存在会引起“钯中毒”，使钯离子或原子失去活化活性，从而导致孔金属化的失败。 因此，化学沉铜前必须去除锰的存在。 在酸性介质中： 3MnO42-+4H+ = 2MnO4-+MnO2(↓)+2H2O　 2MnO4- +5C2O42-+16H+ = 2Mn2++10CO2(↑)+8H2O　 C2O42-+MnO2+4H+ = Mn2++2CO2 (↑) +2H2O 由以上反应可知，通过还原步骤，可完全去除高锰酸钾去钻污残留的高锰酸钾、锰酸钾和二氧化锰。 中和 - - - - - - - - - - - - 孔壁电荷： 环氧树脂表面吸附到一层均匀负性的有机薄膜 ?中和表面電位 ?提高表面吸附性 ?洗浄表面 清洗-弱蚀刻 1、去除铜表面有机薄膜。如果不加以处理，这层薄膜将使铜表面在活化溶液中吸附大量的钯离子，造成钯离子的大量浪费； 2、由于薄膜的存在，将降低基体铜层与化学镀铜层的结合力。经粗化处理后，基体铜层形成微观粗糙表面，增加结合力。 主要反应： Cu+Na2S2O8→CuSO4+Na2SO4 Cleaner After Desmear Soft-etching 0.5～1.5μm Activator Pre dip Pd Pd Pd Pd Pd Pd Pd Pd 由于活化液的活性受杂质影响明显，所以在活化前必须进行预浸处理，防止杂质积累，影响其活性。在预浸液中，络合剂和活化液中的络合剂相同，但由于预浸液呈酸性，络合剂以盐的形式存在，其并没有络合能力，仅是浸润孔壁，为络合钯离子作准备。 为形成化学沉铜所需的活化中心做准备。 ? 预浸-活化-还原 Reducer Pd Pd Pd Pd Pd Pd Pd Pd Pd2+必须转化为Ｐd单质才具有催化活性，引发沉铜反应的产生 Electro-less copper plate Pd Pd Pd Pd Pd Pd Pd Pd Cu2+ Cu H2 Cu2+ Cu2+ Cu2+ Cu2+ Cu Cu Cu Cu Cu Cu Cu Cu Cu Cu Cu H2 H2 H2 H2 H2 H2 H2 H2 H2 H2 H2 Cu2+ Cu2+ Cu2+ Pd Pd Pd Pd Pd Pd Pd Pd Cu2+ Cu2+ Cu2+ Cu2+ Cu2+ Cu2+ Cu2+ Cu2+ HCHO HCOO- HCHO HCHO HCHO HCHO HCHO