ch6离子注入课稿.pptVIP

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6.6.2离子注入工艺流程 离子源和衬底 离子源采用含杂质原子的化合物气体。 防止沟道效应方法:硅片偏转一定角度;隔介质膜注入 掩膜 离子注入在常温进行,所以光刻胶、二氧化硅薄膜、金属薄膜等多种材料都可以作为掩膜使用。要求掩蔽效果达到99.99%。 注入方法 直接注入:离子在光刻窗口直接注入Si衬底。射程大、杂质重掺杂时采用。 间接注入:通过介质薄膜或光刻胶注入衬底晶体。间接注入沾污少,可以获得精确的表面浓度。 多次注入:通过多次注入使杂质纵向分布精确可控,与高斯分布接近;也可以将不同能量、剂量的杂质多次注入到衬底硅中,使杂质分布为设计形状。 6.6.2离子注入工艺流程 典型离子注入参数: 离子:P,As,Sb,B,In,O 剂量:1011~1018 cm-2 能量:1– 400 keV 可重复性和均匀性: ±1% 温度:室温 流量:1012-1014 cm-2s-1 6.6.2离子注入工艺流程 6.7离子注入的其它应用 浅结的形成 目的:抑制MOS晶体管的穿通电流,减小器件的短沟效应——因此要求减小CMOS源/漏结的结深 形成浅结困难很多 方法(1)分子注入方法 (2)降低注入离子能量 (3)预非晶化 对阈值电压VT的控制 对MOS管来说,栅电极可控范围是它下面极薄的沟道区,注入杂质可看作全包含在耗尽层内。 离子注入降低MOS管阈值电压工艺简单易行,在栅氧化层膜形成之后,通过薄的栅氧化层进入沟道区域低剂量注入,然后经过适当退火便能达到目的。 源 栅 漏 P-Si 离子注入区 SiO2 6.7离子注入的其它应用 6.7离子注入的其它应用 Xj 0.8Xj 难熔栅 SiO2 Si 源 漏 Xj 难熔栅 SiO2 Si 源 漏 浅注入层 扩散形成 寄生电容大 自对准金属栅结构 自对准金属栅结构 早期MOS工艺先形成源区和漏区,再制作栅。栅源、栅漏之间的交叠存在很大寄生电容,使高频特性变差。 与扩散法MOS工艺不同,离子注入自对准MOS是先制作栅极,并使之成为离子注入的掩膜,从而形成离子注入掺杂的漏、源区。栅与源、漏可以自动对准,并且交叠 电容大大减小,改善了高频特性。 离子注入在集成电路中的应用 一、CMOS制造 9-10 different I/I identified ! 6.7离子注入的其它应用 离子注入在2μmN阱CMOS中的应用 N阱注入:P+,QT=3×1012cm2, E=80keV 阱外场注入:B+, QT=1×1013cm2, E=120keV 注P+31:防止寄生沟道 调解阈值电压: B+, QT=6×1011cm2, E=100keV 注NMOS源、漏:P+, QT=3×1015cm2, E=150keV 注PMOS源、漏:B+, QT=5×1015cm2, E=100keV n+ p+ P沟 p+ N阱 p+ n+ n+ n沟 p-Si Vi VO VSS VDD S D D G G S 6.7离子注入的其它应用 双极型制造(Bipolar fabrication) 高能注入形成埋层 LOCOS(局域氧化隔离)下方的p-n结隔离 形成基区注入 砷注入多晶硅发射区 多晶电阻 6.7离子注入的其它应用 SIMOX注氧隔离技术 SOI片的制作,可采用向Si中离子注入O+工艺,通过退火获得SiO2层,这种工艺称为SIMOX技术(Separation by implanted oxygen)。 SIMOX技术是迄今为止最成熟的制备技术。 它主要包括两个工艺步骤: (1) 氧离子注入 用以在硅表层下 产生一个高浓度的注氧层 ;(2)高温退火 使注入的氧与硅反应形成绝缘层 这 种方法的主要限制是需要昂贵的大束流注氧专用机,另一个问题是为消除氧注入损伤 ,实现表面硅层固相再结晶,形成良好的界面,必须用专用退火炉进行高温长时间退火 ,因而 材料成本 较高。 SIMOX 技术制成的材料 ,厚度均匀,尤其适于制作超薄型SOI。 6.7离子注入的其它应用 6.7离子注入的其它应用 Smartcut智能剥离技术 Smartcut技术是法国公司的M.Bruel 等提出的 ,其原理是利用H+注入在Si 片中形成气泡层,将注氢片与另一支撑片键合(两个硅片之间至少一片的表面要有热氧化 SiO2覆盖层 ,经适当的热处理使注氢片从气泡层完整裂开,形成 SOI结构。 SmartCut技术是一种较理想的SOI制备技术。 6.7离子注入的其它应用 6.7离子注入的其它应用 ? 对比内 容 热扩散 离子注入 动力 高温、杂质的浓度梯度 平衡过程 动能,5-500KeV 非平衡过程 杂质浓度 受表面固溶度限制掺杂浓度过高、过低都无法实现 浓度不受限 结深 结深控制不精确 适合深结掺杂

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