位错的生成与增殖解析.pptVIP

第7章 晶体缺陷 §7.5 位错的生成与增殖 1、位错来源 1）凝固时在晶体长大相遇处，因位向略有差别而形成； 2）因熔体中杂质原子在凝固过程中不均匀分布使晶体的先后凝固部分成分不同，从而点阵常数也有差异，而在过渡区出现位错； 3）流动液体冲击、冷却时局部应力集中导致位错的萌生。 4）晶体裂纹尖端、沉淀物或夹杂物界面、表面损伤处等都易产生应力集中，这些应力也促使位错的形成。 5）过饱和空位的聚集成片也是位错的重要来源。 2、位错的增殖 塑性变形时，有大量位错滑出晶体，所以变形以后晶体中的位错数目应当减少。 但实际上，位错密度随着变形量的增加而加大，在经过剧烈变形以后甚至可增加４～５个数量级。 此现象表明：变形过程中位错肯定是以某种方式不断增殖，而能增值位错的地方称为位错源。 位错增殖机制有多种，其中最重要的是： 弗兰克和瑞德于1950年提出并已为实验所证实的位错增殖机构称为弗兰克-瑞德(Frank-Rend）源，简称F-R源。 设想晶体中某滑移面上有一段刃型位错AB，其两端被位错网节点钉住，如图： 当外切应力满足必要的条件时，位错线AB将受到滑移力的作用而发生滑移运动。 在应力场均匀的情况下，沿位错线各处的滑移力Ｆt＝τｂ大小都相等，位错线本应平行向前滑移， 但因位错AB两端被固定住，不能运动，势必在运动的同时发生弯曲，结果位错变成曲线形状，如图（b）所示。