固体物理 (第7章 半导体电子论1.pptVIP

* 第七章 半导体电子论 由于半导体内部电子运动的多样化，它的性质密切依赖于杂质、 光照、温度、压力等因素，因此半导体具有极其广泛的应用。 §7-1 半导体的基本能带结构 半导体的能带情况是：存在一系列满带，最上面的满带称为价带； 存在一系列空带，最下面的空带称为导带。由于价带顶和导带底之间 的带隙较小，因此在一般温度下，导带底有少量电子，价带顶有少量 空穴，半导体就是依靠这些少量的载流子导电的。 一、半导体的带隙 光照可以激发价带的电子到导带，形成电子—空穴对，这个过程 称为本征吸收，本征光吸收光子能量应该不小于价带与导带之间的带 隙宽度，因此存在长波极限： ，称为本征吸收边。 在本征吸收边附近的光跃迁有两种类型。第一种类型对应于导带 顶和价带顶在k空间相同的的情况，如下图。 由于电子吸收光子自价带k状态跃迁到导带 态除了需要满足能量守恒外，还需满足动量守恒，即 。在讨论本征吸收时，由于光子的动量可以忽略，因此光吸收的跃迁选择定则可以近似成 ，也就是说，在跃迁过程中，波矢可以近似看成不变，在能带的图 上，初态和末态几乎在同一竖直线上，因此这样的跃迁称为竖直跃迁。 第二种类型对应于导带底和价带顶在k空间不同点的情况。这时在本征吸收边附近的光吸收过程是所谓非竖直跃迁，在这种情况下，单纯吸收光子不足以使得动量守恒条件得到满足，必须伴随声子的吸收或者发射。由于声子的能量较小，因此能量、动量守恒关系为：电子能量差=光子能量； ，即在非竖直跃迁过程中，光子主要提供跃迁所需的能量，而声子则主要提供跃迁所需的准动量。 和竖直跃迁相比，非竖直跃迁是一个二级过程，发生的几率要小的多。通常把导带底和价带顶处于k空间同一点的半导体称为直接带隙半导体，处于不同点的称为间接带隙半导体。 导带中的电子跃迁到价带空能级而发射光子是上述光吸收的逆过程，称为电子--空穴对复合发光。一般情况下电子集中在导带底，空穴集中在价带顶，发射光子的能量基本上等于带隙宽度。由于和光吸收情况同样原因，在直接带隙半导体中这种发光的几率远大于间接带隙半导体，因此制作利用电子—空穴复合的发光器件时，一般要用直接带隙半导体。发光的颜色取决于带隙宽度。 §7-2 半导体中的杂质 实际半导体由于缺陷的存在，因此除去和能带对应的共有化状态以外，还存在一定数目的束缚状态，这些由缺陷引起的束缚态有的落入许可带，有的落入禁带。落入许可带的能级由于不需要能量就可以转化为共有化状态，因此不可能是稳定的束缚态，对半导体性质取决定性作用的是落入带隙中的能级。 一、施主和受主 根据对导电的影响，杂质态分为两种类型：施主型：指杂质在带隙中提供带有电子的能级。由于电子由施主能级激发到导带远比满带激发到导带容易，因此主要含施主杂质的半导体的导电性能几乎完全依靠由施主热激发到导带的电子。这种主要依靠电子导电的半导体，称为N型半导体。受主型：指杂质在带隙中提供带有空穴的能级。由于电子由满带激发到受主能级远比自满带激发到导带容易，因此主要含受主杂质的半导体的导电性能几乎完全依靠由满带电子热激发到导带后留下的空穴。这种主要依靠空穴导电的半导体，称为P型半导体。如下图 二、类氢杂质能级 不同材料、不同杂质，产生束缚态的具体原因可能很不相同。这里介绍一种最简单的也是实际上最重要的一类杂质能级—类氢杂质能级．在锗、硅、Ⅲ—V族化合物等最重要的半导体材料中发现，加人多一个价电子的元素(如在锗、硅中加入的磷、砷、锑；在Ⅲ—V族化合物中加入Ⅵ族元素代替V族元素)，它们成为施主；加入少一个价电子的元素(如在锗、硅中加入的铝、镓、铟，在Ⅲ—V族化合物中加入Ⅱ族元素代替Ⅲ族元素)，它们称为受主。 构成施主能级和受主能级的原理可以理解为：加入多一个价电子的原子，在填满满带之外还多余一个电子，同时比原来原子多一个正电荷，因此这种杂质宛如在基底的基础上多出一个氢原子；加入少一个价电子的原子而构成受主的原因和施主类似。由于要填满基底的电子结构，需要从满带中取一个电子造成满带产生一个空穴，这个空穴被杂质的负电荷（得到满带中的一个电子）所束缚，亦类似氢原子的情形，只是正负电荷对调。 通过计算施主态电离能级比导带低： ；受主态电 离能级比价带高： 。该能量的数量级为百分之几电子伏 特，远小于带隙能量。如下图 *