固体的能带(结构.pptVIP

则B 原子浓度～1018 cm? 3 np= 1.5×1010 室温下： 本征激发 杂质激发 导带中电子浓度 nn=1.5×1010cm? 3 满带中空穴浓度 设 Si中B的含量为10－4 + 1018 = 1018 cm? 3 空穴是多数载流子， 电子是少数载流子。 空穴浓度np ～ 受主杂质浓度na 在p型半导体中： Si 原子浓度～1022 cm? 3 3. n型化合物半导体 例如，化合物GaAs中掺Te，六价的Te替代五价的As可形成施主能级，成为n型GaAs杂质半导体。 4. p型化合物半导体 例如，化合物 GaAs中掺Zn，二价的Zn替代三价的Ga可形成受主能级，成为p型GaAs杂质半导体。 三. 杂质的补偿作用 实际的半导体中既有施主杂质（浓度nd），又有受主杂质（浓度na），两种杂质有补偿作用： 若nd ? na——为n型（施主） 若nd ? na——为p型（受主） 利用杂质的补偿作用，可以制成 p-n 结。 §4.4 p -n 结 一. p - n 结的形成 在 n 型半导体基片的一侧掺入较高浓度的 面附近产生了一个内建 阻止电子和空穴进一步扩散。 电子和空穴的扩散， 在p型和n型半导体交界 p型半导体(补偿作用)。 受主杂质， （电）场 该区就成为 n型 p型 内建场大到一定 程度，不再有净电 荷的流动，达到了 新的平衡。 在p型和 n型交界面附近形成的这种特殊结构称为p-n结（阻挡层，耗尽层），其厚度约为0.1?m。 p-n结 p型 n型 U0 电势 电子电势能 p-n结 n p 由于p-n结的存在，电子的能量应考虑进势 这使电子能带出现弯曲： 空带 空带 p-n结 施主能级 受主能级 满带 满带 垒带来的附加势能。 二 . p - n结的单向导电性 1. 正向偏压 p-n结的p型区接电源正极，叫正向偏压。 向p区运动， 阻挡层势垒降低、变窄， 有利于空穴向n区运动， 也有利于电子 和 反向， 这些都形成正向电流（mＡ级）。 p型 n型 I + ? * 固体的能带结构 第4章 2005年秋季学期 目 录 §4.1 固体的能带 §3.2 导体和绝缘体 §4.3 半导体的导电机构 §4.4 p ? n 结 △§4.5 半导体器件 §4.6 半导体激光器（补充） 固体物理既是一门综合性的理论学科又和 固体物理是信息技术的物理基础 1928-29 建立能带理论并由实验证实 1947 发明晶体管 1962 制成集成电路 实际应用紧密结合（材料、激光、半导体…） 1982 80286 13.4万 80486 120万 1993 pentium 320万 1995 pentium MMX 550万 1997 pentium2 750万 集成度每 10 年增加 1000 倍 ！ 1971 intel 4004 微处理器芯片 2300晶体管 集成度的每一步提高，都和表面物理及光刻 没有晶体管和超大规模集成电路，就没有计 现在在一个面积比邮票还小的芯片上可以集 其上可以集成10 9个元件， 度只有0.12微米。 成一个系统， 的研究分不开。 算机的普遍应用和今天的信息处理技术。 沟道长 先看两个原子的情况 . Mg . Mg 根据泡利不相容原理，原来的能级已填满不能再填充电子 1s 2s 2p 3s 3p 1s 2s 2p 3s 3p §4.1 固体的能带 — 分裂为两条 各原子间的相互作用 ? 原来孤立原子的能级发生分裂 若有N个原子组成一体，对于原来孤立原子 的一个能级，就分裂成 N条靠得很近的能级， 能带的宽度记作 ?E ?E ～eV 的量级 若N~1023，则能带中两相邻能级的间距 称为能带（energy band）。 约为10-23eV。 能级 能带 N条 能隙，禁带 ?E 一般规律： 1. 越是外层电子，能带越宽，?E越大； 2. 点阵间距越小，能带越宽，?E越大； 3. 两个能带有可能重叠。 离子间距 a 2P 2S 1S E 0 能带重叠示意图 一. 电子在周期势场中的运动 电子共有化 孤立原子中电子的势阱 电子能级 + 势垒 固体（这里指晶体）具有由大量分子、 电子受到周期性势场的作用： a 原子或离子的规则排列而成的点阵结构。