15电力电子器件的驱动.doc

1.5 电力电子器件的驱动 可控型电力电子器件（包括全控和半控）多为三端器件，其中有两个电极接主电路，如晶闸管的阳极和阴极、GTR的集电极和发射极。工作时可承受很高的电压和通过很大的电流。另一个电极起控制作用，如晶闸管的门极，MOSFET的栅极，在其上面施加一定的电压或通以适当的电流可以控制器件的通断。较之主电路的电压或电流，这个起控制作用的电极上的电压或电流都很小，这种“以弱控强”的作用称之为驱动，与之相关的电路叫做驱动电路。电力电子器件的结构和性能各不相同，对驱动信号的要求也不一样，这使得各种器件的驱动电路存在着很大的差异。 1.5.1 晶闸管驱动电路 晶闸管为半控型电力电子器件，只能控制开通不能控制关断，因此在设计驱动电路时只考虑开通控制。如前所述，晶闸管开通的条件是：（1）阳极与阴极之间加正向电压，阳极为正，阴极为负（这个电压一般很高）；（2）门极与阴极之间加一定数量的正向电压，门极为正，阴极为负（同时形成一定的门极电流）。另外，晶闸管一旦导通，门极则失去控制能力，所以晶闸管的驱动信号只需一个电压和电流脉冲即可，但是脉冲的宽度要大于晶闸管的开通时间。因此常把晶闸管的导通驱动叫做“触发”。 由图1-2可看出，晶闸管的门极和阴极之间为一PN结，控制信号相当于给这个PN结施加正向电压，那么电压UGK和电流IG之间就应表现出PN结正向特性的关系，但是，由于晶闸管的特殊要求导致设计和工艺上的差异，上述PN结和一般作为二极管使用的PN结的特性有很大的不同，主要表现在后者的正向伏安特性曲线基本上是一条斜率很大的指数曲线，并且同一型号产品基本都符合同一条曲线；而前者曲线的斜率有时会很小，且即使同一型号同一批量的产品，个别器件之间特性也存在着很大的离散性。因此把某种型号的晶闸管门极伏安特性曲线中斜率最大的和最小的两条曲线标在UGK-IG平面，作为其门极伏安特性。图1-20为晶闸管的门极特性，其中曲线AB为斜率最大的门极特性曲线，曲线FE为斜率最小的门极特性曲线，两线之间的扇型区域为可能出现的门极特性曲线的范围。 图1-20 晶闸管的门极特性 在对门极施加驱动信号时，为保证晶闸管的安全，驱动信号的幅度受到最大门极电压UGM、最大门极电流IGM和最大门极功耗PGM的限制，在图中分别由直线BC、直线DE和曲线CD标出。为保证晶闸管可靠“触发”导通，门极电压和门极电流要具有一定的强度，手册中通常表示为门极可靠触发电压UGT和门极可靠触发电流IGT。在图1-20中分别由直线AG和GF标出。这样供给晶闸管的驱动电压和电流应属于图1-20中线段ABCDEFG围成的区域。 在实际应用中，希望触发电流IG有以下特点：脉冲前沿陡峭，并且脉冲刚开始的一段时间有较大的幅度，这样有利于晶闸管的快速开通；随后IG下降到一个较小的数值并维持到脉冲结束，这样有利于减少门极及驱动电路的功耗。另外，由于晶闸管的阴极与强电回路连接，电压很高，而驱动电路为电压很低的电子线路，一般要将两者进行电气隔离，通常采用脉冲变压器或光电耦合器。图1-21为满足上述要求的脉冲波形和产生此波形的脉冲变压器隔离功放电路。 图1-21 晶闸管触发电路及触发电流波形 在图1-21中，三极管V为功放管，基极为脉冲输入，放大后的脉冲经变压器耦合到晶闸管的G-K之间。基极有脉冲输入时，V 导通，变压器初级出现电流，耦合到次级为晶闸管提供驱动信号。二极管VD2的作用是保证晶闸管门极不出现反向电流，VD3用来保证晶闸管的G-K之间不出现反向电压。 图1-21中30V直流电源和电阻R、电容C构成“强触发”电路。在输入信号到来之前，电源通过R向C充电，C两端电压保持在30V。一旦输入信号到来，V导通，C通过变压器初级、晶体管V放电，此时电容电压全部加在变压器两端，由于电压较高，晶闸管可得到较大的驱动电流，电容电压高于12V电源的电压，故VD1阻断。电容C的容量并不大，随着C的放电，其电压越来越小，当该电压低于12V时VD1导通，脉冲变压器初级绕组上端的电位被钳位在12V左右，+12V电源为三极管供电，由于电压的减小，脉冲变压器初次级绕组中的电流都会减小，晶闸管得到的门极驱动电流IG也将减小。而后一直保持在一个较小的数值。触发脉冲一直维持到晶闸管可靠导通以后，最终触发脉冲消失，功放管由导通变为截止。 1.5.2 GTO的驱动电路 GTO为全控型器件，门极加正脉冲可控制开通，加负脉冲控制关断，但是由于GTO的关断增益很小，所以要求负的电流脉冲要有足够大的幅度才能使GTO关断。这就给驱动电路提出了新的要求，也给电路设计增加了难度。GTO要求的驱动电流波形如图1-22（a）。对触发电流的波形有以下具体要求：（1）开通时门极电流的上升率尽可能陡，这样有利于器件阳极电流的快速增加，缩短开通