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第一章 晶体管与场效应管 1.1 半导体的基本知识与PN结 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 半导体三极管 1.5 场效应晶体管 本次课小结 1、半导体与金属导电的不同（载流子）。 2、半导体的三大特性。 3、本征半导体、热（本征）激发。 4、掺杂半导体、多子和少子。 5、PN结的形成。 6、PN结的单向导电性。 ☆☆☆ 从二极管的主要参数中可得出二极管单向导电性失败的场合及原因 ☆☆☆ 1、正向偏压太低。（不足以克服死区电压） 2、正向电流太大。（会使PN结温度过高烧毁） 3、反向偏压太高。（造成反向击穿） 4、工作频率太高。（使结电容容抗下降而反向不截止） 选择限流电阻阻值的原则 1、当输入电压最大而负载要求的电流最小时，流过稳压二极管的电流最大，此时限流电阻要保证流过稳压二极管的电流小于最大电流； 2、当输入电压最小而负载要求的电流最大时，流过稳压二极管的电流最小，此时限流电阻要保证流过稳压二极管的电流大于最小电流。 二极管模型：理想二极管、理想二极管串联电压源（恒压降）、折线模型、恒压降串联电阻（考虑压降的折线模型）、用数字公式近似描述的二极管伏安特性： 本次课内容 二极管的结构和伏安特性 二极管的主要参数。 二极管单向导电性失败的场合及原因。 二极管的几种分析模型。 特殊二极管 二极管应用举例。 用万用表检测二极管的好坏及极性 万用表欧姆档，黑表笔对应于表内电池的正极，而红表笔对应于表内电池的负极。 二极管正偏时导通，呈现的电阻阻值较小。 二极管反偏时截止，呈现的电阻阻值较大。 1-4-5 三极管的测试与应用 用万用表检测二极管的好坏及极性 万用表欧姆档，黑表笔对应于表内电池的正极，而红表笔对应于表内电池的负极。 二极管正偏时导通，呈现的电阻阻值较小。 二极管反偏时截止，呈现的电阻阻值较大。 举例说明三极管工作状态的特点 P.63. 2.1 2.3 1-5-2 结型场效应管（J-FET） 与双极型晶体管的比较 1、只有多子参与导电，受温度影响较小（热稳定性较好），抗辐射能力较强。 2、结型场效应管工作时PN结必须反偏、MOS管则由于栅极被绝缘，故场效应管的输入阻抗大大高于三极管。 3、集成度高。 4、使用注意事项。 UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 P N N G S D UDS UGS UT（VT） iD=f(uGS)?uDS=常数 三、增强型N沟道MOS管的特性曲线 输出特性曲线 转移特性曲线 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 符号 三极管的结构特点：基区特别薄，发射区掺杂浓度特别高，集电结面积特别大。 一、实验测试方法 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 1-4-2 电流分配和放大原理 结论: 1. IE=IC+IB 3. IB=0时, IC=ICEO（穿透电流） 4.要使晶体三极管处于放大状态,发射结必须正偏,集电结必须反偏。 二. 电流放大原理* B E C N N P EB RB EC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入基区的电子少部分与基区的空穴复合，形成复合电流IBE ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 B E C N N P EB RB EC IE 集电结反偏，集电区少子漂移形成的反向电流ICBO。 ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE 从发射区扩散来的电子作为基区的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 IB=IBE-ICBO?IBE IB B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE ICE与IBE之比称为电流放大倍数 无数次试验发现：漂移到集电区的电子数（或其变化量）与在基区复合的电子数（或其变化量）总成比例，即ICE与IBE之比为一常数，称作电流放大倍数。 一.输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。 1-4-3 特性曲线 二、输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB，称为线性区（放大区）。 当VCE大于一定的数值时，IC只与IB有关：IC=?IB。 IC(mA ) 1 2 3 4 VCE(V) 3 6 9 12 IB=0