气敏传感器[精选].pptVIP

7、标定气体中电压Ucs SnO2气敏元件在不同气体、不同浓度条件下，其阻值将相应发生变化。因此，为了给出元件的特性，一般总是在一定浓度的气体中进行测度标定。把这种气体称标定气体，例如，QM-N5气敏元件用0.1%丁烷（空气稀释）为标定气体，TGS813气敏元件用0.1%甲烷（空气稀释）为标定气体等等。在标定气体中，气敏元件的负载电阻上电压的稳定值称为标定气体中电压，用Ucs表示。显然，Ucs与元件工作电阻Rs相关 8、电压比Ku 电压比是表示气敏元件对气体敏感特性，与气敏元件灵敏度相关。它的物理意义可按下式表示。 式中，Uc1和UC2——气敏元件在接触浓度为c1和c2的标定气体时负载电阻上电压的稳定值。 9、回路电压Uc 测试SnO2气敏元件的测试回路所加电压称为回路电压，用Uc表示。这个电压对测试和使用气敏器件很有实用价值。根据此电压值，可以选负载电阻，并对气敏元件输出的信号进行调整。对旁热式SnO2气敏元件，一般取Uc=10V。 基本测试电路 烧结型SnO2气敏元件基本测试电路如图10-21所示。 图10-21a为采用直流电压测试旁热式气敏元件电路， 图10-21b、c采用交流电压测试旁热式气敏元件电路。 无论哪种电路，都必须包括两部分，即气敏元件的加热回路和测试回路。现以图10-21a为例，说明其测试原理。 图10-21a中与元件加热器组成加热回路，直流稳压电源供给加热回路电压UH ，0-20V直流稳压电源与气敏元件及负载电阻组成测试回路，负载电阻RL兼作取样电阻。从测量回路可得到 由式可见，URL与气敏元件电阻Rs具有对应关系，当RS降低时，URL增高，反之亦然。因此，测量RL上电压降，即可测得气敏器件电阻RS。 图10-21b、c测试原理与图10-19a相同、用直流法还是用交流法测试，不影响测试结果，可根据实际情况选用。 式中Ic——回路电流； URL——负载电阻上的压降 SnO2气敏电阻的基本检测电路 2．ZnO(氧化锌)系气敏元件 ZnO系气敏元件对还原性气体有较高的灵敏度。它的工作温度比SnO2系气敏元件约高100℃左右，因此不及SnO2系元件应用普遍。同样如此，要提高ZnO系元件对气体的选择性，也需要添加Pt和Pd等添加剂。例如．在ZnO中添加Pd，则对H2和CO呈现出较高的灵敏度；而对丁烷(C4H10)、丙烷(C4H8)、乙烷(C4H6)等烷烃类气体则灵敏度很低，如下图(a)所示。如果在ZnO中添加Pt，则对烷烃类气体有很高的灵敏度，而且含碳量越多、灵敏度越高，而对H2和CO气体则灵敏度很低，如下图(b)所示。 2. 非电阻型半导体气敏传感器 非电阻型气敏器件也是半导体气敏传感器之一。它是利用MOS二极管的电容—电压特性的变化以及MOS场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压的变化等物性而制成的气敏元件。由于这类器件的制造工艺成熟，便于器件集成化，因而其性能稳定且价格便宜。 利用特定材料还可以使器件对某些气体特别敏感。 MOS二极管气敏传感器 在P型半导体硅芯片上，采用热氧化工艺生成一层厚度为50～100nm左右的SiO2层，然后再在其上蒸发一层钯金属薄膜作为栅电极。由于SiO2层电容Cαx是固定不变的，Si—SiO2界面电容Cx是外加电压的函数，所以总电容C是栅极偏压U的函数，其函数关系称为MOS管的电容—电压特性（即C—U特性）。 MOS二极管气敏器件 结构和等效电路 当传感器工作时，由于钯在吸附H2后，会使钯的功函数降低，从而引起MOS管的C—U特性向负偏压方向平移，如图7.27所示，由此可测定H2浓度。 图7.27 MOS二极管气敏器件 的C—U特性 a—吸附H2前 b—吸附H2后 Pd—MOSFET气敏传感器 Pd—MOSFET气敏传感器是利用MOS场效应晶体管（MOSFET）的阀值电压随被测气体变化而变化的原理制成的气敏器件。 Pd—MOSFET与普通MOSFET的主要区别是采用钯（Pd）薄膜取代铝（Al）膜作为栅极，并将沟道的宽长比（W/L）增大到50～100，所以又称为钯栅场效应晶体管，其结构如图所示。 (a)主视图 Pd—MOSFET气敏器件结构示意图 (b)俯视图 (2)MOS场效应晶体管气敏器件 钯-MOS场效应晶体管(Pd-MOSFET)的结构， 参见图11-6。由于Pd对H2很强的吸附性，当H2吸附在Pd栅极上时，会引起Pd的功函数降低。由MOS