材料科学基础第五章2幻灯片.ppt

3.晶粒长大速度 正常晶粒长大时，晶界的平均移动速度 为 dt d D ? r ? 2? V ? m Δ P ? m ? ? ? ? ? ? ? V ：晶界平均迁移率 ? Δ P ：晶界平均驱动力 ? r ：晶界平均曲率半径 ? d D ：晶粒平均直径的增大速度 ? m 对于大致均匀晶粒而言， 一定温度下均可看作常数，因此 积分 为常数 若 》D 0 则有 D2 t ＝K / t 或 这表明恒温下发生正常晶粒长大时，平均 晶粒直径随保温时间的平方根而增大 更常见的情况下 D ， ，n1/2 因存 在晶界移动和阻碍晶粒长大诸因素 ? ? ? 2 r ? D dt K ? 1 ? d D ? D ? ? K ?t D D 2 0 2 1 / K , K ? D t ? ? ? Ct 1 / 2 _ D t ? Kt n t _ 归纳晶界迁移的规律性有如下几点： 1.为降低表面能，弯曲的晶界总是趋向于平直化，即晶界 向曲率中心移动以减小表面积； 2.当三个晶粒的晶界夹角不等于120°时，晶界总是向角度 较锐的晶粒方向移动，力图使其夹角趋向于120°； 3.在二维坐标中， 晶界边数6的晶粒（晶界向外凹出） 必然逐步缩小，甚至消失 晶界边数6的晶粒（晶界向内凹进）必然逐步长大 晶界边数=6 晶界平直，且夹角＝120°， 处于平衡状态不再移动 4.晶界迁移速度将随晶界曲率半径增大而减小，且随时间 而改变 4. 影响晶粒长大的因素 Several important factors on grain growth 1) 温度 由于晶界迁移与原子的热激活有关，其中晶界 成正比 积分得 的平均迁移速率 m 与 Q m / RT e （Qm为晶界迁移的激活能） Q m / RT ? K ? e ? D dt ? d D 1 / K ? K e?Qm / RT / ? t ? K e?Qm / RT D 2 t ? D ? 2 _ 2 0 ? Q / 2.3RT 0 ) ? lg K t t ? D lg( D m 2 2 2 2）可溶解的杂质或合金元素 溶解原子都能阻碍晶界移动，特 别是晶界偏聚现象显著的元素，其作 用更大。一般认为被吸附在晶界上的 溶质原子会降低晶界的界面能，能拖 住晶界使之不易移动 3）不溶解的第二相 弥散的第二相质点对 于阻碍晶界移动起着重 要的作用。当运动的晶 界迁移到第二相质点 （设为球形）时，第二 相质点对晶界的移动产 生一阻力，拖住晶界使 之不向前移动，如果此 时处于平衡状态，则阻 力F的大小必须等于总 张力在 ⊥ 方向的分 力 此处加图5-60 实际上晶界迁移能力及其所决定的晶粒长大速度， 不仅与分散相粒子的尺寸有关，而且与第二相颗粒的弥 散度密切相关。 假定弥散相在晶体中呈均匀分布,单位体积晶体中存 在着N个粒子,当单位面积的晶界移动2r距离时，切过体 积为2r×1,必然会切过2rN个第二相质点 ∴ 单位面积晶界上各粒子对晶界移动所施加的总约束力 F ? 2?r cos? ?? b sin? ? ? ? r ?? b sin 2? F ? Fmax ? 2rN ? 2?r N? b / 2 max 接触周界 晶界能 当?＝45°时，此约束力为极大值： Fmax ? ?r? b 因单位体积晶体中分散相粒子所占体积分数为： 而晶界移动的驱动力 当 时，正常晶粒长大就停止，此时晶 ∴ ? ? 4 ?r3 N 3 ? 3 ? ?? b 2 r ? 2?r 2 N? F / b max _ D 2? b ΔP ? ? ΔP F / max 2 r D 2? b ? 3 ?? b _ lim 3? 4r _ lim D ? 4）晶粒间的位向差 晶界的界面能决定于相邻 晶粒间的位相差。小角度晶界的界面能小于 大角度晶界的，而驱使界面移动的力又与界 面能成正比。因此，前者的迁移速度要小于 后者。 5）热蚀沟 金属在高温下长时间加热，晶界与 金属表面相交处会产生热蚀沟（为了达到表 面张力互相平衡，通过表面扩散而产生）它 存在也影响晶粒长大。 二 、晶粒的异常长大——二次再结晶 Secondary Recrystallization 晶粒的异常长大又称不连续晶粒长大或二 次再结晶，是一种特殊的晶粒长大现象，通 常发生于一次再结晶后经正常晶粒长大的基 体中。其特点为少数晶粒迅速长大，使晶粒 之间的尺寸差别显著增大，直到这些迅速长 大的晶粒完全接触为止。 1 异常长大:少数再结晶晶粒的急剧长大现象。(二次再结晶） 2 基本条件:正常晶粒长大过程被(第二分散相微粒、织构） 强烈阻碍。 3 驱动力：界面能变化。（不是重新形核） 钉扎晶界的第二相溶于基体. 4 机制 再结晶织构中位向一致晶粒的合并. 大