传感器第9章幻灯片.ppt

第9章 半导体传感器 传感器原理及工程应用 第9 章 半导体传感器 9.1 气 敏 传 感 器 气敏元件是以化学物质的成分为检测参数的化学敏感元件。 9.1.1 概述 气敏传感器用于检测气体类别、浓度和成分的传感器，主要是半导体、接触燃烧式、固体电解质气敏传感器。 利用待测气体与半导体表面接触时产生物性变化来检测。 根据作用是在表面或内部分为表面控制型与体控制型 根据物性分电阻型与非电阻型（如伏安特性）。 特点：暴露在气体中温度湿度变化大，存在粉尘油污等 要求:选择性检测单一气体对共存物质响应小，长期稳定，重复性好，响应速度快，灵敏度高 用于易燃、易爆、有毒、有害气体的监测和自动控制。 9.1.1.1气体检测系统 包括：组合了基于一（多）种传感技术气体传感器和采样调理电路的探头、监测控制系统及接口。 气体传感器将某种气体(压力、浓度)转化为电信号。 9.1.1.2 气体危险性定义： 1）有毒性气体： TLV:安全限(8h/天或40h/周)；STEL：短时(15min内无害)暴露限；IDLH：致命限人可存活30分钟的最高气体浓度 2）氧气：含量低于19.5%为危险限，低于18%为致命限。 3）易燃易爆气体： 最低爆炸限LEL：高于LEL发生爆炸，安规为10% LEL 最高爆炸限UEL：低于UEL发生爆炸 9.1.1.3 气体传感器主要性能： 1、 稳定性：由零点漂移和区间漂移来衡量 零点漂移指无目标气体时传感器对基本线性条件的响应变化10%/年；区间漂移目标气体中的响应变化10%/年。 2、 灵敏度：在一定浓度的检测气体中的电阻值Rg与洁净空气中电阻值Ra之比：K= Ra /Rg； Rg =mlgC +n 3、 选择性（交叉灵敏度）：S≤K0/Kf；K0为目标气体灵敏度；Kf为干扰气体灵敏度。一般取S=5 4、 抗腐蚀性：传感器暴露于高浓度目标气体的能力。应能承受目标气体期望浓度的10~20倍。 器件被加热到稳定状态，气体被吸附，在表面自由扩散, 部分被蒸发，残余部热分解固定在吸附处(化学吸附). 9.1. 2半导体气敏传感器的机理 利用气体在半导体表面的氧化还原反应导致阻值变化的。 半导体功函数小(大)于亲和力，成负(正)离子氧（氢）吸附，如氧（氢）表面成电荷层。 为提高气敏元件对气体成分的选择性和灵敏度，有时还渗入催化剂，如钯（Pd）。 氧化型气体吸附到N型，还原型气体吸附到P型上电阻增加 氧化型气体吸附到P型，还原型气体吸附到N型上电阻下降 半导体电导率的增加是由于多数载流子浓度增加的结果 时间 器件加热 稳定状态 大气中 吸气中 还原气体 氧化气体 响应时间 N型半导体气敏传感器阻值变化 电阻/kW 时间 2-4min 1）烧结型气敏元件：将元件的电极和加热器均埋在金属氧化物气敏材料中, 烧结而成。 气敏电阻元件按制造工艺上分烧结型、薄膜型、厚膜型。 常用的是氧化锡(SnO2)烧结型气敏元件, 它的加热温度较低 SnO2气敏半导体对可燃性气体, 如氢、CO、丙烷等有较高的灵敏度 2）薄膜型气敏元件:采用真空镀膜或溅射方法, 在石英或陶瓷基片上制成金属氧化物薄膜而成 9.1.3半导体气敏传感器类型与结构 1.电阻型半导体气敏传感器 3)厚膜型气敏元件将气敏材料与硅凝胶混制成能印刷的厚膜胶。用丝网印刷到事先安装有电极的基片上,烧结制成 用厚膜工艺制成的器件一致性较好, 机械强度高。 氧化锌是N型半导体,添加铂催化剂时,对烷烃气体有较高的灵敏度,而对H2、CO2等气体灵敏度很低。用钯催化剂时, 对H2 、CO有较高的灵敏度, 而对烷烃类气体灵敏度低。 它有良好的选择性, 工作温度在400~500℃的较高温度。 加热器能使测控部分上的油雾、尘埃等烧掉, 同时加速气体氧化还原反应, 从而提高器件的灵敏度和响应速度。 三种气敏器件都附有加热器, 气敏元件结构上,有电阻丝加热,结构如图,1和2是加热电极,3和4是气敏电阻的一对电极 气敏元件工作温度比环境温度高。 气敏元件的基本测量电路, 如右图所示, 图中EH为加热电源, EC为测量电源, 在低浓度下灵敏度高, 而高浓度下趋于稳定值。用来检查可燃性气体泄漏并报警 气敏元件输出电压与温度的关系如图 SiO2 P-Si M(Pd) 旁热式：将加热丝放在陶瓷管内与埋入SnO2粉末测量丝分离而成符号如图 直热式气敏元件：将加热丝与测量丝直接埋入SnO2粉末烧制而成符号如图 MOS二极管气敏元件的基本原理如右图所示 1 2 1 2 3 4 3 4 1 2 3 4 3 4 3 4 3 4 1 2 2.非电阻型半导体气敏传感器 Ca Cs MOS晶体管气敏元件 9.1.4 气敏传感器的应用 酒精、烟 其他 厂矿 氧气、一氧化碳、水蒸气、 工业气体 农业温室、家庭、公共场