传感技术-第四章10幻灯片.ppt

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计算由温度T决定的正比于温度T的输出信号F(T),这个量与光源温度无关,仅与由温度T决定的折射率变化有关。 4.3.3 折射率调制式光纤温度传感器(传感型) 相位调制光纤干涉仪制成的温度传感器以马赫-泽德光纤干涉仪最为典型。 马赫-泽德光纤温度传感器 干涉仪包括激光器、扩束器、分束器、两个显微物镜、两根单模光纤、光探测器等。干涉仪工作时,激光器发出的激光束经分束器分别送入测量光纤和参考光纤,将两根光纤的输出端汇合在一起,则两束光产生干涉,从而出现干涉条纹的变化信息,并输入到适当的数据处理系统,最后得到测量结果。 4.3.4 相位调制式光纤温度传感器(传感型) 4.3.4 相位调制式光纤温度传感器(传感型) 薄膜热电偶以陶瓷薄片作基体,厚度0.6mm,耐高温1600℃。在陶瓷基片有两φ0.2小孔。将φ0.2标准NiCr-NiSi热电偶丝分别嵌入小孔,使其与小孔过渡配合,在陶瓷基片背面用高温无机绝缘胶固定热电偶丝,经过研磨使热电偶端面与陶瓷基片正面平齐,在其上溅射钽(Ta)薄膜,厚度0.7μm,在钽膜片(吸收光辐射)上镀保护膜Si3N4(厚度0.1μm)。 4.2.2 薄膜热电偶 其动态响应时间为50μs,线性度好,可在1200℃下长期工作,可快速检测锻模具外壁面、燃气动力机壁面的瞬变温度,此外还可广泛应用于高空大气环境的测量以及沸腾换热表面瞬态温度的快速检测等。 4.2.2 薄膜热电偶 热电堆是由许多热电偶串接起来组成的,相比热电偶有更大的输出热电势。热电堆是根据赛贝克效应,对半导体材料采用集成电路工艺和各向异性腐蚀的微细加工技术制成的,半导体材料的赛贝克系数比金属材料大,适合作温度传感器。半导体材料接受红外辐射能,把红外辐射能转换成热能,再转换成电信号输出。热电堆相当于若干薄膜热电偶串接,结电压相加,提高测温的响应度。 4.2.3 热电堆 早先的红外热电堆探测器是利用掩膜真空镀膜的方法,将热电偶材料沉积到塑料或陶瓷衬底上获得的,但器件的尺寸较大,且不易批量生产。随着微电子技术的蓬勃发展,提出了微电子机械系统的概念,进而发展了微机械红外热电堆探测器。 4.2.3 热电堆 下图给出微机械红外热电堆芯片的基本结构。为建立热结区与冷结区的有效热传导,需要构建一定的隔热结构,现在主要通过薄膜来实现。应用的薄膜结构有两类,即封闭膜结构(图a)和悬梁结构(图b),其中封闭膜是指热堆的支撑膜为整层的复合介质膜,一般为氮化硅与氧化硅复合膜。悬梁则是指周围为气氛介质所包围,一端固定、一端悬空的膜结构,其中膜亦为复合介质膜。 4.2.3 热电堆 封闭膜结构 2 3 悬梁结构 2 3 4.2.3 热电堆 热电堆、热结区以及红外吸收区都在膜上。热结位于红外吸收区附近,当吸收红外辐射之后,此处即成为高温区域;冷结区位于硅衬底上,经导热性良好的单晶硅将热迅速散发,形成低温区域。 从隔热效果来说,悬梁更具优势,因为这种膜结构的周围是导热性能很差的气氛介质(如空气),因此热耗散小,热阻高,隔热效果好,同时吸收的热可以沿着膜的方向,也就是热电偶对的方向作有效传导,故热电转换效率较好,灵敏度高;而对封闭膜而言,吸收红外辐射后,热可以沿着介质支撑膜传播,而并不完全沿着热偶对传播,故热耗散较大,热电转换效率低,灵敏度小。 4.2.3 热电堆 但从工艺制造过程以及成品率角度来说,封闭膜更具优势,因为这种膜结构的优点在于结构稳定,由于膜与基体处处相连,因此受应力影响小,制造过程中膜本身不易破裂,成品率高,易制造;而悬梁与基体间只通过固支一端相连,另一端悬空,因此受应力的影响显著,制造过程中膜容易发生翘曲或破裂,故成品率较低,不易制造。这些薄膜结构都是利用硅的各向异性腐蚀而得到的,腐蚀孔呈金字塔型。 4.2.3 热电堆 从上述分析可以看出,悬梁结构和封闭膜结构各有优缺点,将这两种结构相结合,就可以集中这两种结构的优点,这就是斜拉悬梁支撑膜结构。这种结构的悬梁与硅基体成45度角,故名斜拉;悬梁一端固支,与硅基体1相连,另外一端仅有两点与基体1相连,红外吸收区5与热堆结构4在此悬梁上。红外吸收区5吸收红外辐射后,温度升高,构成热堆的热结区3,硅的导热性好,称为热堆的冷结区2,保持与周围环境相同的温度。 4.2.3 热电堆 4.2.3 热电堆 斜拉支撑膜的优点在于综合了封闭膜与悬梁结构的优点,由于非固支端与基体也有两点相连,因此具有封闭膜结构稳定,制作过程中膜结构不易被破坏,成品率高的优点;而这仅有的两点相连,对于导热的影响很小,因而

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