第4章 纯金属的凝固幻灯片.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 1）θ= 0时, ΔG*非 = 0 说明杂质本身就是晶核,不需要形核功。 2）θ= 180°时, ΔG*非 =ΔG*, 相当于均匀形核, 基底不起作用。 3）一般θ在0-180°之间变化。 * 所以,ΔG*非 ΔG*，即非均匀形核所需的ΔG*非总是小于均匀形核的ΔG*, 表明基底总会促进晶核的形成。而θ↓，非均匀形核越容易，那么，影响θ角的因素是什么呢？ 由前面可知：cosθ =（σLW -σαW）/σαL 当液态金属确定后，σαL值固定不变，那么θ只取决于（σLW -σαW）的差值。要使θ↓，应使cosθ→1。只有σαW↓时，σαL越接近σLW ，cosθ才越接近于1。即，固态质点与晶核的表面能越小，它对形核的催化效应就越高。 * 作为非均匀形核基底是有条件的：①结构相似；  ②尺寸相当。 人们在这方面的认识还不全面，主要还是靠经验，加一些形核剂，促进非自发形核， ↑N达到细化组织，改善性能的目的。如：Fe能促进Cu的非均匀形核；Ti能促进Al的非均匀形核。 * 3. N与ΔT的关系 ΔT 较小时 N非 较大 N 较小 （1）非均匀形核率 （2）均匀形核率 非均匀形核率取决于以下因素： 1）过冷度↑，N非↑； 2）外来夹杂↑，N非↑； 3) 液体金属的过热↑, N非↓。 上图说明：ΔT相同时，r* = r*非，但非均匀形核时，r*非只决定r，而θ才决定晶核的形状和大小。 * 4.6 长大规律 对一个晶核的发展过程来说，稳定晶核出现后，马上就进入了长大阶段。 晶体长大 宏观上看：是晶体界面向液相中的逐步推移； 微观上看：是原子由液相中扩散到晶体表面上。 所以晶体长大是有条件的： ①要求液相能不断地向晶体扩散，供应原子。 ②要求晶体表面能不断并牢固地接纳原子。 一般来说，原子的供应是不困难的，而晶体表面接纳原子的方式会由于晶体表面情况不同而不同，就出现了不同的晶体长大机制。 * 一. 晶体的长大机制 1.垂直长大机制（连续长大） L 在粗糙界面上，液相原子可以连续、垂直地向界面添加，界面的性质永远不会改变。从而使界面迅速的向液相推移，这种长大方式称为垂直长大方式，它的长大速度较快，与ΔT成正比，大多数金属晶体均以这种方式长大。 Vg = K1ΔT * 2. 二维晶核长大机制 当固液界面为光滑界面时，晶体长大只能依靠二维晶核，即依靠L中的结构起伏和能量起伏，使一定大小的原子集团，落到光滑界面上，形成具有一个原子厚度并且大于临界半径的晶核，即为二维晶核。二维晶核形成后，四周出现了台阶，L中的原子靠边缘长上去，长满后再形成一个二维晶核再扩展，见图4.19。 晶体以这种方式长大时，其长大 速度十分缓慢。 长大速度：单位时间内晶核长大的线速度，用Vg表示。 Vg = K2e-B/ΔT 图4.19 二维晶核机制示意图 * 3. 螺型位错长大机制 实际金属都不是理想晶体，内部存在着各种缺陷。 如在光滑界面上出现一个螺型位错露头，见图4.20。 它在晶体表面形成台阶。使L中原子堆砌到台阶处，每铺一排原子，台阶就向前移动一个原子间距。它的长大速度比二维晶核长大方式快得多。 Vg =K3ΔT2 图4.20 螺型位错 台阶机制示意图 * 二. 纯金属的生长形态 根据晶体的界面性质及界面温度分布，纯金属的生长形态主要有两种： a) 平面生长 晶体始终保持平的表面向前生长，并保持规则的几何外形。 b) 枝晶生长 晶体向树枝那样向前生长，不断分支发展。 晶体是以平面方式生长还是以枝晶方式生长，主要取决于液固界面前沿液体中的温度梯度。 * 1．正的温度梯度 T 界面 固 液 过冷度 距离 Tm L中存在正的温度梯度，以平面方式生长。