西安交通大学_微电子制造技术_第十五篇_光刻3.pptVIP

微电子制造技术第 15 章 光刻：显影和先进的光刻技术 概 述 完成光刻工艺中的对准和曝光后，掩膜版上的图案已经通过紫外线曝光转移到光刻胶中。接下来的工艺步骤就是曝光后的烘陪，主要是为显影做准备。 显影是在光刻胶中产生三维物理图形的一个步骤，这一步决定光刻胶图形是否是掩膜版图形的真实再现。 显影就是通过显影液溶掉可溶解的光刻胶。并且保证光刻胶和硅片有良好的黏附性能。对正胶而言，余下不可溶解的光刻胶应该是与掩膜版完全相同的图案。因为光化学变化使正胶曝光的部分变得可溶解，负胶则反之。 学 习 目 标 解释为什么以及如何对光刻胶进行曝光后的烘陪； 了解光刻胶的显影工艺和关键的显影参数； 解释显影后要进行坚膜的原因； 了解4种不同可选择的先进光刻技术。 曝光后的烘陪（PEB） 曝光后的烘陪主要是为了促进光刻胶充分的化学反应，提高光刻胶的黏附性能并减少驻波（针对不同的光刻胶）效应。 对于CA DUV光刻胶来说，因为含有一种保护化学成分使其不在显影液中溶解。在紫外线曝光过程中，光酸产生剂（PAC）在光刻胶曝光区产生了一种酸，而这种酸经过后烘加热光刻胶，引起酸催化的去保护反应，使光刻胶在显影液中溶解，从而使显影效果更好。 后烘的温度均匀性和时间是影响光刻质量的主要因素，在光刻胶的产品说明书中，生产商会提供后烘的时间和温度。 显