2.3.1半导体二极管的结构.ppt

半导体材料 半导体 其导电性能介于绝缘体和导体之间且受外界因素 影响较大,如光,温度和掺杂等。 本征半导体及其导电作用 本征半导体：纯净的不含杂质的半导体 本征半导体的热激发过程 P型半导体的特点 电子数=本征激发电子； 总的空穴数=本征激发的空穴数+杂质原子 产生的空穴； 空穴为多数载流子， 电子为少数载流子(少子）； 所掺杂质称为受主杂质（或P型杂质、受主原子）； 在无外电场时，呈电中性 单向导电性 反向击穿特性 伏安特性 开关特性 二极管反偏时截止，似开关断开 管子可以长期安全运行的反向工作电压。 定义:指管子流过额定电流IFM时二极管两端的管压降。 二极管在反偏电压为VRM时管子的漏电流。 高频时二极管的等效电路 如何判断二极管在电路中是导通的还是截止的 先假设二极管两端断开，确定二极管两端的电位差； 二极管工作状态的判定 二极管工作状态的判定 作 业 P258 [P2.3] 作 业 P259 [P2.7] [P2.9] 二极管V-I特性 Vth（ Vr ）－门限电压或死区电压 Si:0.5V Ge:0.1V Vt=kT/q(热电压） 当T=300K时，Vt=26mV IS—反向饱和电流 二极管V-I关系式 反向偏置时： 正向偏置时： 二极管的伏安特性曲线 Si管与Ge管V-I特性的差异 开关特性