第6章 存储器系统幻灯片.pptVIP

存储系统的层次结构 根据各种存储器的存储容量、存取速度和价格比的不同，将它们按照一定的体系结构组织起来，使所放的程序和数据按照一定的层次分布在各种存储器中 主存与辅存之间的关系 主存:(半导体) 优:速度快 缺:容量受限,单位成本高,断电丢失信息 辅存:(光盘,磁盘) 优:容量大,信息长久保存,单位成本低. 缺:存取速度慢 CPU正在运行的程序和数据存放在主存, 暂时不用的程序和数据存放在辅存 辅存只与主存进行数据交换. 主存和高速缓存之间的关系 Cache引入: 为解决cpu和主存之间的速度差距,提高整机的运算速度,在cpu和主存之间插入的由高速电子器件组成的容量不大,但速度很高的存储器作为缓冲区。 Cache特点 :存取速度快，容量小，存储控制和管理由硬件实现 Cache工作原理—— 程序访问的局部性 :在较短时间内由程序产生的地址往往集中在存储器逻辑地址空间的很小范围内。（指令分布的连续性和循环程序及子程序的多次执行） 数据分布不如指令明显，但对数组的访问及工作单元的选择可使存储地址相对集中。 半导体存储器的基本组成. 存储器与CPU的连接 存储器与CPU的连接 存储器与CPU的连接 第6章 存储器系统 6.3.1 掩膜只读存储器ROM 掩膜式ROM中的信息是在生产厂家制造过程中写入的。掩膜ROM制成后，存储的信息就不能再改写了，用户在使用时只能进行读出操作。 6.3.2 可编程只读存储器PROM PROM在出厂时，晶体管阵列的熔丝均为完好状态。编程时，通过字线选中某个晶体管。当写入信息时，可在VCC端加高电平。若某位写“0”，则向相应位线送低电平，此时管子导通，控制电流使该位熔丝烧断，即存入“0”；若某位写“1”，向相应位线送高电平，此时管子截止，使熔丝保持原状，即存入“1”。 第6章 存储器系统 6.3.3 可擦除可编程只读存储器EPROM EPROM的特点是：芯片的顶部开有一个圆形的石英窗口，通过紫外线的照射可将片内所存储的原有信息擦除。根据需要可利用EPROM的专用编程器（也称为“烧写器”）对其进行编程，因此这种芯片可反复使用。 常用的EPROM有2716（2K×8位）、2764（8K×8位）、27256（32K×8位）、27512（64K×8位）等典型芯片。 第6章 存储器系统 6.3.4 电可擦除可编程只读存储器E2PROM E2PROM是一种新型的ROM器件，也是近年来被广泛应用的一种可用电擦除和编程的只读存储器，其主要特点是能在应用系统中进行在线读写，并在断电情况下保存的数据信息不会丢失，它既能象RAM那样随机地进行改写，又能象ROM那样在掉电的情况下非易失地保存数据，可作为系统中可靠保存数据的存储器。其擦写次数可达1万次以上，数据可保存10年以上，使用起来比EPROM要方便的多。 第6章 存储器系统 6.3.5 闪速存储器 闪速存储器（Flash Memory）是一种新型的半导体存储器，具有可靠的非易失性、电擦除性及低成本等优点，对于需要实施代码或数据更新的嵌入性应用是一种理想的存储器，而且它在固有性能和成本方面有较明显的优势。 闪速存储器的主要性能特点体现在：可实现大规模电擦除；可高速编程；闪速存储器可重复使用，目前，商品化的闪速存储器已可以做到擦写几十万次以上，读取时间小于90ns，在文件需要经常更新的可重复编程应用中，这一性能是非常重要的。 6.4 存储器的扩展与寻址 第6章 存储器系统 1. 存储器容量的扩展 我们知道，单个存储芯片的存储容量是有限的，因此常常需要将多片存储器按一定方式组成具有一定存储单元数的存储器。下面以采用2114组成2K×8位RAM芯片为例，简要说明如何对存储器的容量进行扩充。 如图6-11所示的给定存储模块结构，采用每两个芯片为一组，进行位扩展，形成1K×8位的存储容量，若要组成2K×8位还要进行字扩展，则需要两组共4片2114。 图6-11 用2114组成2K×8位RAM 第6章 存储器系统 2. 存储器的寻址 （1）存储器的地址分配 选择好的存储器芯片如何同CPU有机地连接，并能进行有效地寻址，这就是需要考虑的存储器地址分配问题。 （2）存储器的地址译码 设计存储器系统时，要将所选芯片与所确定的地址空间联系起来，即将芯片中的存储单元与实际地址一一对应，这样才能通过寻址对存储单元进行读写操作。 通过地址译码实现片选的方法通常有三种：线选译码；全译码；部分译码。 第6章 存储器系统 6.5 半导体存储器与CPU的连接 6.5.1 存