第6章 修改幻灯片.pptVIP

两个相邻能带之 间的能量区域称 为禁带。 晶体中电子的能量 只能取能带中的数 值，而不能取禁带 中的数值。 图中 为 “许可的能量”， 称为能带*。 E2 E3 E5 E4 E6 E7 E1 0 E E ~ k 曲线的表达图式 k 是代表电子状态的角波数 孤立原子的最外层电子能级可能填满了电子也可能未填满了电子。若原来填满电子的， 在形成固体时，其相应的能带也填满了电子。 若孤立原子中较高的电子能级上没有电子， 在形成固体时，其相应的能带上也没有电子。 若原来未填满电子的， 在形成固体时，其相应的能带也未填满电子。 孤立原子的内层电子能级一般都是填满的， 在形成固体时，其相应的能带也填满了电子。 排满电子的能带称为满带； 排了电子但未排满的称为未满带（或导带）； 未排电子的称为空带； （有时也称为导带）； 两个能带之间的禁带是不能排电子的。 导带 禁带 价带 在晶体中，由价电子能级分裂而成的能带叫做“价带”，如某一能带被电子填满，则称之为“满带”，而在未激发情况下无电子填入的能带叫做“空带’，若价带中的电子受激而进入空带，则此空带称为“导带”，同时，价带上由于价电 子激发到导带后留下一些空着的能级称为“空穴”。 “价带” 和“导带”之间是“禁带” 3 半导体的导电机构 自由电子和空穴 形成：价带中的一些电子在外界作用下跃迁到导带，形成可以导电的自由电子，而在价带中留下了缺少电子的空位，称为空穴。 注意：杂质电离产生的电子和空穴数目不相等，N型半导体中电子为多数载流子，P型半导体恰好相反。 6.2.2 能带理论 1.本征激发 2.杂质电离 在热运动或其它外界因素的作用下，半导体价带的电子直接激发跃迁到导带而形成数量相等的自由电子和空穴。 半导体中杂质原子上的电子(或空穴)从施主(或受主)能级上跃迁到导带(或价带)中去，分别形成自由电子和空穴。 6.2.2 能带理论 4 载流子的运动 1.扩散运动 2.漂移运动 载流子由热运动造成的从高浓度处向低浓度处的迁移。 载流子在电场的加速作用下，除热运动之外获得的附加运动称为漂移运动。 6.2.2 能带理论 5 半导体对光的吸收 1.本征吸收 由本征激发所形成的光吸收称为本征吸收。 2.杂质吸收 由杂质电离所形成的光吸收称为杂质吸收。 6.2.2 能带理论 3.自由载流子吸收 由自由载流子在同一能带内不同能级之间的跃迁引的光吸收，称为自由载流子吸收。 4.激子吸收 价带中的电子吸收小于禁带宽度的光子能量也能离开价带，但还不足以跃迁到导带成为自由电子，这时电子还与空穴保持着库仑力的相互作用，形成一个电中性系统，称为激子。能产生激子的光吸收称为激子吸收。 5.晶格吸收 半导体原子吸收能量较低的光子，并将其能量直接变为晶格的振动能，从而在远红外区形成一个连续的吸收带，这种形式的光吸收称为晶格吸收。 6.2.2 能带理论 第三章 传感成像的光电基础 6.1 图像与辐射度量 6.2 半导体物理基础 6.3 光电转换基础 6.4 显示发光基础 6.5 红外探测及红外成像 6.3 光电转换基础 什么是光电效应？ 物体因光照而引起其内部电学特性发生改变的现象 外光电效应 内光电效应 光电导效应 光生伏特效应 光 电 效 应 光电发射效应 物质受到光照后 向外发射电子的现象 受到光照后所产生的光电子 只在物质内部运动 而不会逸出物质外部的现象 6.6.1 光电导效应 光照射半导体材料时，材料吸收光子而产生电子-空穴对，使其导电性能增强，电导率增加，人们把这种光照后电导率发生变化的现象称为光电导效应。由于该过程是在半导体材料内进行的，故又称为内光电效应。 利用光电导效应制成的光敏电阻 没有光照时，半导体材料固有的电导率σ0 当入射光照射某种本征半导体时，如果入射光子的能量大于此材料的禁带宽度Eg就会引起本征吸收，使价带中的电子越过禁带而跃迁到导带，形成电子-空穴对，从而使载流子数目增多。 对于掺有杂质的半导体材料，光照时除了本征材料价带电子激发外，杂质能带中的电子受到光子激发到达导带形成电子和离子，使半导体的电导率发生改变。这种光生载流子与热运动产生的载流子是不可区别的，它们的迁移率相同，因此可以把光照引起的电导率的变化直接归结为载流子密度的变化。 半导体材料发生光电导效应的实质可以用其能带结构来解释： 6.6.1 光电导效应 6.6.2 光生伏特效应 光生伏特效应 严格来讲，包括两种类型：一类是发生在均匀半导体材料内部；一类是发生在半导体的界面。虽然它们之间有一定相似的地方，但产生的具体机制是不相同的。通常称前一类为丹倍效应，而把光生伏特效应的涵义只局限于后一类情况。 半导体界面的空间电荷区处有很强的电场，称