第二章 电力电子器件1幻灯片.ppt

* * * 浪涌电流：一般用额定正向平均电流倍数和浪涌周期（即工频周波数）来规定。在选择保护继电器时，继电器的过流跳闸特性应满足这一定额。 * * 阻尼二极管：较低电压降和较高的工作频率，且能承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流。 * 浪涌电流：一般用额定正向平均电流倍数和浪涌周期（即工频周波数）来规定。在选择保护继电器时，继电器的过流跳闸特性应满足这一定额。 * * * 可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR） * 发射极电流小时，放大倍数小主要是由于绝大部分发射极电流在发射极耗尽层中被复合；然后的增加是由于基于宽度调制效应；电流增大时的减小是由于发射结有更多的少数载流子流过。 * 达到擎住电流后，晶闸管成为线性系统，上述推到电流表达式不再成立。 * * * 当AK两端施加反压时，晶闸管处于反向阻断状态，这是晶闸管J1 、J3结都处于反偏，即使有门极信号也不可能在晶闸管内部产生电流正反馈，因此不可能引发晶闸管从断态转向通态。 这时晶闸管流过的电流是很小的反向漏电流。当反向电压过大而达到反向折转电压ubr，则反向漏电流迅速上升。 图中第三象限是反向电压伏安特性，与二极管的反向特性类似。 * 不过一旦触发导通后，即使去掉门极信号，器件仍维持导通状态。这是晶闸管不同于二极管的，称为自锁或擎住特性。可见，晶闸管导通后，门极就失去了控制作用。因此，触发电流通常采用脉冲电流，而无需直流。 * 不过一旦触发导通后，即使去掉门极信号，器件仍维持导通状态。这是晶闸管不同于二极管的，称为自锁或擎住特性。可见，晶闸管导通后，门极就失去了控制作用。因此，触发电流通常采用脉冲电流，而无需直流。 * 不过一旦触发导通后，即使去掉门极信号，器件仍维持导通状态。这是晶闸管不同于二极管的，称为自锁或擎住特性。可见，晶闸管导通后，门极就失去了控制作用。因此，触发电流通常采用脉冲电流，而无需直流。 * 晶闸管的额定电压即规定为UDRM、 URRM中较小的值。 考虑到在电路中偶然出现较大的瞬时过电压损坏晶闸管，在实际设计和应用中，通常按电路中晶闸管正常工作峰值电压的2-3倍电压值选定晶闸管额定电压，以确保安全容量。 * IH指晶闸管稳定导通之后，逐渐减小通过器件的阳极电流，仍能维持住导通状态不变的最小阳极电流。是开通和关断之间的临界电流。 IL又称临界开通电流。 　　两个电流都是温度的函数，随温度的升高而减小。此外， IH还与门极－阴极间阻抗有关。 * 　　　　在阻断的晶闸管两端施加的电压具有正向的上升率时，相当于一个电容的J2结会有充电电流流过，被称为位移电流。此电流流经J3结时，起到类似门极触发电流的作用。如果电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通。 　　　通态电流临界上升率：如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。 * 　　　　在阻断的晶闸管两端施加的电压具有正向的上升率时，相当于一个电容的J2结会有充电电流流过，被称为位移电流。此电流流经J3结时，起到类似门极触发电流的作用。如果电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通。 　　　通态电流临界上升率：如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。 * * * * * * * * * * * * 阻挡层： 空间电荷形成的内电场阻止多数载流子继续扩散。 耗尽层：该层中只有不能运动的带正负电的离子，已经没有多少可以运动的载流子，好像载流子被消耗尽了一样。 势垒层：电子要继续扩散的话，必须要克服一定大小的势能。这个由该层引起的势能好像是给这些电子筑起了一个运动的势垒。 内电场的存在使N区电位高于P区电位，这个电位差即接触电位差。电子要运动形成电流，就必须越过这个电位差。 没加外加电压形成外加电场，载流子就无法越过该电位差形成电流。 * * * * * * * * 当功率二极管承受的正向电压大到一定值（门槛电压UTO），正向电流才开始明显增加，处于稳定导通状态。与